本实用新型专利技术提供一种气体均流喷淋装置,包括底座,其包括圆形的底板、设置于所述底板上的若干喷淋孔以及沿周向设置于所述底板外围的环形挡边;盖板,设置于所述底座远离所述底板的一面,所述盖板和所述环形挡边焊接连接,所述盖板和所述底座之间形成喷气腔;进气轴,设置于所述盖板的中心位置,所述进气轴连通所述喷气腔;挡片,设置于所述进气轴的输出端,所述挡片和所述盖板之间设置有间隙。等离子气体自所述进气轴进入,经过所述挡片阻挡,所述挡片对气体起到缓冲及均流的作用,然后气体进入所述喷气腔,从若干所述喷淋孔喷出,喷出的气体,均匀性好;该气体均流喷淋装置结构简单,可靠性高。靠性高。靠性高。
【技术实现步骤摘要】
一种气体均流喷淋装置
[0001]本技术涉及半导体生产设备领域,具体为一种气体均流喷淋装置。
技术介绍
[0002]在半导体设备的制造过程中,例如蚀刻、沉积、氧化、溅射等处理过程中,通常会利用等离子体对基片(半导体晶片、玻璃基片等)进行处理。目前使用的气体喷淋头,其流量较为不均匀,导致喷淋出的气体较为不均匀,影响基片的处理效果;此外,喷淋头的可靠性和使用寿命较难保障。
技术实现思路
[0003]本技术所解决的技术问题在于提供一种气体均流喷淋装置,以解决上述
技术介绍
中提出问题。
[0004]为实现上述目的,本技术提供如下技术方案:
[0005]一种气体均流喷淋装置,包括:
[0006]底座,其包括圆形的底板、设置于所述底板上的若干喷淋孔以及沿周向设置于所述底板外围的环形挡边;
[0007]盖板,设置于所述底座远离所述底板的一面,所述盖板和所述环形挡边焊接连接,所述盖板和所述底座之间形成喷气腔;
[0008]进气轴,设置于所述盖板的中心位置,所述进气轴连通所述喷气腔;
[0009]挡片,设置于所述进气轴的输出端,所述挡片和所述盖板之间设置有间隙。
[0010]进一步的是,所述进气轴的一端设置有环形的安装部以及沿周向设置于所述安装部上的多个连接柱,所述挡片与所述连接柱焊接连接。
[0011]进一步的是,所述盖板靠近所述底板的一面设置有与所述安装部配合的安装槽,所述安装部靠近所述底板的一面与所述盖板的内侧面平齐。
[0012]进一步的是,所述进气轴和所述盖板为一体式结构。
[0013]进一步的是,所述挡片呈圆形状,所述挡片和所述盖板之间的距离为所述挡片和所述底板之间距离的1/5至1/4。
[0014]进一步的是,所述底板和所述盖板之间设置有多个支撑柱,所述支撑柱和所述底板及所述盖板之间固定连接。
[0015]进一步的是,所述盖板上设置有多个定位槽,多个所述支撑柱分别位于多个所述定位槽中。
[0016]进一步的是,所述支撑柱与所述底板为一体式结构。
[0017]本技术的有益效果是:等离子气体自所述进气轴进入,经过所述挡片阻挡,所述挡片对气体起到缓冲及均流的作用,然后气体进入所述喷气腔,从若干所述喷淋孔喷出,喷出的气体,均匀性好;该气体均流喷淋装置结构简单,可靠性高。
附图说明
[0018]为了更清楚地说明本技术实施例的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍,下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0019]图1为本技术的气体均流喷淋装置的立体图;
[0020]图2为本技术的气体均流喷淋装置的主视图;
[0021]图3为本技术的气体均流喷淋装置的剖视结构示意图;
[0022]图中标记为:
[0023]底座1,底板11,环形挡边12,喷气腔13,
[0024]盖板2,支撑柱21,定位槽22,
[0025]进气轴3,安装部31,连接柱32,
[0026]挡片4。
具体实施方式
[0027]以下结合具体实施例对上述方案做进一步说明。应理解,这些实施例是用于说明本技术而不限于限制本技术的范围。实施例中采用的实施条件可以根据具体厂家的条件做进一步调整,未注明的实施条件通常为常规实验中的条件。
