保护膜的覆盖方法和保护膜覆盖装置制造方法及图纸

保护膜的覆盖方法和保护膜覆盖装置能在晶片的表面上无斑点且厚度均匀地覆盖由液态树脂形成的保护覆膜，并且能够减少液态树脂的使用量。上述方法在晶片的加工面上覆盖由树脂形成的保护覆膜，其包括：晶片保持工序，将晶片以加工面朝上的方式保持在旋转工作台上；喷涂工序，使保持有晶片的旋转工作台以第一旋转速度旋转，并在晶片的加工面上呈雾状地涂布液态树脂；液态树脂供给工序，使保持有实施了喷涂工序的晶片的旋转工作台以比第一旋转速度慢的第二旋转速度旋转，并向晶片的加工面的中央区域滴下预定量的液态树脂；和旋涂工序，在实施了液态树脂供给工序后，使保持有晶片的旋转工作台以比第一旋转速度快的第三旋转速度旋转，使供给到晶片的加工面上的液态树脂铺展。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及在半导体晶片或光器件晶片等晶片的表面上覆盖树脂保护膜的方法和保护膜覆盖装置。
技术介绍
在半导体器件制造工序中，在大致圆板形状的半导体晶片的表面上利用呈格 子状排列的被称为间隔道的分割预定线划分出多个区域，在该划分出的区域内形成 IC (integrated circuit :集成电路)、LSI (large-scaleintegration :大规模集成电路)、 液晶驱动器、闪存等器件。然后，通过将半导体晶片沿间隔道切断，来对形成有器件的区域 进行分割，从而制造出一个个器件。或者，光器件晶片在蓝宝石基板等的表面上利用呈格子 状地形成的间隔道划分出多个区域，并在该划分出的区域内形成有由氮化镓类化合物半导 体等层叠而成的光器件，将上述光器件晶片沿分割预定线分割成一个一个的发光二极管、 激光二极管等光器件，并广泛利用于电气设备。 作为将这样的半导体晶片或光器件晶片等晶片沿间隔道分割的方法，提出有以下 方法通过沿着形成于晶片的间隔道照射脉冲激光光线来形成激光加工槽，并沿着该激光 加工槽利用机械破断装置进行切断。(例如，参照专利文献1) 专利文献1 :日本特开平10-305420号公报 激光加工与切削加工相比能够提高加工速度，而且，即使是像蓝宝石那样的由硬度高的材料形成的晶片，也能够比较容易地进行加工。然而，当沿晶片的间隔道照射激光光线时，会产生如下所述的新的问题热能集中于被照射的区域从而产生碎屑(debris)，该碎屑附着在与电路连接的焊盘(bonding pad)等上从而使芯片的品质降低。 为了消除由上述碎屑引起的问题，提出了如下所述的激光加工方法在晶片的加工面上覆盖由聚乙烯醇(Polyvinyl Alcohol)等树脂形成的保护膜，穿过保护膜向晶片照射激光光线。(例如，参照专利文献2) 专利文献2 :日本特开2004-322168号公报 在上述专利文献2中公开了如下所述的旋涂法从树脂供给喷嘴向保持于旋转工 作台上的晶片的中心部滴下预定量的液态树脂，并使旋转工作台以例如3000rpm的旋转速 度旋转，由此将液态树脂覆盖在晶片的加工面上。然而，聚乙烯醇等液态树脂与晶片之间的 亲和性低，因而局部地散布有未覆盖保护膜的区域，难以在晶片的表面上覆盖厚度均匀的 保护膜。因此，由于如上所述旋转工作台以例如3000rpm的高速进行旋转，所以滴下至晶片 表面的液态树脂的99%飞散而被废弃。例如，当向直径为300mm的晶片的表面滴下30毫升 的聚乙烯醇、并使旋转工作台以3000rpm的旋转速度旋转15秒时，虽然在晶片的表面上形 成了厚度为5ym的保护膜，但是形成该保护膜的聚乙烯醇的量相对于向晶片表面滴下的 聚乙烯醇的量不超过1 % ，而供给的聚乙烯醇的99%都被废弃了 。
技术实现思路
本专利技术是鉴于上述事实而完成的，其主要的技术课题在于提供能够在晶片的表面 上无斑点且厚度均匀地覆盖由液态树脂形成的保护覆膜、并且能够减少液态树脂的使用量 的保护膜的覆盖方法和保护膜覆盖装置。 为了解决上述主要的技术课题，根据本专利技术，提供一种保护膜的覆盖方法，该保护 膜的覆盖方法在晶片的加工面上覆盖由树脂形成的保护膜，其特征在于，上述保护覆膜的 覆盖方法包括晶片保持工序，将晶片以加工面朝上的方式保持在旋转工作台上；喷涂工 序，使保持有晶片的旋转工作台以第一旋转速度旋转，并在晶片的加工面上呈雾状地涂布 液态树脂；液态树脂供给工序，使保持有实施了上述喷涂工序的晶片的旋转工作台以比上 述第一旋转速度慢的第二旋转速度旋转，并向晶片的加工面的中央区域滴下预定量的液态 树脂；以及旋涂工序，在实施了上述液态树脂供给工序后，使保持有晶片的旋转工作台以比 上述第一旋转速度快的第三旋转速度旋转，以使供给到晶片的加工面上的液态树脂铺展。 在上述喷涂工序中，涂布到晶片的加工面上的液态树脂的粘度为3 5厘泊，液态 树脂的涂布量为0. 04 0. 06毫升/秒，液态树脂的涂布时间为60 90秒，旋转工作台的 第一旋转速度为50 70rpm，在上述液态树脂供给工序中，供给到晶片的加工面上的液态 树脂的粘度为50 70厘泊，液态树脂的供给量为4 6毫升/秒，液态树脂的供给时间为 2 4秒，旋转工作台的第二旋转速度为5 15rpm，在上述旋涂工序中，旋转工作台的第三 旋转速度为400 600rpm，上述旋涂工序的实施时间为20 40秒。 此外，在实施了上述旋涂工序后，实施如下所述的干燥工序使保持有晶片的旋转 工作台以2000 3000rpm的旋转速度旋转干燥50 70秒。 此外，根据本专利技术，提供一种保护膜覆盖装置，该保护膜覆盖装置是在晶片的加工 面上覆盖由树脂形成的保护膜的装置，其特征在于，上述保护膜覆盖装置包括保持晶片的 旋转工作台；使上述旋转工作台旋转的旋转驱动单元；喷洒单元，其在保持于上述旋转工 作台的晶片上呈雾状地涂布液态树脂；以及液态树脂供给单元，其向保持于上述旋转工作 台的晶片的中央区域滴下液态树脂。 由于本专利技术所涉及的保护膜的覆盖方法包括上述喷涂工序、液态树脂供给工序以 及旋涂工序，通过在旋涂工序中实施上述喷涂工序，亲和性变得良好，因此既便使保持有晶 片的旋转工作台的旋转速度比上述现有方法的旋转速度慢，也能够在晶片的加工面上无斑 点且均匀地形成保护膜。因此，能够提高所供给的液态树脂的被使用于保护膜上的比率，能 够减少液态树脂的使用量。附图说明 图1是根据本专利技术而构成的激光加工机的立体图。 图2是将图1所示的激光加工机上装备的保护膜覆盖装置的一部分剖开进行表示 的立体图。 图3是表示图2所示的保护膜覆盖装置的旋转工作台定位在被加工物搬入和搬出 位置的状态的说明图。 图4是表示图2所示的保护膜覆盖装置的旋转工作台定位在作业位置的状态的说 明图。 图5是将构成图2所示的保护膜覆盖装置的喷洒单元的主要部分剖开进行表示的 结构图。 图6是将构成图2所示的保护膜覆盖装置的树脂液供给单元的主要部分剖开进行 表示的结构图。 图7是将图1所示的激光加工机上装备的清洗单元的一部分剖开进行表示的立体图。 图8是表示图7所示的清洗单元的旋转工作台定位在被加工物搬入和搬出位置的 状态的说明图。 图9是表示图7所示的清洗单元的旋转工作台定位在作业位置的状态的说明图。 图10是利用图1所示的激光加工机进行加工的作为被加工物的半导体晶片的立 体图。 图11是表示利用图1所示的激光加工机上装备的保护膜覆盖装置实施的喷涂工 序的说明图。 图12是表示利用图1所示的激光加工机上装备的保护膜覆盖装置实施的液态树 脂供给工序的说明图。 图13是利用图1所示的激光加工机上装备的保护膜覆盖装置覆盖了保护膜的作 为被加工物的半导体晶片的主要部分的放大剖视图。 图14是表示利用图1所示的激光加工机进行的激光光线照射工序的说明图。 图15是通过图14所示的激光光线照射工序而进行了激光加工的作为被加工物的半导体晶片的主要部分的放大剖视图。 标号说明 2 :外壳；3 :卡盘工作台；4 :激光光线照射单元；41 :激光光线振荡单元；42 :聚光 器；5 :摄像单元；6 :显示单元；7 :保护膜覆盖装置；71 :旋转工作台机构；711 :旋转工作 台；712 :电动机；72 :旋转工作本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种保护覆膜的覆盖方法，该保护覆膜的覆盖方法在晶片的加工面上覆盖由树脂形成的保护覆膜，其特征在于，上述保护覆膜的覆盖方法包括：晶片保持工序，将晶片以加工面朝上的方式保持在旋转工作台上；喷涂工序，使保持有晶片的旋转工作台以第一旋转速度旋转，并在晶片的加工面上呈雾状地涂布液态树脂；液态树脂供给工序，使保持有实施了上述喷涂工序的晶片的旋转工作台以比上述第一旋转速度慢的第二旋转速度旋转，并向晶片的加工面的中央区域滴下预定量的液态树脂；以及旋涂工序，在实施了上述液态树脂供给工序后，使保持有晶片的旋转工作台以比上述第一旋转速度快的第三旋转速度旋转，以使供给到晶片的加工面上的液态树脂铺展。

