【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体领域，具体涉及一种形成耐腐蚀保护层的方法、半导体零部件及半导体设备。
技术介绍
1、在等离子体处理工艺中，需要输送工艺气体至反应腔室。通常工艺气体需要用到腐蚀性气体，如氯气等。因此，用于等离子体处理设备的需要接触工艺气体的零部件易被具有腐蚀性的工艺气体腐蚀，需要具备耐工艺气体腐蚀的性能。
2、现有的用于等离子体处理设备的需要接触工艺气体且不接触等离子体的零部件的材质主要包含含铝材料，表面做阳极氧化层保护，以试图解决腐蚀性气体对零部件的腐蚀问题。但在实际应用过程中，发现长期暴露于腐蚀性工艺气体中的零部件仍然存在被腐蚀的问题。
技术实现思路
1、本专利技术的目的是提供一种形成耐腐蚀保护层的方法，解决腐蚀性气体对零部件的腐蚀问题，适用于需要暴露于腐蚀性气体环境中且不接触等离子体的半导体零部件及半导体设备。
2、为了达到上述目的，本专利技术提供了一种形成耐腐蚀保护层的方法，包含：
3、提供零部件本体，其包括待处理面；
4、提供第一前驱物和第二前驱物，所述第一前驱物包括聚四氟乙烯((简称ptfe，俗称：特氟龙))，第二前驱物包括聚偏二氟乙烯(简称pvdf)和聚醚醚酮(简称peek)中的至少一种，所述第一前驱物具有第一黏度，将所述第一前驱物和第二前驱物混匀，得到涂层浆料；
5、使所述涂层浆料均匀覆盖在所述待处理面，并经过加热使所述第一前驱物与第二前驱物发生化学键合，使所述涂层浆料具有第二黏度，所述第二黏度小于所述第
6、可选地，所述第一前驱物的形成方法包括：提供第一材料和第一溶剂；将所述第一材料溶解于所述第一溶剂中形成；所述第一溶剂包括：乙醇；所述第二前驱物的形成方法包括：提供第二材料和第二溶剂；将所述第二材料溶解于所述第二溶剂中形成；所述第二溶剂包括：二甲基甲酰胺(简称dmf)。
7、可选地，所述第一前驱物与第二前驱物的体积比为2:1～20:1，所述第一前驱物与第二前驱物的质量浓度比为1:10～1:30。
8、可选地，所述零部件本体还包括非待处理面；在所述待处理面上覆盖所述涂层浆料之前，还包括：在所述非待处理面上形成掩膜层；形成所述耐腐蚀保护层之后，还包括：去除所述掩膜层。
9、可选地，使所述涂层浆料均匀覆盖所述待处理面的方法为浸渍工艺，所述浸渍工艺包括：将所述零部件本体浸渍于所述涂层浆料中；从所述涂层浆料中取出所述零部件本体，静置至所述耐腐蚀保护层干燥；所述耐腐蚀保护层干燥后，将所述零部件本体置于一烘箱中烘干；在所述涂层浆料中浸渍的时间为：10分钟～30分钟。
10、可选地，所述零部件本体的待处理部包含孔洞结构，所述孔洞结构用于输送腐蚀性气体；所述腐蚀性气体包括：酸碱性气体；所述耐腐蚀保护层覆盖于所述孔洞结构的内表面。
11、可选地，使所述涂层浆料均匀覆盖所述孔洞结构的内表面的方法为流挂工艺，所述流挂工艺包括：将所述零部件本体浸入所述涂层浆料中，使所述涂层浆料充满所述孔洞结构；取出所述零部件本体，使涂层浆料流挂于所述孔洞结构的内表面。
12、可选地，使所述涂层浆料均匀覆盖所述待处理面的方法为喷涂工艺，所述喷涂工艺包括：提供一喷枪，所述喷枪内装有所述涂层浆料；利用所述喷枪向所述待处理面喷射涂层浆料形成所述耐腐蚀保护层。
13、可选地，所述加热的温度为：180℃～280℃。
14、本专利技术还提供了一种半导体零部件，其暴露于腐蚀性气体环境中且不接触等离子体，包含：
15、零部件本体；
16、通过上述的方法在所述零部件本体表面形成的耐腐蚀保护层。
17、可选地，所述半导体零部件具有孔洞结构，所述耐腐蚀保护层位于所述空洞结构的内表面；所述孔洞结构用于输送腐蚀性气体。
