【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种气相沉积设备及其基片承托装置。
技术介绍
1、目前的气相沉积设备中，尤其是金属气相化学沉积mocvd设备中，基片放置在反应腔内的托盘上，托盘下方设置加热器，加热器周围设置一环状保温套筒，保温套筒支撑托盘并带动托盘旋转。进行沉积操作时，加热器首先对托盘加热，托盘再对基片传热，保持基片表面温度的均匀性是保证工艺效果的一个重要因素。
2、在沉积工艺结束后，需要从反应腔中取出处理后的基片，再将新的待处理基片放入反应腔中，通常是利用机械手夹取托盘，将托盘和托盘上的基片整体从反应腔中取出后，从托盘上取走处理后的基片，再将新的待处理基片放置到托盘上，然后再次利用机械手将托盘和基片整体送入反应腔中。
3、为了便于机械手夹持，托盘的外边缘需要凸出在保温套筒的外侧，就导致了托盘的直径大于保温套筒的直径，而由于加热器处于保温套筒内，所以加热器无法直接对托盘的外边缘进行加热，造成托盘中心区域与外边缘存在温度差，容易造成托盘碎裂，缩短了托盘的使用寿命。并且托盘的温度不均会导致基片的受热不均，严重影响了基片的温度均匀性，导致基片良率下降。
4、此外，对于大尺寸的基片，对应的托盘尺寸也相应变得较大，托盘的重量很重，机械手夹持较重的托盘时容易抖动，甚至导致机械手变形，影响机械手的寿命。
5、这里的陈述仅提供与本技术有关的
技术介绍
，而并不必然地构成现有技术。
技术实现思路
1、本技术的目的在于提供一种气相沉积设备及其基片承托装置，提升了基片承托装置和基片
2、为了达到上述目的，本技术提供一种基片承托装置，所述基片承托装置用于气相沉积设备中，包含：
3、底座，所述底座包含顶板和套筒，所述顶板用于承托基片，所述套筒设置在所述顶板下方，用于支撑所述顶板；
4、基片承托环，其位于所述底座上，用于承托基片的边缘区域并实现基片的取放。
5、所述底座包含：
6、旋转驱动系统，其连接所述套筒，用于驱动所述底座旋转。
7、所述顶板和所述套筒是一体成型的，或者，所述顶板和所述套筒是分体设置的。
8、所述基片承托环具有基片承托部和夹持部，所述基片承托部位于所述基片承托环内侧，用于承托所述基片，所述夹持部位于所述基片承托环外侧，用于被机械手夹持。
9、所述底座上具有环形凹槽，用于容置所述基片承托环。
10、可选地，所述基片承托环的夹持部凸出于所述套筒的外壁。
11、可选地，所述基片承托环的夹持部的外壁被所述环形凹槽的内壁包裹。
12、所述基片承托装置还包含：顶升机构，所述顶升机构设置在所述底座内部，用于顶升所述基片承托环。
13、所述顶升机构包含：至少三个顶杆，以及连接所述顶杆的驱动装置。
14、所述底座上具有至少三个通孔，所述通孔的数量和位置均与所述顶杆的数量和位置相匹配，所述顶杆能够穿过所述通孔将所述基片承托环顶起。
15、所述顶板和所述套筒是分体设置的，所述套筒的内侧具有凸缘部，所述凸缘部用于承托所述顶板和所述基片承托环，所述通孔设置在所述凸缘部上。
16、所述通孔位于所述基片承托环的夹持部的下方。
17、本技术还提供一种气相沉积设备，包含：
18、反应腔，所述反应腔的腔壁上设置有基片进出口；
19、气体喷淋头，其设置在所述反应腔的顶部；
20、所述的基片承托装置，其设置在所述反应腔内；
21、加热设备，其设置在所述基片承托装置内部。
22、所述气体喷淋头至少具有反应气体分配管路和清洁气体分配管路。
23、所述清洁气体分配管路连接至外部清洁气体源，清洁气体为氯气。
24、所述反应腔的内壁上设置有防腐蚀涂层。
25、所述加热设备包含：设置在所述顶板下方的加热器和隔热板，所述隔热板位于所述加热器下方。
26、本技术采用基片承托环作为可移动部件来实现基片的取放，减轻了机械手的负重量，延长了机械手的使用寿命。取放基片时，顶板留在反应腔室中，因此在用清洁气体(如氯气)对反应腔进行清洁的同时，可以原位对顶板进行清洁。在一些实施例中，通过底座将基片承托环的底部和侧面完全包裹的方式，减少了基片承托环内外侧之间的温度差，提升了基片承托环的温度均匀性，降低了基片承托环裂缝或变形的风险。底座上的顶板作为固定部件，始终与套筒保持稳固接触，防止顶板在随套筒旋转的过程中发生错位和晃动，降低了基片在旋转过程中发生晃动的风险，最终提高了基片的温度均匀性。
