【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种基片承载装置、半导体处理设备、及基片位置调节方法。
技术介绍
1、通常，半导体处理设备对基片进行处理时，机械手臂先将待处理基片传送入反应腔内，基片承载装置中的升降销上升，托起基片后机械手臂撤出，然后升降销带动基片一起下降，直至将待处理基片放置到基片承载装置上，后续可以展开对基片的处理工艺。但是由于机械手臂传输位置的精度，或者机械手臂随着使用期限变长而磨损等一些原因，导致基片放置在基片承载装置上的位置产生偏差，进而降低了基片与基片承载装置之间的对中性，对于例如边缘刻蚀之类的要求很高对中性的刻蚀工艺来说，会使基片边缘刻蚀区域的尺寸不一致，降低了基片的良率。
2、这里的陈述仅提供与本专利技术有关的
技术介绍
，而并不必然地构成现有技术。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种基片承载装置、半导体处理设备、及基片位置调节方法，在传送基片至基片承载装置时可以根据实际情况调整基片相对于基座单元的位置，以提高基片与基座单元之间的对中性，保证基片边缘刻蚀区域的尺寸一致，提高刻蚀均匀性及对称性(s2s及uniformity)，进而提高基片的良率。
2、为了达到上述目的，本专利技术提供一种基片承载装置，设置在半导体处理设备的反应腔内，包含基座单元和位置调节装置，所述基座单元的顶部开设有至少一个凹陷部，所述位置调节装置的数量与所述凹陷部的数量相同；所述位置调节装置包含固定部和移动部，所述固定部与所述基座单元相对固定，所述移动部可容置于所述凹陷部，其中，所述移
3、可选地，所述位置调节装置为三自由度压电惯性位移平台，其中，所述移动部为所述三自由度压电惯性位移平台的顶部，所述固定部为所述压电惯性位移平台的底部。
4、可选地，所述位置调节装置由二自由度压电惯性位移平台和驱动组件组成，所述驱动组件包括安装部和致动部，并且所述致动部与所述二自由度压电惯性位移平台的底部连接以使所述二自由度压电惯性位移平台上下移动，其中，所述安装部作为所述位置调节装置的固定部，所述二自由度压电惯性位移平台的顶部作为所述位置调节装置的移动部。
5、优选地，所述凹陷部的数量具体为一个，且所述凹陷部开设于所述基座单元顶部的中心。
6、可选地，所述移动部包含支撑部。
7、可选地，所述凹陷部在所述基座单元顶部表面的尺寸大于所述支撑部表面对应的尺寸以允许所述移动部在所述凹陷部内左右、前后两个方向移动。
8、可选地，所述凹陷部在所述基座单元顶部表面的形状与所述支撑部表面的形状相同。
9、优选地，所述凹陷部在所述基座单元顶部表面的形状为矩形，且其边长比所述支撑部表面对应的边长长0.4mm。
10、可选地，所述凹陷部在所述基座单元顶部表面的形状、尺寸与所述支撑部表面对应的形状、尺寸相同。
11、本专利技术还提供一种半导体处理设备，包含：
12、反应腔；
13、设置在所述反应腔底部的所述的基片承载装置，用于在工艺过程中承载基片；
14、位置探测单元，其设置在所述反应腔内，用于探测所述基片的位置；
15、控制单元，根据所述位置探测单元的探测数据对所述基片的位置进行调节。
16、所述半导体处理设备包含升降销，其驱动所述基片升降。
17、本专利技术还提供一种半导体处理设备，包含：
18、反应腔；
19、设置在所述反应腔底部的所述的基片承载装置，用于在工艺过程中承载基片；
20、升降销，其驱动所述基片升降；
21、位置探测单元，其设置在所述反应腔内，用于探测所述基片的位置；
22、控制单元，根据所述位置探测单元的探测数据对所述基片的位置进行调节。
23、本专利技术还提供一种用于所述的半导体处理设备的基片位置调节方法，包含如下步骤：
24、在所述基片传输到所述反应腔时，所述移动部从初始位置向上运动托起所述基片；
25、所述位置探测单元探测所述基片的位置信息；