18、可选地，所述半导体零部件为管线内衬、石墨托盘及气体喷淋头安装基板中的至少一种。
19、本专利技术还提供了一种半导体设备，包含：反应腔；上述的半导体零部件。
20、可选地，所述半导体设备为电感耦合等离子体(icp)反应装置，所述半导体零部件为内衬，所述内衬内设有边缘气体通道，所述边缘气体通道的内壁设置有所述耐腐蚀保护层。
21、可选地，所述半导体设备为电容耦合等离子体(ccp)反应装置，零部件为安装基板，所述安装基板内设有气体通道，所述气体通道的内壁设置有所述耐腐蚀保护层。
22、可选地，所述半导体设备为mocvd(metal-organic chemical vapor deposition，金属有机化合物化学气相沉淀)装置，零部件为石墨托盘，所述石墨托盘内设有气体通道，所述气体通道的内壁设置有所述耐腐蚀保护层。
23、与现有技术相比，本专利技术的有益效果至少包含：
24、本专利技术技术方案提供的形成耐腐蚀保护层的方法中，由于引入了第二前驱物，降低了第一前驱物的第一黏度，即，第二前驱物与第一前驱物化学键合形成的涂层浆料的第二黏度小于所述第一黏度。涂层浆料黏度的降低，可避免半导体零部件的待处理面上覆盖涂层浆料产生的鼓泡、堵孔等缺陷，提高耐腐蚀保护层的质量。
25、因为采用第二材料溶于二甲基甲酰胺形成第二前驱物，所述第二前驱物能够有效提高第一材料在所述待处理面的附着力，提高了耐腐蚀保护层的质量。
26、因为第二前驱物的第二材料本身具有抗腐蚀性气体腐蚀的能力，尤其是耐酸性气体腐蚀，第二前驱物的加入不会降低涂层的耐腐蚀性能。且，第二材料的延展性要优于第一材料，所以，由第一前驱物与第二前驱物键合形成的耐腐蚀保护层的致密度明显高于第一材料形成的保护层，耐腐蚀性能提升。
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1.一种形成耐腐蚀保护层的方法，其特征在于，包含：
2.如权利要求1所述的形成耐腐蚀保护层的方法，其特征在于，所述第一前驱物的形成方法包括：提供第一材料和第一溶剂；将所述第一材料溶解于所述第一溶剂中形成；所述第一溶剂包括：乙醇；所述第二前驱物的形成方法包括：提供第二材料和第二溶剂；将所述第二材料溶解于所述第二溶剂中形成；所述第二溶剂包括：二甲基甲酰胺。
3.如权利要求2所述的形成耐腐蚀保护层的方法，其特征在于，所述第一前驱物与第二前驱物的体积比为2:1～20:1，所述第一前驱物与第二前驱物的质量浓度比为1:10～1:30。
4.如权利要求1所述的形成耐腐蚀保护层的方法，其特征在于，所述零部件本体还包括非待处理面；在所述待处理面上覆盖所述涂层浆料之前，还包括：在所述非待处理面上形成掩膜层；形成所述耐腐蚀保护层之后，还包括：去除所述掩膜层。
5.如权利要求1所述的形成耐腐蚀保护层的方法，其特征在于，使所述涂层浆料均匀覆盖所述待处理面的方法为浸渍工艺，所述浸渍工艺包括：将所述零部件本体浸渍于所述涂层浆料中；从所述涂层浆料中取出所述零部件本
6.如权利要求1所述的形成耐腐蚀保护层的方法，其特征在于，所述零部件本体的待处理部包含孔洞结构，所述孔洞结构用于输送腐蚀性气体；所述腐蚀性气体包括：酸碱性气体；所述耐腐蚀保护层覆盖于所述孔洞结构的内表面。
7.如权利要求6所述的形成耐腐蚀保护层的方法，其特征在于，使所述涂层浆料均匀覆盖所述孔洞结构的内表面的方法为流挂工艺，所述流挂工艺包括：将所述零部件本体浸入所述涂层浆料中，使所述涂层浆料充满所述孔洞结构；取出所述零部件本体，使涂层浆料流挂于所述孔洞结构的内表面。
