【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】具有径向变化等离子体阻抗的承载环
通过引用并入
[0001]PCT申请表作为本申请的一部分与本说明书同时提交。在同时提交的PCT申请表中所标识的本申请要求享有其权益或优先权的每个申请均通过引用全文并入本文且用于所有目的。
技术介绍
[0002]本公开内容涉及在处理室内处理期间支撑半导体晶片的承载环。
[0003]这里提供的背景描述是为了总体呈现本公开的背景的目的。当前指定的专利技术人的工作在其在此
技术介绍
部分以及在提交申请时不能确定为现有技术的说明书的各方面中描述的范围内既不明确也不暗示地承认是针对本公开的现有技术。
技术实现思路
[0004]在一个方面，提供了一种承载环，其包括多站等离子体处理系统，其中该系统包括：第一处理站，其包括第一组支撑特征，该第一组支撑特征被配置为当衬底在第一处理站被处理时在第一组位置处将衬底支撑在衬底的背面上；以及第二处理站，其包括第二组支撑特征，所述第二组支撑特征被配置成当在第二处理站处处理衬底时在第二组位置处将衬底保持在衬底背面上，其中第一组位置与第二组位置是非重叠的。
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【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种承载环，该承载环包括：外环，其形成介电材料并且具有接合特征；和由金属形成的内环，其中所述内环与所述外环的所述接合特征接合，并且其中所述内环被配置为在处理室内的处理期间支撑半导体晶片。2.根据权利要求1所述的承载环，其中所述介电材料包括陶瓷。3.根据权利要求1或2中任一项所述的承载环，其中所述金属包括铝。4.根据权利要求1或2中任一项所述的承载环，其中所述外环包括第一配合结构，其中所述内环包括第二配合结构，并且其中所述第一和第二配合结构彼此接合以保持所述内环和所述外环旋转对齐。5.根据权利要求4所述的承载环，其中，所述外环的所述第一配合结构和所述内环的所述第二配合结构被共同配置成防止所述外环相对于所述内环围绕轴线沿第一方向旋转，并且围绕所述轴线沿第二方向旋转。6.根据权利要求5所述的承载环，其中，所述第一配合结构包括在所述外环中的至少一个凹部，并且其中，所述第二配合结构包括在所述内环上的至少一个突起。7.根据权利要求1或2中任一项所述的承载环，其中，所述接合特征包括凸缘，并且其中，所述内环被配置为搁置在所述凸缘上。8.一种等离子体处理系统，其包括，喷淋基座；以及衬底支撑件，其中所述衬底支撑件包括：具有第一等离子体阻抗的内部部分，该内部部分被配置成以与所述喷淋基座间隔开的关系来保持衬底；以及具有第二等离子体阻抗的外部部分，所述第二等离子体阻抗不同于所述第一等离子体阻抗。9.根据权利要求8所述的等离子体处理系统，其中，所述衬底支撑件还包括具有第三等离子体阻抗的附加内部部分，其中所述第三等离子体阻抗不同于所述第一等离子体阻抗和所述第二等离子体阻抗，并且其中所述衬底支撑件被配置成使得所述内部部分能换成所述额外的内部部分，使得所述额外的内部部分而不是所述内部部分被配置成以与喷淋基座间隔开的关系保持所述衬底。10.根据权利要求8或9中任一项所述的等离子体处理系统，其中所述内部部分包括内环，其中所述外部部分包括外环，并且其中所述内环和所述外环各自包括一个或多个配合结构，所述配合结构被配置为保持所述内环和所述外环旋转对齐。11.根据权利要求10所述的等离子体处理系统，其中所述外环的所述一个或多个配合结构和所述内环的所述一个或多个配合结构被共同配置成防止所述外环相对于所述内环围绕轴线沿第一方向旋转和围绕所述轴线沿第二方向旋转。12.根...
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