【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及门板密封相关，具体涉及一种半导体化学气相沉积设备的具有密封补偿功能的门板。
技术介绍
1、化学气相沉积过程分为三个重要阶段：反应气体向基体表面扩散、反应气体吸附于基体表面、在基体表面上发生化学反应形成固态沉积物及产生的气相副产物脱离基体表面；最常见的化学气相沉积反应有:热分解反应、化学合成反应和化学传输反应等；通常沉积tic或tin，是向850～1100℃的反应室通入ticl4，h2，ch4等气体，经化学反应，在基体表面形成覆层；进而在半导体化学气相沉积过程中需要将半导体化学气相沉积设备进行密封处理，常见的半导体化学气相沉积密封采用的是在反应箱及其门板上设置对应的气相沉积炉硅胶条，通过硅胶条完成密封工作，但硅胶条长时间使用后，将会因干燥等原因，自主的进行收缩，进而降低了密封门板的密封性，对反应箱内的半导体的气相沉积覆膜造成影响。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于针对现有技术的缺陷和不足，提供一种半导体化学气相沉积设备的具有密封补偿功能的门板。
2、本专利技术所述的一种半导体化学气相沉积设备的具有密封补偿功能的门板，它包括反应箱，该反应箱内设置有一端贯通的反应腔，该反应腔内设置有支撑架，该支撑架顶部设置有用于承托半导体材料的反应台；所述的反应箱两侧对称设置有用于向反应腔内导入反应气体的气体管道，该反应箱开口端端面上下两端镜像开设有沿其长度方向布置的第二滑槽，该第二滑槽的一端端面上部开设有第一滑槽，两个第二滑槽内设置有镜像的第一密封组件；所述的反应箱开口
3、进一步地，所述的第二滑槽与反应腔之间设置有开设在反应箱内的第一滑动空腔，该第一滑动空腔通过第四通槽与反应腔贯通相接；所述的第四滑槽与反应腔之间设置有开设在反应箱内的第三滑动空腔，该第三滑动空腔通过第三通槽与反应腔贯通相接；所述的第三滑槽与反应腔之间设置有开设在反应箱内的第二滑动空腔，该第二滑动空腔通过第二通槽与反应腔贯通相接。
4、进一步地，所述的密封门板与第二连接条对应的一侧开设于前后贯通的第一通槽，该第一通槽上下两端对称安装有第一连接轴，该第一连接轴上安装有与其同心的第一齿轮，两个第一连接轴相近的一端均沿其轴向开设有对接槽，两个对接槽分别与对称安置于第二连接条上下两端的第二连接轴转动连接配合。
5、进一步地，所述的第一密封组件包括若干安置于第二滑槽内的且沿其高度方向布置的第一传动轴，该第一传动轴通过轴承座与第二滑槽转动连接配合，该第一传动轴均设置有第二齿轮，若干个第二齿轮均与第三齿条板啮合传动，该第三齿条板位于第二齿轮与第二滑槽内壁之间，该第三齿条板通过其与第二滑槽内壁的一端设置的第一t形滑条与第二滑槽内沿其长度方向开设的第一t形滑槽滑动连接配合；位于与第三滑槽位置相近的一个第一传动轴上安装有与其同心的第三齿轮，该第三齿轮与第一滑槽位置对应；所述的第一传动轴内设置有与其同心的第一螺杆，该第一螺杆与第一传动轴螺纹旋接配合，若干第一螺杆均延伸至第一滑动空腔内与第一顶推板相接，该第一顶推板与第一滑动空腔滑动连接配合，该第一顶推板与第一螺杆相对的一端安装有界面为梯形的第一硅胶条，该第一硅胶条可通过第四通槽进入反应腔内，该第一硅胶条与第四通槽过盈滑动配合。
