去除模拟基板上聚酰亚胺膜的方法技术

本发明专利技术公开了一种去除模拟基板上聚酰亚胺膜的方法，包括：步骤１．在设定的特征参数下，利用一组气体与模拟基板上聚酰亚胺膜发生第一次反应；步骤２．在设定的特征参数下，利用氧气的等离子体与所述第一次反应后的残余物发生第二次反应；所述特征参数包括高频电源功率、压力以及所述选择的气体流量。本发明专利技术选用Ｏ↓［２］　ｐｌａｓｍａ与模拟基板上的ＰＩ膜进行第二次反应，不仅能完全去除ＰＩ膜残余物，而且不破坏模拟基板上的ＩＴＯ层，防止ＩＴＯ层龟裂产生碎片，同时还可有效去除模拟基板上的静电，防止模拟基板移动时发生破碎，从而提高了模拟基板的重复利用率，延长模拟基板使用寿命。

Method for removing polyimide film on analog substrate

The invention discloses a method for removing the substrate, simulation of polyimide film which comprises: step 1. in the feature parameter setting, using a set of polyimide film substrate gas and Simulation of the first reaction; step 2. in the feature parameter setting, the body and the first reaction after the residue the oxygen reaction occurred second times; the characteristic parameters including high frequency power supply power, pressure and the selection of the gas flow. PI film of the invention selects O down 2 plasma and Simulation of substrate for the second reaction, not only can completely remove PI membrane residues, but does not destroy the simulation of ITO layer on the substrate, the ITO layer to prevent cracking of debris, but also can effectively remove the simulated electrostatic substrate, to prevent broken simulation of moving plate when, so as to improve the utilization rate of simulated substrate, prolong the service life of the simulation board.

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及液晶显示器制造领域，尤其涉及一种利用氧气的等离子体去 除模拟基板上聚酰亚胺膜的方法。
技术介绍
液晶单元的制作是液晶显示器制造过程中重要的一步，其制作过程包括聚酰亚胺(polyimide，以下简称PI)膜涂覆、PI膜烘烤、PI膜配向等， 其中PI膜是确保液晶分子按要求取向并形成一定预倾角的功能性膜层。其 中，在PI膜涂覆和PI膜配向的过程中，由于工艺的要求必须提前进行工程 状态模拟，以保证在实际生产过程中PI膜涂覆厚度的均一性和PI膜配向后 特性的一致。在工程状态模拟中，需要使用模拟基板，并在模拟基板表面沉 积一层氧化铟锡(IT0)，再进行PI膜涂覆，因使用的模拟基板数量大，必 须对模拟基板上的PI膜层进行去除化工程，去除掉模拟基板上的PI膜，这 样可以反复利用模拟基板进行工程状态模拟，以达到降低成本的目的。在工程状态模拟中，通常使用等离子体(plasma)对模拟基板上的PI 膜进行干法去除化工程，去除掉模拟基板上的PI膜。通常plasma与PI膜 发生二次反应来达到去除掉模拟基板上的PI膜的目的，第一次反应为以化 学反应为主的反应，第二次反应为以物理反应为主的反应，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种去除模拟基板上聚酰亚胺膜的方法，其特征在于，包括：　步骤１、在设定的特征参数下，利用一组气体与模拟基板上聚酰亚胺膜发生第一次反应；　步骤２、在设定的特征参数下，利用氧气的等离子体与所述第一次反应后的残余物发生第二次反应；　 　所述设定的特征参数包括高频电源功率、压力以及气体流量。

【技术特征摘要】
1、一种去除模拟基板上聚酰亚胺膜的方法，其特征在于，包括步骤1、在设定的特征参数下，利用一组气体与模拟基板上聚酰亚胺膜发生第一次反应；步骤2、在设定的特征参数下，利用氧气的等离子体与所述第一次反应后的残余物发生第二次反应；所述设定的特征参数包括高频电源功率、压力以及气体流量。2、 根据权利要求1所述的去除模拟基板上聚酰亚胺膜的方法，其特征在 于，所述步骤2之前还包括根据结束点探测模式确定所述第一次反应的时 间；所述步骤2具体包括当所述第一次反应的时间到达时，在设定的特征 参数下，利用氧气的等离子体与所述残余物发生第二次反应。3、 根据权利要求1所述的去除模拟基板上聚酰亚胺膜的方法，其特征在 于，所述步骤2还包括利用所述氧气的等离子体去除模拟基板上的静电。4...

【专利技术属性】
技术研发人员：宋勇志，
申请(专利权)人：北京京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]