覆金属聚酰亚胺基板的制造方法技术

本发明专利技术提供能够降低加热覆金属聚酰亚胺基板时尺寸变化的分散性、当作为ＣＯＦ使用时可在经受的热量下进行稳固地接合、并且可以改善不合格率的覆金属聚酰亚胺基板的制造方法。该方法是包括在聚酰亚胺片表面上形成金属覆膜的溅射工序、以及采用连续电镀装置在所得的金属覆膜上形成金属导电体的电镀工序的制造方法，其特征在于满足下述（１）和（２）的条件，（１）在上述溅射工序中，形成的金属覆膜的表面电阻控制为０．１～１．０Ω／□；（２）在上述电镀工序中，全部电镀槽的平均阴极电流密度控制为１～３Ａ／ｄｍ↑［２］，以及各电镀槽中阴极电流密度的最大值相对于最小值的比控制为１～５，同时，薄片输送速度调节为８０～３００ｍ／ｈ。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及，更具体地说， 涉及一种能够降低加热覆金属聚酰亚胺基板时尺寸变化的分散性、当作为COF使用时可进行稳固地接合、并且可以改善不合格 率的。
技术介绍
近年来，作为封装使液晶屏幕显示图像的驱动用半导体的半 导体封装用基板，覆金属聚酰亚胺基板已被广泛使用。上述覆金 属聚酰亚胺基板中所用的聚酰亚胺片具有优良的耐热性，并且在 机械、电学以及化学性能方面与其他塑料材料相比也不逊色，因 此，被作为例如印刷线路板(PWB)、柔性印刷线路板(FPC)、巻带 自动接合用带(TAB)、覆晶薄膜(COF)等电子部件用的绝缘基板材 料多方面使用。这种PWB、 FPC、 TAB和COF,可以采用在聚酰 亚胺片的至少一面上被覆金属层的覆金属聚酰亚胺基板，对其进 -斤加工而制得。其中，作为封装液晶屏显示用驱动IC芯片的手段，COF特别 引人注目。与以前的封装手段TCP(Tape Carrier Package)相比，COF 能够进行密脚距封装，是能够容易实现驱动IC小型化和降低成本 的封装手段。作为这种COF的制造方法， 一般是采用使高耐热性、 高绝缘性树脂聚酰亚胺片与通常作为金属导电体的良导体铜层粘 合而得到的覆金属聚酰亚胺基板，使该铜层通过光刻蚀法形成精细图案，并在所需要的地方镀锡和被覆防焊膜而制得的方法。在制造上述覆金属聚酰亚胺基板时，作为在聚酰亚胺片表面 上形成金属层的方法，例如可以首先通过濺射法形成包含镍、铬、 镍铬合金等的金属薄层，再在其上形成铜层以使其具有良好的导 电性而制得。此外，为了使用于形成电路的导电层膜厚化，通常 通过电镀法，或者电镀与无电镀联用的方法形成铜等金属导电体。 另外，上述由溅射法形成的金属覆膜的厚度，通常为100-500nm。另外，金属导电体的厚度，例如，当通过减成法形成电路 时，通常为5 ~ 12pm。这里，当通过电镀法形成金属导电体时，可以使用例如连续 电镀装置，该装置具有至少两个用于供给电镀液的、槽内部与发 挥阴极功能的电镀面相对向地设置了阳极的电镀槽，多个槽在薄 片输送方向上并排设置；并具有向各电镀槽供电的供电部和连续 输送薄片状基板用的机构。例如，已公开了一种连续电镀的方法， 该方法设置了多个具有阳极和电解液的电镀槽，将具有厚度为 3pm以下的金属覆膜的绝缘体片依次连续地供给到这些电镀槽 中，控制每个电镀槽的通电量，使各电镀槽中的通电量按照该薄 片的供给顺序依次增加，可以连续地形成均匀良好的电镀膜(参见 例如专利文献1)。通过如上所述的溅射法和电镀法形成金属层的覆金属聚酰亚 胺基板，由于建立了容易实现金属层的薄膜化，并且可以保持聚 酰亚胺片与金属覆膜的平滑界面，同时获得了充分的粘合强度的 技术，因此用其制得的COF适合于电路的密脚距化。因此，已经 开始批量生产了内引脚部具有25 ~ 30pm脚距的COF,并在继续 开发20pm脚距以下的密脚距COF。可是，在COF中，通过内引脚接合装载半导体芯片，然后通过外引脚封装在液晶屏上。通常，由于接合时供给的热量会使COF 的尺寸发生变化，因而要预先预测该变化量，并事先对COF上形 成的电路、特别是内引脚的脚距和外引脚的脚距进行校正。特别 是20|im脚距的COF,由于是狭窄脚距，必需对引脚的脚距进行 严格的校正。但是，即使是在使用由上述溅射法和电镀法形成金属层的覆 金属聚酰亚胺基板的情况下，对于20pm脚距的COF,接合时端 部引脚脱离所要接合的位置的比率也会增加，因而出现不合格率 提高的问题。加热覆金属聚酰亚胺基板时尺寸变化的分散被认为 是其主要原因。由于这种状况，需要能够进一步降低加热时尺寸 变化分散性的覆金属聚酰亚胺基板。专利文献1日本特开平7 - 22473号公报(第1页，第2页)
技术实现思路
