一种气体分配件、气体输送装置和薄膜处理装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种气体分配件、气体输送装置和薄膜处理装置，该气体分配件内设置有气体扩散通道以及位于气体扩散通道外围的边缘进气通道，所述气体扩散通道包括一底面凸出于气体分配件底面的凹陷部，所述凹陷部将气体分配件底面下方的区域分割为内部区域和外围区域，所述凹陷部包括环绕内部区域的第一侧壁和第二侧壁，第一侧壁和第二侧壁上分别开设有进气通道以分别与内部区域和外围区域连通，边缘进气通道与外围区域连通。其优点是：该气体分配件通过气体扩散通道向内部区域输送工艺气体，并通过气体扩散通道和边缘进气通道同时向外围区域输送工艺气体，有效地补偿了边缘气流衰减效应，保证了工艺气体的流动和分布均匀性以及高流速状态的维持。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体设备领域，具体涉及一种气体分配件、气体输送装置和薄膜处理装置。

技术介绍

1、在半导体器件的制造过程中，常采用等离子体刻蚀、物理气相沉积、化学气相沉积等工艺方式对半导体工艺件或晶圆衬底进行微加工。微加工制造工艺通常在真空反应腔内进行，向真空反应腔内通入工艺气体，通过外界输入能量激活工艺气体，进而对半导体工艺件或晶圆衬底的表面进行工艺处理。

2、随着半导体技术的蓬勃发展以及器件集成度的日益提高，芯片的尺寸越做越低，为了保证芯片的质量，对半导体的工艺要求也越来越严格。薄膜处理装置虽经多次更新换代，性能得到极大提升，但在薄膜处理均匀性方面仍存在诸多不足，尤其是随着晶圆尺寸的日益增大，现有的气相处理方法和设备已难以满足薄膜处理的均匀性要求。

3、在晶圆处理过程中，多种工艺条件都会对晶圆表面处理的质量造成影响，例如反应腔内工艺气体的流动和分布情况、工艺气体的温度分布情况、晶圆的加热温度场情况以及反应腔内的压力分布情况等，它们直接决定了晶圆加工生产的质量。若反应腔内反应区域的工艺环境不完全一致，会造成晶圆表面处理效果不均匀的本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种气体分配件，其特征在于，

2.如权利要求1所述的气体分配件，其特征在于，

3.如权利要求2所述的气体分配件，其特征在于，

4.如权利要求3所述的气体分配件，其特征在于，

5.如权利要求4所述的气体分配件，其特征在于，

6.如权利要求3所述的气体分配件，其特征在于，

7.如权利要求3所述的气体分配件，其特征在于，

8.如权利要求7所述的气体分配件，其特征在于，

9.如权利要求7所述的气体分配件，其特征在于，

10.如权利要求3所述的气体分配件，其特征在于，

11....

【技术特征摘要】

1.一种气体分配件，其特征在于，

2.如权利要求1所述的气体分配件，其特征在于，

3.如权利要求2所述的气体分配件，其特征在于，

4.如权利要求3所述的气体分配件，其特征在于，

5.如权利要求4所述的气体分配件，其特征在于，

6.如权利要求3所述的气体分配件，其特征在于，

7.如权利要求3所述的气体分配件，其特征在于，

8.如权利要求7所述的气体分配件，其特征在于，

9.如权利要求7所述的气体分配件，其特征在于，

10.如权利要求3所述的气体分配件，其特征在于，

11.如权利要求2所述的气体分配件，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：龚岳俊，李雪子，
申请(专利权)人：中微半导体设备上海股份有限公司，
类型：发明
国别省市：