间苯二酚杯芳烃化合物、光致抗蚀剂基材及其组合物制造技术

本发明专利技术提供一种光致抗蚀剂组合物，该组合物含有用酸性水溶液洗涤并且用离子交换树脂处理后的、由下述通式（２）所示的感放射线性有机化合物构成的光致抗蚀剂基材；光酸发生剂或者光碱发生剂；以及猝灭剂；式中，Ａ为由下式所示的有机基团；Ｂ、Ｃ和Ｄ相互独立地为叔丁氧基羰基甲基、叔丁氧基羰基、或者由下式所示的有机基团；Ｐ为碳数６～２０的（ｒ＋１）价的芳香族基团，Ｑ为碳数４～３０的有机基团，ｒ为１～１０的整数，ｓ为０～１０的整数，Ｘ、Ｙ和Ｚ相互独立地为单键或者醚键，ｌ＋ｍ＋ｎ＝３或者８。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及新的间苯二酚杯芳烃化合物、以及在半导体等的电器 电 子领域和光学领域等中使用的光致抗蚀剂基材及其组合物。
技术介绍
利用远紫外线(Extream Ultra Violet、 EUV)或者电子射线的光刻 法，在半导体等的制造中，可用作为高生产率、高分辨率的微细加工方 法，现在人们要求开发一类在该方法中使用的高灵敏度、高分辨率的光 致抗蚀剂。在这些光刻法中使用的光致抗蚀剂，从所希望的微细图案的 生产率、分辨率等的观点考虑，必须提高其灵敏度。作为利用远紫外线进行超微细加工时所使用的光致抗蚀剂，可列举出 例如公知的利用KrF激光进行超微细加工时使用的化学增幅型聚羟基苯 乙烯系光致抗蚀剂。在该抗蚀剂中，已知可以达到50nm左右的微细加工。 然而，就该抗蚀剂而言，如果制备作为利用远紫外线的超微细加工的最 大优点的50nm以下尺寸的图案，则会产生低灵敏度、线边缘粗糙度大、 抗蚀剂放出气体多等的问题，因此，不能说已充分发挥出远紫外线本来 的性能。从这种背景出发，人们要求开发更高性能的光致抗蚀剂。鉴于这种要求，曾有人提出使用一种与其他的抗蚀剂化合物相比，光 酸发生剂为高浓度的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种光致抗蚀剂组合物，含有用酸性水溶液洗涤并且用离子交换树脂处理后的、由下述通式（２）所示的感放射线性有机化合物构成的光致抗蚀剂基材；光酸发生剂或者光碱发生剂；以及猝灭剂；　＊＊＊　（２）　式中，Ａ为由下式：　＊＊＊　 　所示的有机基团；　Ｂ、Ｃ和Ｄ相互独立地为叔丁氧基羰基甲基、叔丁氧基羰基、或者由下式所示的有机基团；　＊＊＊　Ｐ为碳数６～２０的（ｒ＋１）价的芳香族基团，Ｑ为碳数４～３０的有机基团，ｒ为１～１０的整数，ｓ为０～１０的整数 ，　Ｘ、Ｙ和Ｚ相互独立地为单键或者醚键，ｌ＋ｍ＋ｎ＝３或者８。

【技术特征摘要】
JP 2004-4-5 2004-111459;JP 2004-4-5 2004-1114601.一种光致抗蚀剂组合物，含有用酸性水溶液洗涤并且用离子交换树脂处理后的、由下述通式(2)所示的感放射线性有机化合物构成的光致抗蚀剂基材；光酸发生剂或者光碱发生剂；以及猝灭剂；式中，A为由下式所示的有机基团；B、C和D相互独立地为叔丁氧基羰基甲基、叔丁氧基羰基、或者由下式所示的有机基团；P为碳数6～20的(r+1)价的芳香族基团，Q为碳数4～30的有机基团，r为1～10的整数，s为0～10的整数，X、Y和Z相互独立地为单键或者醚键，l+m+n＝3或者8。2.根据权利要求l所述的光致抗蚀剂组合物，其中，上述由下式一O—Q /\ /s \ /r所示的有机基团为4一 (叔丁氧基羰基氧基)苄基、或者3， 5 — 二 (叔 丁氧基羰基氧基)苄基。3. —种光致抗蚀剂组合物，其中，含有用酸性水溶液洗涤并且用离子 交换树脂处理后的、由下述通式(2)所示的感放射线反应性有机化合物 构成的光致抗蚀剂基材；光酸发生剂或者光碱发生剂；以及猝灭剂；所述感放射线反应性有机化合物在室温下为无定形状态，分子的平均 直径为2nm以下，(2)式中，A为下式所示的有机基团;IopH c3B、 C和D相互独立地为感放射线性基团、对在放射线下呈活性的 发色团的作用具有反应性的基团、或者由下式所示的有机基团；Ar为被RO—和/或ROCO—取代的苯基或者萘基，R、 RO—和 ROCO—为感放射线性基团或者对在放射线下呈活性的发色团的作用 具有反应性的基团，X、 Y和Z相互独立地为单键或者醚键，l+m+n二2、 3、 4或者8。4.根据权利要求1或者3所述的光致抗蚀剂组合物，其中，上述放射 线为远紫外线或者电子射线。5. 根据权利要求1或者3所述的光致抗蚀剂组合物，其中，上述B、 C和D中，至少一个为氢原子，上述X、 Y和Z为醚键。6. 根据权利要求1或者3所述的光致抗蚀剂组合物，其中，上...

【专利技术属性】
技术研发人员：石井宏寿，大和田贵纪，芝崎祐二，上田充，
申请(专利权)人：出光兴产株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[]