光致酸生成剂、含它的光致抗蚀剂组合物及用其形成图案的方法技术

光致抗蚀剂组合物包含：约４％至约１０重量％的光致抗蚀剂树脂；约０．１％至约０．５重量％的光致酸生成剂，所述光致酸生成剂具有锍盐阳离子基团和含有羧基作为亲水部位的锍盐阴离子基团；和余量的溶剂。所述光致抗蚀剂组合物可以形成具有均匀外形的光致抗蚀剂图案。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术的示例性实施方案涉及光致酸生成剂(photoacid generators)、包含该光致酸生成剂的光致抗蚀剂组合物以及使用该光致抗蚀剂组合物形成图案的方法。例如，本专利技术的某些实施方案涉及能够用于在衬底上形成具有均匀外形(profile)的图案的光致酸生成剂、包含该光致酸生成剂的光致抗蚀剂组合物以及使用该光致抗蚀剂组合物形成图案的方法。
技术介绍
现在，具有更高集成度的半导体器件正处于高度需要之中。因此，正在对形成线宽等于或小于100nm的精细图案的方法进行积极的研究。可以使用具有光敏特性的光致抗蚀剂，通过光刻方法形成精细图案。 光刻方法典型地包括形成光致抗蚀剂膜的步骤、将光致抗蚀剂膜对准(aligning)/曝光的步骤和将光致抗蚀剂膜显影以形成光致抗蚀剂图案的步骤。在形成光致抗蚀剂膜的步骤中，将可以通过光改变其分子结构的光致抗蚀剂涂布在衬底上以形成光致抗蚀剂膜。在将光致抗蚀剂膜对准/曝光的步骤中，将具有电路图案的掩模在形成于衬底上的光致抗蚀剂膜上对准。之后，将具有掩模的电路图案的图像的光辐照在光致抗蚀剂膜上，以产生光化学反应。辐照导致光致抗蚀剂膜的曝光部分的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种光致酸生成剂，所述光致酸生成剂具有选自由下列化学式１、２、３和４表示的化合物中的锍盐阳离子基团和由下列化学式５表示且含有羧基作为亲水部位的锍盐阴离子基团，其中Ｒ↓［１］、Ｒ↓［２］、Ｒ↓［３］和Ｒ↓［４］独立地表示氢原子或含１至５个碳原子的烷基，ｎ表示１至３的自然数，并且Ｘ表示选自含４至１０个碳原子的环状基团、金刚烷基和含有氧原子的环庚基中的一个，　　　　＊＊＊。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：尹孝镇，权宁吉，金永虎，金导永，崔在喜，白世卿，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]