6、进一步地，所述的第二密封组件包括安置于第四滑槽内的且沿其高度方向布置的第三传动轴，该第三传动轴通过轴承座与第四滑槽转动连接配合，该第三传动轴上设置有与其同心的第六齿轮，该第六齿轮与第一齿轮啮合传动；所述的第三传动轴上设置有与其同心的第六齿轮，该第六齿轮一侧设置有与其啮合的第五齿条板，该第五齿条板位于与反应箱开口端端壁相近的一端；所述的第五齿条板上设置有沿其长度方向布置的第三t形滑条，该第三t形滑条与第四滑槽上开设的第三t形滑槽滑动连接配合；两个所述的第三t形滑条的一端均延伸至第三滑动空腔内与第三顶推板对接，该第三顶推板与第三t形滑条相对的一侧安装有截面为梯形的第三硅胶条，该第三硅胶条可通过第三通槽进入反应腔内，该第三硅胶条与第三通槽之间为过盈滑动配合。
7、进一步地，所述的第三密封组件包括安置于第三滑槽内的且沿其高度方向布置的第二传动轴，该第二传动轴上设置有与其同心的两个呈对称设置的第四齿轮，该第二传动轴上设置有两个与其同心的对称设置的第五齿轮，两个第五齿轮位于两个第四齿轮之间；所述的第四齿轮与第三滑槽内壁之间设置有第四齿条板，该第四齿条板与第四齿轮啮合传动，该第四齿条板通过其端面处的沿其长度方向布置的第二t形滑条与第三滑槽内壁上开设的第二t形滑槽滑动连接配合，两个所述的第四齿条板的一端均延伸至第二滑动空腔内与第二顶推板对接，该第二顶推板与第四齿条板相对的一端安装有第二硅胶条，该第二硅胶条可通过第二通槽进入反应腔内，该第二硅胶条与第二通槽为过盈滑动配合。
8、进一步地，所述的反应箱与第三滑槽相近的一侧侧壁上安装有沿其高度方向布置的且与反应箱开口端面相近的第一连接条，该第一连接条上下两端通过铰轴与第一连接板转动连接配合，该第一连接板与第一连接条相对的一端朝向密封门板方向弯折出第二连接板，该第二连接板与第一连接板相对的一端朝向反应箱的方向弯折出第三连接板，该第三连接板与第一连接板呈平行设置，该第三连接板与第一连接板对应的一端安装有沿其高度方向布置的卡接头。
9、进一步地，所述的密封门板与反应箱对应的一端端面处设置有上下对称的第一齿条板，该第一齿条板可与第三齿轮啮合传动；所述的密封门板端面处与第一通槽相对的一侧安装有可与第五齿轮啮合传动的第二齿条板；所述的第一齿条板及第二齿条板均呈弯曲布置；所述的密封门板与反应箱相对的一端端面处与第一连接条相近的一侧安装有卡接块，该卡接块与第一连接条相对的一侧开设有可与卡接头卡接配合的卡接槽。
10、采用上述结构后，本专利技术有益效果为：它采用矩形密封台对反应箱进行密封的同时，在密封门板关闭时联动的通过第一密封组件、第二密封组件及第三密封组件将第一硅胶条、第二硅胶条及第三硅胶条向内挤压，通过对三组硅胶条进行挤压，进而避免了由于干燥等问题造成硅胶条收缩，进而使硅胶条不能够完成与矩形密封台紧密贴合的情况；同步的通过使三组硅胶条对矩形密封台的四面进行挤压，进而加强了硅胶条与矩形密封台之间的贴合度进而达到提高了密封门板的密封效果，保证了半导体元件的能够顺利的完成覆膜工作。
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1.一种半导体化学气相沉积设备的具有密封补偿功能的门板，其特征在于：它包括反应箱(1)，该反应箱(1)内设置有一端贯通的反应腔(10)，该反应腔(10)内设置有支撑架(12)，该支撑架(12)顶部设置有用于承托半导体材料的反应台(13)；所述的反应箱(1)两侧对称设置有用于向反应腔(10)内导入反应气体的气体管道(11)，该反应箱(1)开口端端面上下两端镜像开设有沿其长度方向布置的第二滑槽(15)，该第二滑槽(15)的一端端面上部开设有第一滑槽(14)，两个第二滑槽(15)内设置有镜像的第一密封组件；所述的反应箱(1)开口端端面一侧开设有上下对称的第四滑槽(21)，两个第四滑槽(21)内设置有镜像的第二密封组件，两个所述的第四滑槽(21)之间设置有安置于反应箱(1)开口端端面处的第二连接条(29)，该第二连接条(29)上设置有与其转动连接配合的密封门板(3)，该密封门板(3)与反应箱(1)对应的一端端面中部设置有矩形密封台(32)，该矩形密封台(32)上覆有硅胶密封层，该矩形密封台(32)竖直截面大小略小于反应腔(10)的竖直截面大小；所述的反应箱(1)与密封门板(3)的相接端面