本专利技术的目的是鉴于上述现有技术的问题，提供能够降低加 热覆金属聚酰亚胺基板时尺寸变化的分散性、当作为COF使用时 可进行稳固地接合、并且可以改善不合格率的覆金属聚酰亚胺基 板的制造方法。本专利技术者们为达到上述目的，对覆金属聚酰亚胺基板的制造 方法反复专心研究，结果发现，在包括在聚酰亚胺片表面上形成 金属覆膜的溅射工序，以及在所得的聚酰亚胺片的金属覆膜上采 用连续电镀装置形成金属导电体的电镀工序的覆金属聚酰亚胺基 板的制造方法中，在上述溅射工序中，形成具有特定表面电阻的 金属覆膜，可以抑制溅射中受热过程中的分散，而且可以降低后 续电镀时的阴极电流密度差，并且，在上述电镀工序中，控制特 定的阴极电流密度，使电流密度分布均匀化，同时，调节特定的薄片输送速度，可以抑制叠层结构的界面氧化，并且所得覆金属 聚酰亚胺基板可以降低金属层的残留应力的分散程度，降低对其加热时尺寸变化的分散程度，当作为COF使用时，可进行稳固地接合、并且可以改善不合格率，从而完成了本专利技术。即，根据本专利技术的第1项专利技术，提供一种覆金属聚酰亚胺基 板的制造方法，该方法包括在聚酰亚胺片表面上形成金属覆膜的 溅射工序、以及采用由输送薄片和向金属覆膜供电的辊和具有与 该金属覆膜相对向的阳极的至少两个槽的电镀槽构成的连续电镀 装置，在所得的聚酰亚胺片的金属覆膜上形成金属导电体的电镀工序，其特征在于满足下述(1)和(2)的条件。(1) 在上述溅射工序中，形成的金属覆膜的表面电阻控制为 0.1 ~ l.OQ/口 。(2) 在上述电镀工序中，将阴极电流密度控制为全部电镀槽 的平均阴极电流密度为1 ~ 3A/dm2,以及各电镀槽中阴极电流密度 的最大值相对于最小值的比为1~5,同时，将薄片输送速度调节 为80 ~ 300m/h。另外，根据本专利技术的第2项专利技术，提供一种覆金属聚酰亚胺 基板的制造方法，其特征在于在第1项专利技术中，上述阳极为不溶 性阳极。另外，根据本专利技术的第3项专利技术，提供一种覆金属聚酰亚胺 基板的制造方法，其特征在于在第2项专利技术中，上述阴极电流密 度为全部电镀槽的平均阴极电流密度为1.5~3A/dm2,各电镀槽 中阴极电流密度的最大值相对于最小值的比为1~3，以及薄片输 送速度为100 ~ 300m/h。另外，根据本专利技术的第4项专利技术，提供一种覆金属聚酰亚胺 基板的制造方法，其特征在于在第1 3任一项专利技术中，上述金属覆膜由金属片层与其表面上形成的铜层构成。另外，根据本专利技术的第5项专利技术，提供一种覆金属聚酰亚胺基板的制造方法，其特征在于在第1-4任一项专利技术中，上述金属 导电体为铜。根据本专利技术的，可以降低加 热所得的覆金属聚酰亚胺基板时尺寸变化的分散程度，当将其作 为COF使用时，可进行稳固地接合，并且可以改善不合格率。特 别是当用于以开发中的20pm脚距为代表的密脚距COF时，由于 接合时端部引脚脱离所要接合的位置的比率下降，大幅改善了不 合格率，因此其工业价值非常大。附图说明图1表示本专利技术中所用的连 续电镀装置简略结构的一个实例的图。具体实施例方式以下，对本专利技术的进行具体 说明。本专利技术的是包括在聚酰亚胺 片表面上形成金属覆膜的溅射工序、以及采用由输送薄片和向金 属覆膜供电的辊和具有与该金属覆膜相对向的阳极的至少两个槽 的电镀槽构成的连续电镀装置，在所得的聚酰亚胺片的金属覆膜 上形成金属导电体的电镀工序的覆金属聚酰亚胺基板的制造方 法，其特征在于满足下述(1)和(2)的条件。(l)在上本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种覆金属聚酰亚胺基板的制造方法，该方法是包括在聚酰亚胺片表面上形成金属覆膜的溅射工序、以及采用由输送薄片和向金属覆膜供电的辊和具有与该金属覆膜相对向的阳极的至少两个槽的电镀槽构成的连续电镀装置，在所得的聚酰亚胺片的金属覆膜上形成金属导电体的电镀工序的覆金属聚酰亚胺基板的制造方法，其特征在于满足下述（１）和（２）的条件，　（１）在上述溅射工序中，形成的金属覆膜的表面电阻控制为０．１～１．０Ω／□；　（２）在上述电镀工序中，将阴极电流密度控制为：全部电镀槽的平均阴极电流密度为１～３Ａ／ｄｍ↑［２］，以及各电镀槽中阴极电流密度的最大值相对于最小值的比为１～５，同时，将薄片输送速度调节为８０～３００ｍ／ｈ。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：大泷启一，竹之内宏，小笠原修一，浅田雅男，
申请(专利权)人：住友金属矿山株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]