【技术实现步骤摘要】
一种气体均流喷淋装置
[0001]本技术涉及半导体生产设备领域,具体为一种气体均流喷淋装置。
技术介绍
[0002]在半导体设备的制造过程中,例如蚀刻、沉积、氧化、溅射等处理过程中,通常会利用等离子体对基片(半导体晶片、玻璃基片等)进行处理。目前使用的气体喷淋头,其流量较为不均匀,导致喷淋出的气体较为不均匀,影响基片的处理效果;此外,喷淋头的可靠性和使用寿命较难保障。
技术实现思路
[0003]本技术所解决的技术问题在于提供一种气体均流喷淋装置,以解决上述
技术介绍
中提出问题。
[0004]为实现上述目的,本技术提供如下技术方案:
[0005]一种气体均流喷淋装置,包括:
[0006]底座,其包括圆形的底板、设置于所述底板上的若干喷淋孔以及沿周向设置于所述底板外围的环形挡边;
[0007]盖板,设置于所述底座远离所述底板的一面,所述盖板和所述环形挡边焊接连接,所述盖板和所述底座之间形成喷气腔;
[0008]进气轴,设置于所述盖板的中心位置,所述进气轴连通所述喷气腔;
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【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种气体均流喷淋装置,其特征在于,包括:底座,其包括圆形的底板、设置于所述底板上的若干喷淋孔以及沿周向设置于所述底板外围的环形挡边;盖板,设置于所述底座远离所述底板的一面,所述盖板和所述环形挡边焊接连接,所述盖板和所述底座之间形成喷气腔;进气轴,设置于所述盖板的中心位置,所述进气轴连通所述喷气腔;挡片,设置于所述进气轴的输出端,所述挡片和所述盖板之间设置有间隙。2.根据权利要求1所述的气体均流喷淋装置,其特征在于:所述进气轴的一端设置有环形的安装部以及沿周向设置于所述安装部上的多个连接柱,所述挡片与所述连接柱焊接连接。3.根据权利要求2所述的气体均流喷淋装置,其特征在于:所述盖板靠近所述底板的一面设置有与所述安装部配合的安装槽,所述...
【专利技术属性】
技术研发人员:武斌,盛伟,方童,
申请(专利权)人:亚赛无锡半导体科技有限公司,
类型:新型
国别省市:
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