2.根据权利要求1所述的一种半导体化学气相沉积设备的具有密封补偿功能的门板，其特征在于：所述的第二滑槽(15)与反应腔(10)之间设置有开设在反应箱(1)内的第一滑动空腔(17)，该第一滑动空腔(17)通过第四通槽(171)与反应腔(10)贯通相接；所述的第四滑槽(21)与反应腔(10)之间设置有开设在反应箱(1)内的第三滑动空腔(23)，该第三滑动空腔(23)通过第三通槽(231)与反应腔(10)贯通相接；所述的第三滑槽(18)与反应腔(10)之间设置有开设在反应箱(1)内的第二滑动空腔(20)，该第二滑动空腔(20)通过第二通槽(201)与反应腔(10)贯通相接。
3.根据权利要求1所述的一种半导体化学气相沉积设备的具有密封补偿功能的门板，其特征在于：所述的密封门板(3)与第二连接条(29)对应的一侧开设于前后贯通的第一通槽(35)，该第一通槽(35)上下两端对称安装有第一连接轴(36)，该第一连接轴(36)上安装有与其同心的第一齿轮(37)，两个第一连接轴(36)相近的一端均沿其轴向开设有对接槽(38)，两个对接槽(38)分别与对称安置于第二连接条(29)上下两端的第二连接轴(291)转动连接配合。
4.根据权利要求1所述的一种半导体化学气相沉积设备的具有密封补偿功能的门板，其特征在于：所述的第一密封组件包括若干安置于第二滑槽(15)内的且沿其高度方向布置的第一传动轴(4)，该第一传动轴(4)通过轴承座与第二滑槽(15)转动连接配合，该第一传动轴(4)均设置有第二齿轮(40)，若干个第二齿轮(40)均与第三齿条板(42)啮合传动，该第三齿条板(42)位于第二齿轮(40)与第二滑槽(15)内壁之间，该第三齿条板(42)通过其与第二滑槽(15)内壁的一端设置的第一T形滑条(43)与第二滑槽(15)内沿其长度方向开设的第一T形滑槽(16)滑动连接配合；位于与第三滑槽(18)位置相近的一个第一传动轴(4)上安装有与其同心的第三齿轮(41)，该第三齿轮(41)与第一滑槽(14)位置对应；所述的第一传动轴(4)内设置有与其同心的第一螺杆(44)，该第一螺杆(44)与第一传动轴(4)螺纹旋接配合，若干第一螺杆(44)均延伸至第一滑动空腔(17)内与第一顶推板(45)相接，该第一顶推板(45)与第一滑动空腔(17)滑动连接配合，该第一顶推板(45)与第一螺杆(44)相对的一端安装有界面为梯形的第一硅胶条(46)，该第一硅胶条(46)可通过第四通槽(171)进入反应腔(10)内，该第一硅胶条(46)与第四通槽(171)过盈滑动配合。
5.根据权利要求1所述的一种半导体化学气相沉积设备的具有密封补偿功能的门板，其特征在于：所述的第二密封组件包括安置于第四滑槽(21)内的且沿其高度方向布置的第三传动轴(6)，该第三传动轴(6)通过轴承座与第四滑槽(21)转动连接配合，该第三传动轴(6)上设置有与其同心的第六齿轮(60)，该第六齿轮(60)与第一齿轮(37)啮合传动；所述的第三传动轴(6)上设置有与其同心的第六齿轮(60)，该第六齿轮(60)一侧设置有与其啮合的第五齿条板(62)，该第五齿条板(62)位于与反应箱(1)开口端端壁相近的一端；所述的第五齿条板(62)上设置有沿其长度方向布置的第三T形滑条(63)，该第三T形滑条(6...
