【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及抗蚀剂组合物、使用该抗蚀剂组合物的抗蚀剂图案的形成 方法、用作该抗蚀剂组合物用产酸剂的新型化合物、用作该化合物的前体 的化合物以及该产酸剂。本专利技术要求2007年11月19日在日本提出的特愿2007—299527号、 2008年3年21日在日本提出的特愿2008—74466号以及2008年9月25 日在日本提出的特愿2008—246643号的优先权，在此引用其内容。
技术介绍
在光刻技术中进行如下工序例如在基板上形成由抗蚀剂材料形成的 抗蚀剂膜，利用形成了规定图案的掩模，用光、电子射线等放射线对该抗 蚀剂膜进行选择性曝光，实施显影处理，从而在上述抗蚀剂膜上形成规定 形状的抗蚀剂图案。将曝光后的部分向在显影液中溶解的特性转变的抗蚀 剂材料称为正型，将曝光后的部分向不溶于显影液的特性转变的抗蚀剂材 料称为负型。近年来，在半导体元件和液晶显示元件的制造中，随着光刻技术的进 步，图案的微细化发展迅速。作为微细化的方法，通常是使曝光光源的波长变短。具体而言，以往 采用以g线、i线为代表的紫外线，但现在已幵始采用KrF准分子激光或 ArF准分子激光来进行半导...
【技术保护点】
一种抗蚀剂组合物，其是含有在酸的作用下对碱显影液的溶解性发生改变的基材成分（Ａ）和通过曝光来产生酸的产酸剂成分（Ｂ）的抗蚀剂组合物，其特征在于， 所述产酸剂成分（Ｂ）含有由下述通式（ｂ１－１）表示的化合物形成的产酸剂（Ｂ１）， Ｘ－Ｑ↑［１］－Ｙ↑［１］－ＳＯ↓［３］↑［－］ Ａ↑［＋］ …（ｂ１－１） 式中，Ｑ↑［１］是２价连接基团或单键；Ｙ↑［１］是可具有取代基的亚烷基或可具有取代基的氟代亚烷基；Ｘ表示可具有取代基的碳原子数为３～３０的环式基，该环结 构中具有－ＳＯ↓［２］↑［－］键；Ａ↑［＋］是有机阳离子。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：川上晃也，濑下武广，内海义之，清水宏明，羽田英夫，中村刚，
申请(专利权)人：东京应化工业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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