The invention relates to a TFT LCD array substrate and a color film substrate. The array substrate includes a gate line formed on a substrate, a common electrode line, a data line, is formed on the gate line and the data line at the intersection of the TFT and is located in the pixel electrode in the pixel region, above the common electrode line is exposed on the second passivation layer of the common electrode and the pixel electrode line through hole a hole is used for connecting with the transparent electrode on the color film substrate. Color film substrate includes forming a black matrix on the substrate, color resin, columnar spacers and the transparent electrode, wherein the cylindrical spacer is disposed on the array substrate second passivation layer via the corresponding position, and covering the transparent electrode. The invention changes the electric connection mode of the transparent electrode and the common electrode on the array substrate on the color film substrate, and improves the display quality of the TFT LCD.
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种液晶显示装置及其制造方法，特别是一种TFT-LCD阵列 基板和彩膜基板及其制造方法。
技术介绍
薄膜晶体管液晶显示装置(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display,简称TFT-LCD)具有体积小、功耗低、无辐射、制造成本相对较低 等特点，在当前的平板显示装置市场占据了主导地位。TFT-LCD是由阵列基 板和彩膜基板(彩色滤光片)对盒并在其中注入液晶而形成的，阵列基板和 彩膜基板之间通常设置柱状隔垫物来维持盒厚。现有技术阵列基板包括形成在基板上的栅线、数据线和公共电极线，数 据线与栅线垂直，相邻的栅线和数据线限定了一个像素区域，并在交叉处形 成TFT， TFT包括栅电极、栅绝缘层、有源层、源电极、漏电极和钝化层，其 中栅电极与栅线连接，源电极与数据线连接，位于像素区域内的像素电极通 过钝化层过孔与漏电极连接。现有技术彩膜基板包括形成在基板上的黑矩阵 和彩色树脂(红色树脂、绿色树脂或蓝色树脂)，每个彩色树脂对应于一个 像素区域，在间隔一个或数个彩色树脂的距离上，均匀分布的柱状隔垫物形 成在黑矩阵上，位于T...
【技术保护点】
一种ＴＦＴ－ＬＣＤ阵列基板，包括形成在基板上的栅线、公共电极线、数据线、形成在所述栅线和数据线交叉处的ＴＦＴ和位于像素区域内的像素电极，其特征在于，所述公共电极线之上设置有暴露出所述公共电极线的第二钝化层过孔和像素电极过孔，用于与彩膜基板上的透明电极电连接。
【技术特征摘要】
1. 一种TFT-LCD阵列基板，包括形成在基板上的栅线、公共电极线、数据线、形成在所述栅线和数据线交叉处的TFT和位于像素区域内的像素电极，其特征在于，所述公共电极线之上设置有暴露出所述公共电极线的第二钝化层过孔和像素电极过孔，用于与彩膜基板上的透明电极电连接。2. 根据权利要求1所述的TFT-LCD阵列基板，其特征在于，所述第二钝 化层过孔或像素电极过孔的形状为圓形、椭圆形、四边形或多边形。3. 根据权利要求1或2所述的TFT-LCD阵列基板，其特征在于，所述TFT 包括栅电极、4册绝缘层、有源层、源电极、漏电极和钝化层，钝化层上开设 有第一钝化层过孔，所述栅电极与所述栅线连接，所述源电极与所述数据线 连接，所述漏电极通过所述第一钝化层过孔与所述像素电极连接。4. 一种TFT-LCD阵列基板制造方法，其特征在于，包括步骤ll、在基板上沉积一层栅金属层，通过构图工艺形成栅电极、栅线、 挡光条和公共电极线图形；步骤12、在完成步骤11的基板上连续沉积栅绝缘层和有源层，通过构图 工艺形成有源层图形；步骤13、在完成步骤12的基板上沉积一层金属薄膜，通过构图工艺形成 数据线、源电极和漏电极图形；步骤14、在完成步骤13的基板上沉积一层钝化层，通过构图工艺在所述 漏电极上方形成第一钝化层过孔，在所述公共电极线上方形成第二钝化层过 孔；步骤15、在完成步骤14的基板上沉积一层像素电极层，通过构图工艺形 成像素电极，并在所述第二钝化层过孔处形成像素电极过孔，且像素电极通 过所述第 一钝化层过孔与所述漏电极连接。5. —种TFT-LCD彩膜基板，包括形成在基板上的黑矩阵、彩色树脂、柱 状隔垫物和透明电极，其特征在于，所述柱状隔垫物设置在与阵列基板上第二钝化层过孔和像素电极过孔相对应的位置上，且覆盖有所述透明电极。6. #4居权利要求5所述的TFT-LCD彩膜基板，其特征在于，所述柱状隔 垫物的侧面形状为梯形，顶端宽度为1 |a m ~ 40 n m,底端宽度为1 m m - 80 n ra。7. 根据权利要求5或6所述的TFT-LCD彩膜基板，其特征在于，所述柱 状隔垫物的顶端形状和/或底端形状为圓形、椭圓形、四边形或多边形。8. —种TFT-LCD彩膜基板制造方法，其特征在于，包括 步骤21、在基板上形成黑矩阵图形和彩色树脂图形；步骤22、在完成步骤21的基板上沉积柱状隔垫物树脂层，通过构图工 艺，形成柱状隔垫物图形；步骤23、在完成步骤22的基板上沉积一层透明电极层，使所述柱状隔 垫物表面覆盖有透明...
【专利技术属性】
技术研发人员：张弥，
申请(专利权)人：北京京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]
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