【技术特征摘要】
1.一种半导体化学气相沉积设备的具有密封补偿功能的门板，其特征在于：它包括反应箱(1)，该反应箱(1)内设置有一端贯通的反应腔(10)，该反应腔(10)内设置有支撑架(12)，该支撑架(12)顶部设置有用于承托半导体材料的反应台(13)；所述的反应箱(1)两侧对称设置有用于向反应腔(10)内导入反应气体的气体管道(11)，该反应箱(1)开口端端面上下两端镜像开设有沿其长度方向布置的第二滑槽(15)，该第二滑槽(15)的一端端面上部开设有第一滑槽(14)，两个第二滑槽(15)内设置有镜像的第一密封组件；所述的反应箱(1)开口端端面一侧开设有上下对称的第四滑槽(21)，两个第四滑槽(21)内设置有镜像的第二密封组件，两个所述的第四滑槽(21)之间设置有安置于反应箱(1)开口端端面处的第二连接条(29)，该第二连接条(29)上设置有与其转动连接配合的密封门板(3)，该密封门板(3)与反应箱(1)对应的一端端面中部设置有矩形密封台(32)，该矩形密封台(32)上覆有硅胶密封层，该矩形密封台(32)竖直截面大小略小于反应腔(10)的竖直截面大小；所述的反应箱(1)与密封门板(3)的相接端面处均覆有硅胶密封层，两个硅胶密封层可进行弹性补偿；所述的反应箱(1)开口端端面处与第四滑槽(21)相对的一端开设有沿其高度方向布置的第三滑槽(18)，该第三滑槽(18)内设置有第三密封组件。
2.根据权利要求1所述的一种半导体化学气相沉积设备的具有密封补偿功能的门板，其特征在于：所述的第二滑槽(15)与反应腔(10)之间设置有开设在反应箱(1)内的第一滑动空腔(17)，该第一滑动空腔(17)通过第四通槽(171)与反应腔(10)贯通相接；所述的第四滑槽(21)与反应腔(10)之间设置有开设在反应箱(1)内的第三滑动空腔(23)，该第三滑动空腔(23)通过第三通槽(231)与反应腔(10)贯通相接；所述的第三滑槽(18)与反应腔(10)之间设置有开设在反应箱(1)内的第二滑动空腔(20)，该第二滑动空腔(20)通过第二通槽(201)与反应腔(10)贯通相接。
3.根据权利要求1所述的一种半导体化学气相沉积设备的具有密封补偿功能的门板，其特征在于：所述的密封门板(3)与第二连接条(29)对应的一侧开设于前后贯通的第一通槽(35)，该第一通槽(35)上下两端对称安装有第一连接轴(36)，该第一连接轴(36)上安装有与其同心的第一齿轮(37)，两个第一连接轴(36)相近的一端均沿其轴向开设有对接槽(38)，两个对接槽(38)分别与对称安置于第二连接条(29)上下两端的第二连接轴(291)转动连接配合。
4.根据权利要求1所述的一种半导体化学气相沉积设备的具有密封补偿功能的门板，其特征在于：所述的第一密封组件包括若干安置于第二滑槽(15)内的且沿其高度方向布置的第一传动轴(4)，该第一传动轴(4)通过轴承座与第二滑槽(15)转动连接配合，该第一传动轴(4)均设置有第二齿轮(40)，若干个第二齿轮(40)均与第三齿条板(42)啮合传动，该第三齿条板(42)位于第二齿轮(40)与第二滑槽(15)内壁之间，该第三齿条板(42)通过其与第二滑槽(15)内壁的一端设置的第一t形滑条(43)与第二滑槽(15)内沿其长度方向开设的第一t形滑槽(16)滑动连接配合；位于与第三滑槽(18)位置相近的一个第一传动轴(4)上安装有与其同心的第三齿轮(41)，该第三齿轮(41)与第一滑槽(14)位置对应；所述的第一传动轴(4)内设置有与其同心的第一螺杆(44)，该第一螺杆(44)与第一传动轴(4)螺纹旋接配合，若干第一螺杆(44)均延伸至第一滑动空腔(17)内与第一顶推板(45)相接，该第一顶推板(45)与第一滑动空腔(17)滑动连接配合，该第一顶推板(45)与第一螺杆(44)相对的一端安装有界面为梯形的第一硅胶条(46)，该第...
【专利技术属性】
技术研发人员：武斌，盛伟，方童，
申请(专利权)人：亚赛无锡半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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