The invention relates to a TFT-LCD array substrate and manufacturing method and testing method. TFT LCD array substrate includes a display area and a peripheral area, the display area is arranged inside the gate line and the data line, the peripheral area is arranged in the test line, and will test in the test line and the gate line connections and / or combine the test line and the data line connection. The test method of TFT LCD array substrate comprises the following steps: connecting the tested signal wire with the test line in the position of the combined point by laser welding; testing the signal line to be tested through the test line. The test line is formed in a peripheral area and point between the laser welding method set up the test line and signal line can realize signal line signal connection test in the test, enhances the LCD panel testing and analysis, improve the analysis ability and the comprehensive performance of tft-lcd.
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种液晶显示装置及其制造方法和测试方法，特别是一种 TFT-LCD阵列基板及其制造方法和测试方法。
技术介绍
薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display, 简称TFT-LCD)的主体结构包括液晶面板、背光源和驱动电路板，液晶面板由 阵列基板、彩膜基板以及设置于其间的液晶层组成。液晶面板是光机电的统 一体，其基本原理是利用阵列基板和彩膜基板之间的电场控制液晶分子偏转， 使其在不同的电场作用下产生不同的透过光。作为统一的整体，可以认为液 晶面板是驱动电路的负载，液晶分子是彩膜基板和阵列基板间形成电场的负 载，三者是统一的整体。目前，针对液晶面板的测试主要集中在整体品质的测试，如亮度、对比度 或色饱和度等测试，或驱动装置一级的驱动信号的频率、幅度等测试，目前 尚未出现对液晶面板内信号的测试，例如对液晶面板内栅线或数据线延迟的 测试。现有技术在进行液晶面板不良品分析中，通常采用拆分液晶面板并测 试信号线的电阻、线宽等方法。实际上，这种方法无法模拟液晶面板的工作 情况，不仅给分析造成很大困难和...
【技术保护点】
一种ＴＦＴ－ＬＣＤ阵列基板，包括显示区域和位于所述显示区域外围的外围区域，所述显示区域内设置有栅线和数据线，其特征在于，所述外围区域内设置有测试线，以及在测试时将所述测试线与栅线连接和／或将所述测试线与数据线连接的结合点。
【技术特征摘要】
1、一种TFT-LCD阵列基板，包括显示区域和位于所述显示区域外围的外围区域，所述显示区域内设置有栅线和数据线，其特征在于，所述外围区域内设置有测试线，以及在测试时将所述测试线与栅线连接和/或将所述测试线与数据线连接的结合点。2、 根据权利要求1所述的TFT-LCD阵列基板，其特征在于，所述结合点 包括沉积在绝缘层上的导电连接层，所述导电连接层的一端与位于所述绝缘 层下的测试线交叠，所述导电连接层的另 一端与位于所述绝缘层下的栅线或 数据线交叠。3、 根据权利要求1所述的TFT-LCD阵列基板，其特征在于，所述结合点 分别设置在所述栅线和/或数据线的端部。4、 根据权利要求1所述的TFT-LCD阵列基板，其特征在于，所述测试线 与栅线同层，所述导电连接层与像素电极同层。5、 根据权利要求l所述的TFT-LCD阵列基板，其特征在于，所述测试线 与数据线同层，所述导电连接层与像素电极同层。6、 根据权利要求1 ~ 5中任一权利要求所述的TFT-LCD阵列基板，其特 征在于，所述显示区域内还设置有公共电极线，所述外围区域内还设置有在 测试时将所述测试线与公共电极线连接的结合点。7、 根据权利要求1 ~ 5中任一权利要求所述的TFT-LCD阵列基板，其特 征在于，所述测试线的宽度为10 ju m ~ 50 ja m。8、 一种TFT-LCD阵列基板的制造方法，包括步骤1、在基板上的显示区域形成栅线、数据线和薄膜晶体管图形，在 基板上的外围区域形成测试线图形；步骤2、在完成步骤l的基板上沉积透明导电层，通过构图工艺在显示区 域形成像素电极图形，在外围区域形成导电连接层图形，所述导电连接层的一 端与所述测试线交叠，所述导电连接层的另一端与所述栅线或数据线交叠。9、 根据权利要求8所述的TFT-LCD阵列基板的制造方法，其特征在于， 所述步骤1具体包括步骤ll、在基板上沉积栅金属层，通过构图工艺在显示区域形成栅电极 和栅线图形，在外围区域形成测试线图形；步骤12、在完成步骤11的基板上连续沉积栅绝缘层、半导体层和掺杂 半导体层，通过构图工艺在显示区域的栅电极上形成半导体层和掺杂半导体 层图形；步骤13、在完成步骤12的基板上沉积源漏金属层，通过构图工艺形成 漏电极、源电极、数据线和TFT沟道图形；步骤14、在完成步骤13的基板上沉积钝化层，通过构图工艺在漏电极 位置形成钝化层过孔。10、 根据权利要求8所述的TFT-LCD阵列基板的制造方法，其特征在于， 所述步骤1具体包括步骤21、在基板上沉积栅金属层，通过构图工艺在显示区域形成栅电极 和栅线图形；步骤22、在完成步骤21的基板上连续沉积栅绝缘层、半导体层和掺杂 半导体层，通过构图工艺在显示区域的栅电极上形成半导体层和掺杂半导体 层图形；步骤23、在完成步骤22的基板上沉积源漏金属层，通过构图工艺在显 示区域形成漏电极、源电极、数据线和TFT沟道图形，在外围区域形成测试 线图形；步骤24、在完成步骤23的基板上沉积钝化层，通过构图工艺在漏电极 位置形成钝化层过孔。11、 一种TFT-LCD阵列基板的测试方法，包括步骤1Q0、通过激光焊接方式，在结合点位置将待测信号线与测试线连接; 步骤110、通过测试线对所述待测信...
【专利技术属性】
技术研发人员：张弥，彭志龙，
申请(专利权)人：北京京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]
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