26、所述控制单元根据所述位置信息判断是否需要对所述基片的位置进行调节，若需要则控制所述移动部对基片的位置进行左右、前后方向调节，使基片调节至指定位置；
27、所述移动部下降，使所述基片放置于所述基座单元。
28、可选地，在所述位置探测单元探测所述基片的位置信息前，通过所述移动部的上下运动将所述基片移动在探测位置，所述探测位置为所述基片放置于所述基座单元上或者所述基片在所述基座单元的上方与所述基座单元间隔一定距离。
29、本专利技术还提供一种用于所述的半导体处理设备的基片位置调节方法，包含如下步骤：
30、在所述基片传输到所述反应腔时，所述升降销上升托起所述基片后将所述基片放置于所述基片承载装置；
31、所述位置探测单元探测所述基片的位置信息；
32、所述控制单元根据所述位置信息判断是否需要对所述基片的位置进行调节；
33、若需要，则所述移动部从初始位置向上运动托起所述基片；
34、所述控制单元根据所述位置信息控制所述移动部上升并对所述基片的位置进行左右、前后方向调节，使基片调节至指定位置；
35、所述移动部下降，使所述基片放置于所述基座单元。
36、可选地，在所述位置探测单元探测所述基片的位置信息前，所述升降销升托起所述基片后将所述基片放置于所述基座单元的上方与所述基座单元间隔一定距离。
37、本专利技术还提供一种用于所述的半导体处理设备的基片位置调节方法，包含如下步骤：
38、在所述基片传输到所述反应腔时，所述升降销上升托起所述基片；
39、所述位置探测单元探测所述基片的位置信息；
40、所述控制单元根据所述位置信息判断是否需要对所述基片的位置进行调节；
41、若需要，则所述移动部从初始位置向上运动托起所述基片；
42、所述控制单元根据所述位置信息控制所述移动部对基片进行左右、前后方向调节，使基片调节至指定位置；
43、所述移动部下降至复位调节位置，使所述基片放置于所述升降销；
44、所述移动部从所述复位调节位置移动到初始位置；
45、所述升降销下降使所述基片放置于所述基座单元。
46、在所述位置探测单元探测所述基片的位置信息前，所述升降销带动基片下降至探测位置，所述探测位置为所述基片放置于所述基座单元上或者所述基片在所述基座单元的上方与所述基座单元间隔一定距离。。
47、本专利技术可对传输到腔室的基片进行再定位，降低了对机械手臂传输精度的依赖，保证基片与基座单元之间的对中性，保证基片边缘刻蚀区域的尺寸一致，提高基片的良率。同时也可降低使用时间长后磨损等对精度的影响，延展了设备的维护周期，增加了设备使用寿命。
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1.一种基片承载装置，设置在半导体处理设备的反应腔内，其特征在于，包含基座单元和位置调节装置，所述基座单元的顶部开设有至少一个凹陷部，所述位置调节装置的数量与所述凹陷部的数量相同；所述位置调节装置包含固定部和移动部，所述固定部与所述基座单元相对固定，所述移动部可容置于所述凹陷部，其中，所述移动部用于承托基片且可相对于所述基座单元在三维方向移动。
2.如权利要求1所述的基片承载装置，其特征在于，所述位置调节装置为三自由度压电惯性位移平台，其中，所述移动部为所述三自由度压电惯性位移平台的顶部，所述固定部为所述压电惯性位移平台的底部。
3.如权利要求1所述的基片承载装置，其特征在于，所述位置调节装置由二自由度压电惯性位移平台和驱动组件组成，所述驱动组件包括安装部和致动部，并且所述致动部与所述二自由度压电惯性位移平台的底部连接以使所述二自由度压电惯性位移平台上下移动，其中，所述安装部作为所述位置调节装置的固定部，所述二自由度压电惯性位移平台的顶部作为所述位置调节装置的移动部。
4.如权利要求1所述的基片承载装置，其特征在于，所述凹陷部的数量具体为一个，
5.如权利要求2或3所述的基片承载装置，其特征在于，所述移动部包含支撑部。
6.如权利要求5所述的基片承载装置，其特征在于，所述凹陷部在所述基座单元顶部表面的尺寸大于所述支撑部表面对应的尺寸以允许所述移动部在所述凹陷部内左右、前后移动。