8.如权利要求1所述的形成耐腐蚀保护层的方法，其特征在于，使所述涂层浆料均匀覆盖所述待处理面的方法为喷涂工艺，所述喷涂工艺包括：提供一喷枪，所述喷枪内装有所述涂层浆料；利用所述喷枪向所述待处理面喷射涂层浆料形成所述耐腐蚀保护层。
9.如权利要求5或7或8所述的形成耐腐蚀保护层的方法，其特征在于，所述加热的温度为：180℃～280℃。
10.一种半导体零部件，其暴露于腐蚀性气体环境中且不接触等离子体，
11.如权利要求10所述的半导体零部件，其特征在于，所述半导体零部件具有孔洞结构，所述耐腐蚀保护层位于所述空洞结构的内表面；所述孔洞结构用于输送腐蚀性气体。
12.如权利要求11所述的半导体零部件，其特征在于，所述半导体零部件为管线内衬、石墨托盘及气体喷淋头安装基板中的至少一种。
13.一种半导体设备，其特征在于，包含：反应腔；如权利要求10-12中任意一项所述的半导体零部件。
14.如权利要求13所述的半导体设备，其特征在于，所述半导体设备为电感耦合等离子体反应装置，所述半导体零部件为内衬，所述内衬内设有边缘气体通道，所述边缘气体通道的内壁设置有所述耐腐蚀保护层。
15.如权利要求13所述的半导体设备，其特征在于，所述半导体设备为电容耦合等离子体反应装置，零部件为安装基板，所述安装基板内设有气体通道，所述气体通道的内壁设置有所述耐腐蚀保护层。
16.如权利要求13所述的半导体设备，其特征在于，所述半导体设备为金属有机化合物化学气相沉淀装置，零部件为石墨托盘，所述石墨托盘内设有气体通道，所述气体通道的内壁设置有所述耐腐蚀保护层。
...【技术特征摘要】
1.一种形成耐腐蚀保护层的方法，其特征在于，包含：
2.如权利要求1所述的形成耐腐蚀保护层的方法，其特征在于，所述第一前驱物的形成方法包括：提供第一材料和第一溶剂；将所述第一材料溶解于所述第一溶剂中形成；所述第一溶剂包括：乙醇；所述第二前驱物的形成方法包括：提供第二材料和第二溶剂；将所述第二材料溶解于所述第二溶剂中形成；所述第二溶剂包括：二甲基甲酰胺。
3.如权利要求2所述的形成耐腐蚀保护层的方法，其特征在于，所述第一前驱物与第二前驱物的体积比为2:1～20:1，所述第一前驱物与第二前驱物的质量浓度比为1:10～1:30。
4.如权利要求1所述的形成耐腐蚀保护层的方法，其特征在于，所述零部件本体还包括非待处理面；在所述待处理面上覆盖所述涂层浆料之前，还包括：在所述非待处理面上形成掩膜层；形成所述耐腐蚀保护层之后，还包括：去除所述掩膜层。
5.如权利要求1所述的形成耐腐蚀保护层的方法，其特征在于，使所述涂层浆料均匀覆盖所述待处理面的方法为浸渍工艺，所述浸渍工艺包括：将所述零部件本体浸渍于所述涂层浆料中；从所述涂层浆料中取出所述零部件本体，静置至所述耐腐蚀保护层干燥；所述耐腐蚀保护层干燥后，将所述零部件本体置于一烘箱中烘干；在所述涂层浆料中浸渍的时间为：10分钟～30分钟。
6.如权利要求1所述的形成耐腐蚀保护层的方法，其特征在于，所述零部件本体的待处理部包含孔洞结构，所述孔洞结构用于输送腐蚀性气体；所述腐蚀性气体包括：酸碱性气体；所述耐腐蚀保护层覆盖于所述孔洞结构的内表面。
7.如权利要求6所述的形成耐腐蚀保护层的方法，其特征在于，使所述涂层浆料均匀覆盖所述孔洞结构的内表面的方法为流挂工艺，所述流挂工艺包括：将所述零部件本体浸入所述涂层浆料中，使所...
【专利技术属性】
技术研发人员：孙祥，李开元，钟楠，杜若昕，倪图强，
申请(专利权)人：中微半导体设备上海股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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