【技术特征摘要】
JP 2008-11-25 2008-299536一种保护覆膜的覆盖方法，该保护覆膜的覆盖方法在晶片的加工面上覆盖由树脂形成的保护覆膜，其特征在于，上述保护覆膜的覆盖方法包括晶片保持工序，将晶片以加工面朝上的方式保持在旋转工作台上；喷涂工序，使保持有晶片的旋转工作台以第一旋转速度旋转，并在晶片的加工面上呈雾状地涂布液态树脂；液态树脂供给工序，使保持有实施了上述喷涂工序的晶片的旋转工作台以比上述第一旋转速度慢的第二旋转速度旋转，并向晶片的加工面的中央区域滴下预定量的液态树脂；以及旋涂工序，在实施了上述液态树脂供给工序后，使保持有晶片的旋转工作台以比上述第一旋转速度快的第三旋转速度旋转，以使供给到晶片的加工面上的液态树脂铺展。2. 根据权利要求1所述的保护覆膜的覆盖方法，其中，在上述喷涂工序中，涂布到晶片的加工面上的液态树脂的粘度为3 5厘泊，液态树脂的涂布量为0. 04 0. 06毫升/秒，液态树脂的涂...

【专利技术属性】
技术研发人员：北原信康，远藤智章，芥川幸人，
申请(专利权)人：株式会社迪思科，
类型：发明
国别省市：JP[日本]