一种基片承载装置、半导体处理设备及基片位置调节方法制造方法及图纸

技术编号:41141631 阅读:22 留言:0更新日期:2024-04-30 18:11
一种基片承载装置、半导体处理设备及基片位置调节方法,基片承载装置设置在半导体处理设备的反应腔内,其包含基座单元和位置调节装置,所述位置调节装置至少部分位于基座单元顶部开设的凹陷部中,所述位置调节装置的数量与所述凹陷部的数量相同;所述位置调节装置包含固定部和移动部,所述固定部与所述基座单元固定连接,所述移动部可容置于所述凹陷部并用于承托基片且可相对于所述基片承载装置移动。本发明专利技术用于调整基片与基座单元之间的对中性,从而保证基片边缘刻蚀区域的尺寸一致,提高刻蚀均匀性及对称性(S2S及uniformity),进而提高基片的良率,同时可降低对机械臂传输基片的精度要求。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种基片承载装置、半导体处理设备、及基片位置调节方法。


技术介绍

1、通常,半导体处理设备对基片进行处理时,机械手臂先将待处理基片传送入反应腔内,基片承载装置中的升降销上升,托起基片后机械手臂撤出,然后升降销带动基片一起下降,直至将待处理基片放置到基片承载装置上,后续可以展开对基片的处理工艺。但是由于机械手臂传输位置的精度,或者机械手臂随着使用期限变长而磨损等一些原因,导致基片放置在基片承载装置上的位置产生偏差,进而降低了基片与基片承载装置之间的对中性,对于例如边缘刻蚀之类的要求很高对中性的刻蚀工艺来说,会使基片边缘刻蚀区域的尺寸不一致,降低了基片的良率。

2、这里的陈述仅提供与本专利技术有关的
技术介绍
,而并不必然地构成现有技术。


技术实现思路

1、本专利技术的目的在于提供一种基片承载装置、半导体处理设备、及基片位置调节方法,在传送基片至基片承载装置时可以根据实际情况调整基片相对于基座单元的位置,以提高基片与基座单元之间的对中性,保证基片边缘刻蚀区域的尺寸一致,提高刻蚀均匀性及对称性本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种基片承载装置,设置在半导体处理设备的反应腔内,其特征在于,包含基座单元和位置调节装置,所述基座单元的顶部开设有至少一个凹陷部,所述位置调节装置的数量与所述凹陷部的数量相同;所述位置调节装置包含固定部和移动部,所述固定部与所述基座单元相对固定,所述移动部可容置于所述凹陷部,其中,所述移动部用于承托基片且可相对于所述基座单元在三维方向移动。

2.如权利要求1所述的基片承载装置,其特征在于,所述位置调节装置为三自由度压电惯性位移平台,其中,所述移动部为所述三自由度压电惯性位移平台的顶部,所述固定部为所述压电惯性位移平台的底部。

3.如权利要求1所述的基片承载装置...

【技术特征摘要】

1.一种基片承载装置,设置在半导体处理设备的反应腔内,其特征在于,包含基座单元和位置调节装置,所述基座单元的顶部开设有至少一个凹陷部,所述位置调节装置的数量与所述凹陷部的数量相同;所述位置调节装置包含固定部和移动部,所述固定部与所述基座单元相对固定,所述移动部可容置于所述凹陷部,其中,所述移动部用于承托基片且可相对于所述基座单元在三维方向移动。

2.如权利要求1所述的基片承载装置,其特征在于,所述位置调节装置为三自由度压电惯性位移平台,其中,所述移动部为所述三自由度压电惯性位移平台的顶部,所述固定部为所述压电惯性位移平台的底部。

3.如权利要求1所述的基片承载装置,其特征在于,所述位置调节装置由二自由度压电惯性位移平台和驱动组件组成,所述驱动组件包括安装部和致动部,并且所述致动部与所述二自由度压电惯性位移平台的底部连接以使所述二自由度压电惯性位移平台上下移动,其中,所述安装部作为所述位置调节装置的固定部,所述二自由度压电惯性位移平台的顶部作为所述位置调节装置的移动部。

4.如权利要求1所述的基片承载装置,其特征在于,所述凹陷部的数量具体为一个,且所述凹陷部开设于所述基座单元顶部的中心。

5.如权利要求2或3所述的基片承载装置,其特征在于,所述移动部包含支撑部。

6.如权利要求5所述的基片承载装置,其特征在于,所述凹陷部在所述基座单元顶部表面的尺寸大于所述支撑部表面对应的尺寸以允许所述移动部在所述凹陷部内左右、前后移动。

7.如权利要求6所述的基片承载装置,其特征在于,所述凹陷部在所述基座单元顶部表面的形状与所述支撑部表面的形状相同。

8.如权利要求7所述的基片承载装置,其特征在于,所述凹陷部在所述基座单元顶部表...

【专利技术属性】
技术研发人员:裴江涛连增迪倪图强
申请(专利权)人:中微半导体设备上海股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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