7.如权利要求6所述的基片承载装置，其特征在于，所述凹陷部在所述基座单元顶部表面的形状与所述支撑部表面的形状相同。
8.如权利要求7所述的基片承载装置，其特征在于，所述凹陷部在所述基座单元顶部表面的形状为矩形，且其边长比所述支撑部表面对应的边长长0.4mm。
9.如权利要求5所述的基片承载装置，其特征在于，所述凹陷部在所述基座单元顶部表面的形状、尺寸与所述支撑部表面对应的形状、尺寸相同。
10.一种半导体处理设备，其特征在于，包含：
11.如权利要求10所述的半导体处理设备，其特征在于，还包含升降销，其驱动所述基片升降。
12.一种半导体处理设备，其特征在于，包含：
13.一种用于如权利要求10所述的半导体处理设备的基片位置调节方法，其特征在于，包含如下步骤：
14.一种用于如权利要求13所述的半导体处理设备的基片位置调节方法，其特征在于，在所述位置探测单元探测所述基片的位置信息前，通过所述移动部的上下运动将所述基片移动在探测位置，所述探测位置为所述基片放置于所述基座单元上或者所述基片在所述基座单元的上方与所述基座单元间隔一定距离。
15.一种用于如权利要求11所述的半导体处理设备的基片位置调节方法，其特征在于，包含如下步骤：
16.一种用于如权利要求15所述的半导体处理设备的基片位置调节方法，其特征在于，在所述位置探测单元探测所述基片的位置信息前，所述升降销升托起所述基片后将所述基片放置于所述基座单元的上方与所述基座单元间隔一定距离。
17.一种用于如权利要求12所述的半导体处理设备的基片位置调节方法，其特征在于，包含如下步骤：
18.如权利要求15所述的基片位置调节方法，其特征在于，在所述位置探测单元探测所述基片的位置信息前，所述升降销带动基片下降至探测位置，所述探测位置为所述基片放置于所述基座单元上或者所述基片在所述基座单元的上方与所述基座单元间隔一定距离。
...【技术特征摘要】
1.一种基片承载装置，设置在半导体处理设备的反应腔内，其特征在于，包含基座单元和位置调节装置，所述基座单元的顶部开设有至少一个凹陷部，所述位置调节装置的数量与所述凹陷部的数量相同；所述位置调节装置包含固定部和移动部，所述固定部与所述基座单元相对固定，所述移动部可容置于所述凹陷部，其中，所述移动部用于承托基片且可相对于所述基座单元在三维方向移动。
2.如权利要求1所述的基片承载装置，其特征在于，所述位置调节装置为三自由度压电惯性位移平台，其中，所述移动部为所述三自由度压电惯性位移平台的顶部，所述固定部为所述压电惯性位移平台的底部。
3.如权利要求1所述的基片承载装置，其特征在于，所述位置调节装置由二自由度压电惯性位移平台和驱动组件组成，所述驱动组件包括安装部和致动部，并且所述致动部与所述二自由度压电惯性位移平台的底部连接以使所述二自由度压电惯性位移平台上下移动，其中，所述安装部作为所述位置调节装置的固定部，所述二自由度压电惯性位移平台的顶部作为所述位置调节装置的移动部。
4.如权利要求1所述的基片承载装置，其特征在于，所述凹陷部的数量具体为一个，且所述凹陷部开设于所述基座单元顶部的中心。
5.如权利要求2或3所述的基片承载装置，其特征在于，所述移动部包含支撑部。
6.如权利要求5所述的基片承载装置，其特征在于，所述凹陷部在所述基座单元顶部表面的尺寸大于所述支撑部表面对应的尺寸以允许所述移动部在所述凹陷部内左右、前后移动。
7.如权利要求6所述的基片承载装置，其特征在于，所述凹陷部在所述基座单元顶部表面的形状与所述支撑部表面的形状相同。
8.如权利要求7所述的基片承载装置，其特征在于，所述凹陷部在所述基座单元顶部表...
【专利技术属性】
技术研发人员：裴江涛，连增迪，倪图强，
申请(专利权)人：中微半导体设备上海股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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