保护膜的覆盖方法和保护膜覆盖装置制造方法及图纸

保护膜的覆盖方法和保护膜覆盖装置能在晶片的表面上无斑点且厚度均匀地覆盖由液态树脂形成的保护覆膜，并且能够减少液态树脂的使用量。上述方法在晶片的加工面上覆盖由树脂形成的保护覆膜，其包括：晶片保持工序，将晶片以加工面朝上的方式保持在旋转工作台上；喷涂工序，使保持有晶片的旋转工作台以第一旋转速度旋转，并在晶片的加工面上呈雾状地涂布液态树脂；液态树脂供给工序，使保持有实施了喷涂工序的晶片的旋转工作台以比第一旋转速度慢的第二旋转速度旋转，并向晶片的加工面的中央区域滴下预定量的液态树脂；和旋涂工序，在实施了液态树脂供给工序后，使保持有晶片的旋转工作台以比第一旋转速度快的第三旋转速度旋转，使供给到晶片的加工面上的液态树脂铺展。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及在半导体晶片或光器件晶片等晶片的表面上覆盖树脂保护膜的方法和保护膜覆盖装置。
技术介绍
在半导体器件制造工序中，在大致圆板形状的半导体晶片的表面上利用呈格 子状排列的被称为间隔道的分割预定线划分出多个区域，在该划分出的区域内形成 IC (integrated circuit :集成电路)、LSI (large-scaleintegration :大规模集成电路)、 液晶驱动器、闪存等器件。然后，通过将半导体晶片沿间隔道切断，来对形成有器件的区域 进行分割，从而制造出一个个器件。或者，光器件晶片在蓝宝石基板等的表面上利用呈格子 状地形成的间隔道划分出多个区域，并在该划分出的区域内形成有由氮化镓类化合物半导 体等层叠而成的光器件，将上述光器件晶片沿分割预定线分割成一个一个的发光二极管、 激光二极管等光器件，并广泛利用于电气设备。 作为将这样的半导体晶片或光器件晶片等晶片沿间隔道分割的方法，提出有以下 方法通过沿着形成于晶片的间隔道照射脉冲激光光线来形成激光加工槽，并沿着该激光 加工槽利用机械破断装置进行切断。(例如，参照专利文献1) 专利文献1 :日本特开平10-30本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种保护覆膜的覆盖方法，该保护覆膜的覆盖方法在晶片的加工面上覆盖由树脂形成的保护覆膜，其特征在于，上述保护覆膜的覆盖方法包括：晶片保持工序，将晶片以加工面朝上的方式保持在旋转工作台上；喷涂工序，使保持有晶片的旋转工作台以第一旋转速度旋转，并在晶片的加工面上呈雾状地涂布液态树脂；液态树脂供给工序，使保持有实施了上述喷涂工序的晶片的旋转工作台以比上述第一旋转速度慢的第二旋转速度旋转，并向晶片的加工面的中央区域滴下预定量的液态树脂；以及旋涂工序，在实施了上述液态树脂供给工序后，使保持有晶片的旋转工作台以比上述第一旋转速度快的第三旋转速度旋转，以使供给到晶片的加工面上的液态树脂铺展。

【技术特征摘要】
JP 2008-11-25 2008-299536一种保护覆膜的覆盖方法，该保护覆膜的覆盖方法在晶片的加工面上覆盖由树脂形成的保护覆膜，其特征在于，上述保护覆膜的覆盖方法包括晶片保持工序，将晶片以加工面朝上的方式保持在旋转工作台上；喷涂工序，使保持有晶片的旋转工作台以第一旋转速度旋转，并在晶片的加工面上呈雾状地涂布液态树脂；液态树脂供给工序，使保持有实施了上述喷涂工序的晶片的旋转工作台以比上述第一旋转速度慢的第二旋转速度旋转，并向晶片的加工面的中央区域滴下预定量的液态树脂；以及旋涂工序，在实施了上述液态树脂供给工序后，使保持有晶片的旋转工作台以比上述第一旋转速度快的第三旋转速度旋转，以使供给到晶片的加工面上的液态树脂铺展。2. 根据权利要求1所述的保护覆膜的覆盖方法，其中，在上述喷涂工序中，涂布到晶片的加工面上的液态树脂的粘度为3 5厘泊，液态树脂的涂布量为0. 04 0. 06毫升/秒，液态树脂的涂...

【专利技术属性】
技术研发人员：北原信康，远藤智章，芥川幸人，
申请(专利权)人：株式会社迪思科，
类型：发明
国别省市：JP[日本]