一种电子器件可靠性的检测方法及系统技术方案

本发明专利技术公开了一种电子器件可靠性的检测方法及系统，该方法包括建立电子器件的环境敏感参数与性能参数偏移量之间的预测模型，测量所述电子器件的环境敏感参数，根据所述电子器件的环境敏感参数测量值和所述预测模型预测所述电子器件的性能参数偏移量，由所述性能参数偏移量确定所述电子器件的可靠性，通过以上技术方案，能够实现快速无损地对电子器件进行逐个检测。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及电子设备领域，尤其涉及一种电子器件可靠性的检测方法及系统。
技术介绍
目前，电子器件可靠性的检测方法通常是将电子器件进行环境应力测试，即通过 对电子器件施加一定大小的环境应力，如温度、湿度、振动等，持续一段时候后，由环境应力 测试前后分别测试的性能参数的对比得到该电子器件的性能参数偏移量，与性能参数偏移 量目标值不符的电子器件被认为可靠性不佳，比如芯片，芯片是通讯终端设备完成射频、基 带等功能的器件，也是失效率较高的电子器件之一，随着对终端设备的可靠性要求越来越 高，对其内部芯片的可靠性要求也随之越来越高，目前，对芯片可靠性的检测通常采取环境 应力测试的方式。但是这一测试方式存在一些缺陷一是成本高，检测时间长，不利于及时 反馈测试结果，延长了研制和生产周期；二是环境应力测试本身具有破坏性，只能抽样评估 产品批次状态，难以逐个检测。
技术实现思路
本专利技术提供一种电子器件可靠性的检测方法及系统，能够实现快速无损地对电子 器件进行逐个检测。为解决上述技术问题，本专利技术采用以下技术方案一种电子器件可靠性的检测方法，包括建立电子器件的环境敏感参数与性能参数偏移量之间的预测模型；测量所述电子器件的环境敏感参数；根据所述电子器件的环境敏感参数测量值和所述预测模型预测所述电子器件的 性能参数偏移量，由所述性能参数偏移量确定所述电子器件的可靠性。由所述性能参数偏移量确定所述电子器件的可靠性具体为将所述电子器件的性 能参数偏移量与预设的性能参数偏移范围进行比较，如果所述电子器件的性能参数偏移量 超出所述性能参数偏移范围，则判定所述电子器件不可靠，如果所述电子器件的性能参数 偏移量未超出所述性能参数偏移范围，则判定所述电子器件为可靠。所述建立电子器件的环境敏感参数与性能参数偏移量之间的预测模型包括选取所述电子器件的一定数量的样品；测量所述一定数量样品的电子器件，得到环境敏感参数样本值，将所述一定数量 样品的电子器件进行环境应力测试，得到环境应力测试后性能参数偏移量样本值；根据所述环境敏感参数样本值以及性能参数偏移量样本值建立所述电子器件的 环境敏感参数与性能参数偏移量之间的预测模型。在建立所述预测模型之前，还包括判断所述环境敏感参数样本值以及性能参数偏 移量样本值是否服从正态分布，将服从正态分布的环境敏感参数样本值以及性能参数偏移 量样本值用于建立所述预测模型。所述预测模型为多元线性回归模型；所述多元线性回归模型为Hit = JT^ +圣,式 中K^t为所述电子器件的性能参数偏移量预测值，Xk为环境敏感参数测量值构成的矩阵G 为随机误差项0为系数向量，所述^、@由所述一定数量样品的电子器件的环境敏感参数 样本值以及性能参数偏移量样本值得到。所述系数向量万采用最小二乘估计法得出权利要求一种电子器件可靠性的检测方法，其特征在于，包括建立电子器件的环境敏感参数与性能参数偏移量之间的预测模型；测量所述电子器件的环境敏感参数；根据所述电子器件的环境敏感参数测量值和所述预测模型预测所述电子器件的性能参数偏移量，由所述性能参数偏移量确定所述电子器件的可靠性。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，由所述性能参数偏移量确定所述电子器件 的可靠性具体为将所述电子器件的性能参数偏移量与预设的性能参数偏移范围进行比 较，如果所述电子器件的性能参数偏移量超出所述性能参数偏移范围，则判定所述电子器 件不可靠，如果所述电子器件的性能参数偏移量未超出所述性能参数偏移范围，则判定所 述电子器件为可靠。3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述建立电子器件的环境敏感参数与性能 参数偏移量之间的预测模型包括选取所述电子器件的一定数量的样品；测量所述一定数量样品的电子器件，得到环境敏感参数样本值，将所述一定数量样品 的电子器件进行环境应力测试，得到环境应力测试后性能参数偏移量样本值；根据所述环境敏感参数样本值以及性能参数偏移量样本值建立所述电子器件的环境 敏感参数与性能参数偏移量之间的预测模型。4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，在建立所述预测模型之前，还包括判断所述 环境敏感参数样本值以及性能参数偏移量样本值是否服从正态分布，将服从正态分布的环 境敏感参数样本值以及性能参数偏移量样本值用于建立所述预测模型。5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述预测模型为多元线性回归模型；所述多 元线性回归模型为^it =Af+ 5 ,式中KJit为所述电子器件的性能参数偏移量预测值，Xk为 环境敏感参数测量值构成的矩阵G为随机误差项0为系数向量，所述^、g由所述一定数 量样品的电子器件的环境敏感参数样本值以及性能参数偏移量样本值得到。6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述系数向量万采用最小二乘估计法得出^ = (XrXr1XrA^式中X为所述一定数量样品的电子器件的环境敏感参数样本值构成的矩阵，Xt为X的 转置矩阵，&为所述一定数量样品的电子器件的性能参数偏移量样本值。7.如权利要求1至6任一所述的方法，其特征在于，所述电子器件为芯片。8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，所述环境敏感参数包括芯片的静态漏电流、 低频噪声电压中的一种或两种。9.如权利要求7所述的方法，其特征在于，所述性能参数偏移量包括芯片的输出电压 偏移量、电流特性偏移量、功耗偏移量中的一种或多种。10.一种电子器件可靠性的检测系统，其特征在于，包括模型建立单元、信息输入单元、 检测单元，所述模型建立单元用于建立电子器件的环境敏感参数与性能参数偏移量之间的 预测模型，所述信息输入单元用于输入电子器件的环境敏感参数测量值，所述检测单元用 于根据所述预测模型和所述电子器件的环境敏感参数测量值预测所述电子器件的性能参 数偏移量，并由所述性能参数偏移量确定所述电子器件的可靠性。11.如权利要求10所述的系统，其特征在于，所述信息输入单元还用于输入一定数量 样品的电子器件的环境敏感参数样本值以及所述一定数量样品的电子器件在环境应力测 试后的性能参数偏移量样本值，所述模型建立单元用于根据所述环境敏感参数样本值以及 性能参数偏移量样本值建立所述预测模型。全文摘要本专利技术公开了一种电子器件可靠性的检测方法及系统，该方法包括建立电子器件的环境敏感参数与性能参数偏移量之间的预测模型，测量所述电子器件的环境敏感参数，根据所述电子器件的环境敏感参数测量值和所述预测模型预测所述电子器件的性能参数偏移量，由所述性能参数偏移量确定所述电子器件的可靠性，通过以上技术方案，能够实现快速无损地对电子器件进行逐个检测。文档编号G01R31/28GK101975920SQ201010292129公开日2011年2月16日 申请日期2010年9月26日 优先权日2010年9月26日专利技术者张婧婧 申请人:中兴通讯股份有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：张婧婧，
申请(专利权)人：中兴通讯股份有限公司，
类型：发明
国别省市：94