交流伺服驱动保护电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种交流伺服驱动保护电路，由单电源低阻高速带ＶＣＥ保护的ＩＧＢＴ（ＩＧ１）驱动电路构成。四个反向器（Ｕ９Ｃ、Ｕ９Ｄ、Ｕ９Ｅ、Ｕ９Ｆ）分别经过四个电阻后（Ｒ３０、Ｒ３１、Ｒ３２、Ｒ３３）连接，汇聚经过ＮＰＮ三极管（Ｑ４）和ＰＮＰ三极管（Ｑ５）构成的驱动功率推挽后接入ＩＧＢＴ（ＩＧ１）的门极；在其中的一个反向器（Ｕ９Ｃ）和电阻（Ｒ３０）之间，串联第一稳压管（Ｄ４）。本实用新型专利技术克服了现有技术价格较高，ＨＣＰＬ３１６Ｊ经常出现误动作，可靠性差的不足，能快速有效的对功率模块的过流保护，使功率器件的驱动保护大为简化，提高了系统的可靠性和扩展性，大大降低成本，可以广泛应用在电流保护上。（*该技术在2019年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及电流保护电路，具体涉及交流电伺服驱动保护电路。
技术介绍
目前国内大多数交流伺服驱动电路都是采用专用驱动芯片，原理主要基于自举电路的原理，电路虽然简单，但是不能对电流进行快速有效的保护，当过流时来不及及时关断驱动信号导致烧坏功率模块。而采用专用的IPM智能功率模块生产和维修成本都很高，过流保护也一般。交流伺服驱动一般都是小功率驱动电路门极驱动电流《2A，常见驱动方案是光耦驱动电路，主要有HCPL3120/PC923/TLP250和HCPL316J/PC929，上述光耦驱动主要缺点是价格较高，HCPL316J经常出现误动作，可靠性有待提高。
技术实现思路
本技术克服了现有技术的不足，提供交流电伺服驱动保护电路。 为解决上述的技术问题，本技术采用以下技术方案 交流伺服驱动保护电路，由单电源低阻高速带VCE保护的IGBT元件IG1驱动电路构成。四个反向器U9C、U9D、U9E、U9F分别经过四个电阻后R30、 R31 、 R32、 R33连接，汇聚经过NPN三极管Q4和PNP三极管Q5构成的驱动功率推挽后接入IGBT元件IG1的门极；在其中的一个反向器U9C和电阻R30之间，串联第一稳本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种交流伺服驱动保护电路，由单电源低阻高速带ＶＣＥ保护的ＩＧＢＴ（ＩＧ１）驱动电路构成，其特征在于四个反向器（Ｕ９Ｃ、Ｕ９Ｄ、Ｕ９Ｅ、Ｕ９Ｆ）分别经过四个电阻后（Ｒ３０、Ｒ３１、Ｒ３２、Ｒ３３）连接，汇聚经过ＮＰＮ三极管（Ｑ４）和ＰＮＰ三极管（Ｑ５）构成的驱动功率推挽后接入ＩＧＢＴ（ＩＧ１）的门极；在其中的一个反向器（Ｕ９Ｃ）和电阻（Ｒ３０）之间，串联第一稳压管（Ｄ４）。

【技术特征摘要】
一种交流伺服驱动保护电路，由单电源低阻高速带VCE保护的IGBT(IG1)驱动电路构成，其特征在于四个反向器(U9C、U9D、U9E、U9F)分别经过四个电阻后(R30、R31、R32、R33)连接，汇聚经过NPN三极管(Q4)和PNP三极管(Q5)构成的驱动功率推挽后接入IGBT(IG1)的门极；在其中的一个反向器(U9C)和电阻(R30)之间，串联第一稳压管(D4)。2. 根据权利要求1所述的交流伺服驱动保护电路，其特征在于所述的NPN三极管(Q4)的发射极和集电极之间先串联门极驱动电阻(RG)后，再IGBT(IG1)的发射极和门极之间并联稳压管(El)和放电电阻(R38)。3. 根据权利要求2所...

【专利技术属性】
技术研发人员：罗海明，
申请(专利权)人：成都广泰实业有限公司，
类型：实用新型
国别省市：90[中国|成都]