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1.一种基片承托装置，所述基片承托装置用于气相沉积设备中，其特征在于，包含：
2.如权利要求1所述的基片承托装置，其特征在于，所述底座包含：
3.如权利要求1所述的基片承托装置，其特征在于，所述顶板和所述套筒是一体成型的，或者，所述顶板和所述套筒是分体设置的。
4.如权利要求3所述的基片承托装置，其特征在于，所述基片承托环具有基片承托部和夹持部，所述基片承托部位于所述基片承托环内侧，用于承托所述基片，所述夹持部位于所述基片承托环外侧，用于被机械手夹持。
5.如权利要求4所述的基片承托装置，其特征在于，所述底座上具有环形凹槽，用于容置所述基片承托环。
6.如权利要求5所述的基片承托装置，其特征在于，所述基片承托环的夹持部凸出于所述套筒的外壁。
7.如权利要求5所述的基片承托装置，其特征在于，所述基片承托环的夹持部的外壁被所述环形凹槽的内壁包裹。
8.如权利要求7所述的基片承托装置，其特征在于，所述基片承托装置还包含：顶升机构，所述顶升机构设置在所述底座内部，用于顶升所述基片承托环。
9.
10.如权利要求9所述的基片承托装置，其特征在于，所述底座上具有至少三个通孔，所述通孔的数量和位置均与所述顶杆的数量和位置相匹配，所述顶杆能够穿过所述通孔将所述基片承托环顶起。
11.如权利要求10所述的基片承托装置，其特征在于，所述顶板和所述套筒是分体设置的，所述套筒的内侧具有凸缘部，所述凸缘部用于承托所述顶板和所述基片承托环，所述通孔设置在所述凸缘部上。
12.如权利要求9-11任一所述的基片承托装置，其特征在于，所述通孔位于所述基片承托环的夹持部的下方。
13.一种气相沉积设备，其特征在于，包含：
14.如权利要求13所述的气相沉积设备，其特征在于，所述气体喷淋头至少具有反应气体分配管路和清洁气体分配管路。
15.如权利要求14所述的气相沉积设备，其特征在于，所述清洁气体分配管路连接至外部清洁气体源，清洁气体为氯气。
16.如权利要求13所述的气相沉积设备，其特征在于，所述反应腔的内壁上设置有防腐蚀涂层。
17.如权利要求13所述的气相沉积设备，其特征在于，所述加热设备包含：设置在所述顶板下方的加热器和隔热板，所述隔热板位于所述加热器下方。
...【技术特征摘要】
1.一种基片承托装置，所述基片承托装置用于气相沉积设备中，其特征在于，包含：
2.如权利要求1所述的基片承托装置，其特征在于，所述底座包含：
3.如权利要求1所述的基片承托装置，其特征在于，所述顶板和所述套筒是一体成型的，或者，所述顶板和所述套筒是分体设置的。
4.如权利要求3所述的基片承托装置，其特征在于，所述基片承托环具有基片承托部和夹持部，所述基片承托部位于所述基片承托环内侧，用于承托所述基片，所述夹持部位于所述基片承托环外侧，用于被机械手夹持。
5.如权利要求4所述的基片承托装置，其特征在于，所述底座上具有环形凹槽，用于容置所述基片承托环。
6.如权利要求5所述的基片承托装置，其特征在于，所述基片承托环的夹持部凸出于所述套筒的外壁。
7.如权利要求5所述的基片承托装置，其特征在于，所述基片承托环的夹持部的外壁被所述环形凹槽的内壁包裹。
8.如权利要求7所述的基片承托装置，其特征在于，所述基片承托装置还包含：顶升机构，所述顶升机构设置在所述底座内部，用于顶升所述基片承托环。
9.如权利要求8所述的基片承托装置，其特征在于，所述顶升机构包含：至少三个顶杆，以及连接...
【专利技术属性】
技术研发人员：王家毅，黄稳，姜勇，张昭，
申请(专利权)人：中微半导体设备上海股份有限公司，
类型：新型
国别省市：
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