[0028]请参阅图1至图3,本技术提供一种气体均流喷淋装置,包括底座1、盖板2、进气轴3、挡片4。所述底座1包括圆形的底板11、设置于所述底板11上的若干喷淋孔以及沿周向设置于所述底板11外围的环形挡边12;所述盖板2设置于所述底座1远离所述底板11的一面,所述盖板2和所述环形挡边12焊接连接,所述盖板2和所述底座1之间形成喷气腔13;所述进气轴3设置于所述盖板2的中心位置,所述进气轴3连通所述喷气腔13;所述挡片4设置于所述进气轴3的输出端,所述挡片4和所述盖板2之间设置有间隙。等离子气体自所述进气轴3进入,经过所述挡片4阻挡,所述挡片4对气体起到缓冲及均流的作用,然后气体进入所述喷气腔13,从若干所述喷淋孔喷出,喷出的气体,均匀性好;该气体均流喷淋装置结构简单,可靠性高。
[0029]所述进气轴3的一端设置有环形的安装部31以及沿周向设置于所述安装部31上的多个连接柱32,所述挡片4与所述连接柱32焊接连接。焊接连接的方式,使得所述挡片4与所述连接柱32固定连接,成为一体式结构,结构可靠性高,不易因为高压等发生松弛和脱落,使用寿命长。
[0030]所述盖板2靠近所述底板1的一面设置有与所述安装部31配合的安装槽(未标注),所述安装部31靠近所述底板11的一面与所述盖板2的内侧面平齐。具体的,所述所述安装部31和所述底板11的交接处均由焊材固定连接,确保了密封性;此外,所述安装部31靠近所述底板11的一面与所述盖板2的内侧面平齐,避免了气体在所述喷气腔13与内壁发生不均匀的碰撞,从而确保了喷出的气体的均匀性。
[0031]所述进气轴3和所述盖板2为一体式结构。
[0032]所述挡片4呈圆形状,所述挡片4和所述盖板2之间的距离为所述挡片4和所述底板11之间距离的1/5至1/4。
[0033]所述底板11和所述盖板2之间设置有多个支撑柱21,所述支撑柱21和所述底板11及所述盖板2之间固定连接。
[0034]所述盖板2上设置有多个定位槽22,多个所述支撑柱21分别位于多个所述定位槽22中。多个所述支撑柱21连接在所述盖板2和所述底座1之间,起到支撑作用,避免了焊接时所述盖板2或者所述底座1发生变形,也提高了所述盖板2和所述底座1之间的结构可靠性。
[0035]所述支撑柱21与所述底板11为一体式结构。
[0036]在本说明书的描述中,参考术语“一个实施例”、“示例”、“具体示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本技术的至少一个实施例或示例中。在本说明书中,对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施例或示例。而且,描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。
[0037]上述实例只为说明本技术的技术构思及特点,其目的在于让熟悉此项技术的人是能够了解本技术的内容并据以实施,并不能以此限制本技术的保护范围。凡根据本技术精神实质所做的等效变换或修饰,都应涵盖在本技术的保护范围之内。
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【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种气体均流喷淋装置,其特征在于,包括:底座,其包括圆形的底板、设置于所述底板上的若干喷淋孔以及沿周向设置于所述底板外围的环形挡边;盖板,设置于所述底座远离所述底板的一面,所述盖板和所述环形挡边焊接连接,所述盖板和所述底座之间形成喷气腔;进气轴,设置于所述盖板的中心位置,所述进气轴连通所述喷气腔;挡片,设置于所述进气轴的输出端,所述挡片和所述盖板之间设置有间隙。2.根据权利要求1所述的气体均流喷淋装置,其特征在于:所述进气轴的一端设置有环形的安装部以及沿周向设置于所述安装部上的多个连接柱,所述挡片与所述连接柱焊接连接。3.根据权利要求2所述的气体均流喷淋装置,其特征在于:所述盖板靠近所述底板的一面设置有与所述安装部配合的安装槽,所述...
【专利技术属性】
技术研发人员:武斌,盛伟,方童,
申请(专利权)人:亚赛无锡半导体科技有限公司,
类型:新型
国别省市:
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