【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及沉积设备领域，尤其涉及一种气相沉积设备的承载组件及气相沉积设备。
技术介绍
1、化学气相沉积(cvd，chemical vapor deposition)是一种在基片表面生成膜层的技术，具体包括将含有膜层元素的气体输入反应腔中，通过在基片表面发生化学反应来生成膜层的工艺。近年来，随着led(light-emitting diode)的广泛应用，金属有机化学气相沉积(mocvd，metal-organic chemical vapor deposition)工艺越来越多的被使用。
2、在mocvd工艺中，通常需要将ⅲ族化合物气体和ⅴ族化合物气体输入到mocvd的反应腔内，利用基片托盘将基片加热到一定温度，使反应气体在基片表面发生化学反应生成ⅲ-ⅴ族化合物的膜层。其中为了获得足够的均匀性，需要同时控制托盘的加热温度和反应气体的流场均匀分布，加热温度通常需要在1000℃以上，为了每一片基片上不同区域的加热温度都尽量相同，需要谨慎设计基片托盘的结构，确保基片周围向其热辐射的结构在基片上对应区域叠加出大致相同的温度。
技术实现思路
1、为了解决上述技术问题，本专利技术提供一种气相沉积设备的承载组件，用于放置待处理的基片，包括：
2、托盘主体，其上沿周向排布多个盘位，所述托盘主体能够接收射频辐射产生感应电流来加热所述基片，所述盘位上设置有气槽，通过所述托盘主体中的气道与驱动气源连接；
3、圆盘形的子托盘，其可以活动放置于所述盘位上并绕所述子托盘
4、围绕所述子托盘设置有一够接收射频辐射产生感应电流来加热所述基片的环形台阶，所述环形台阶与所述子托盘侧壁之间存在间隙，所述环形台阶靠近所述子托盘的上表面配置为低于所述子托盘的上表面；
5、所述环形台阶设置于盖板上；
6、贯穿所述托盘主体和环形台阶且可在高位和低位之间移动的升降销，所述升降销的上表面至少部分的位于所述基片下，用于在取放基片时带动基片上下移动。
7、可选地，所述盘位设置有连接轴，所述连接轴的顶部与所述子托盘下方的中心连接。
8、可选地，所述气槽呈漩涡状排布。
9、可选地，所述升降销的上端形状为上宽下窄的锥台。
10、可选地，所述环形台阶上设置有供所述升降销活动的第一通道，所述通道的上端形状与所述锥台适配，使所述升降销移动到低位时，升降销的上表面等于或低于所述环形台阶的上表面。
11、可选地，所述升降销的下表面高于或等于所述托盘主体的下表面。
12、可选地，所述第一通道的下端为圆柱形的通孔，所述第一通道的下端的内径小于所述锥台的外径。
13、可选地，所述升降销沿所述环形台阶周向至少设置三个。
14、可选地，所述盖板通过定位销活动安装到所述托盘主体上。
15、可选地，所述子托盘的上表面设置有多个小凸台用于支撑所述基片。
16、可选地，所述主托盘、所述环形台阶和所述子托盘为石墨材质。
17、进一步地，本专利技术还提供了一种气相沉积设备的承载组件，包括：
18、托盘主体，其上沿周向排布多个盘位，所述托盘主体能够接收射频辐射产生感应电流来加热所述基片，所述盘位上设置有气槽，通过所述托盘主体中的气道与驱动气源连接；
19、圆盘形的子托盘，其可以活动放置于所述盘位上并绕所述子托盘的中心轴旋转，所述子托盘的上表面用于承载所述基片；
20、所述托盘主体上表面形成一围绕所述子托盘设置有一够接收射频辐射产生感应电流来加热所述基片的环形台阶，所述环形台阶与所述子托盘侧壁之间存在间隙，所述环形台阶靠近所述子托盘的上表面配置为低于所述子托盘的上表面；
21、贯穿所述托盘主体和环形台阶且可在高位和低位之间移动的升降销，所述升降销的上表面至少部分的位于所述基片下，用于在取放基片时带动基片上下移动。
22、进一步地，本专利技术还提供了一种气相沉积设备，包括：
23、反应腔；
24、位于所述反应腔内的如权利要求1-12任意一项的承载组件；
25、位于所述托盘主体下方的射频加热器，所述射频加热器包括至少一个盘绕的射频线圈，电连接到一个射频电源；
26、位于所述托盘主体上方的反应气体进气装置，用于向托盘上基片供应反应气体。
27、可选地，所述托盘主体可以绕其中心轴自转。
28、可选地，所述升降销运动到低位时，其下表面高于所述射频加热器的上表面。
29、可选地，还包括：位于所述盘位下方的升降板，所述升降板与驱动机构连接，可沿竖直方向运动，与所述升降销的下端接触，使所述升降销在高位和低位之间移动。
30、可选地，所述托盘主体中设置有容纳所述升降销的第二通道，所述升降板上设置有顶针，所述顶针可以随所述升降板一起运动插入所述第二通道推动所述升降销上升。
31、可选地，还包括：位于所述反应腔的侧壁上的传片口。
32、可选地，还包括：末端执行器，所述末端执行器通过传片口取放所述升降销上的基片。
33、本专利技术的优点在于：本专利技术提供了一种气相沉积设备的承载组件，应用于利用射频感应加热器的薄膜沉积工艺，通过提高基片周围环形台阶部件的的体积，来增加射频能量在该环形台阶中的热转化率，防止基片边缘温度过低造成的成膜不均匀，同时，在该环形台阶中设置升降销配合机械臂实现基片的取放；为了避免托盘旋转时，射频加热器对托盘上升降销的阻挡，将升降销设计成较短的隐藏进托盘的结构，并在升降板上设置顶针来顶起升降销，达到升降基片的目的；对于升降销的上端设计成颠倒的锥台形状与环形台阶上的升降通道配合，防止反应气体向下的泄漏；此外，为了实现更灵活的温度补偿调节，将环形台阶设置在与托盘主体可分离的盖板上，这样在面对不同工艺需求或者腔室内温度分布时，可以通过更换不同的盖板结构，令基片表面的温度分布更具有均一性；在子托盘上还设置有多个凸台减少基片背面与子托盘的热传导，增加热辐射升温的比重，进一步提高加热均匀性。
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1.一种气相沉积设备的承载组件，用于放置待处理的基片，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的气相沉积设备的承载组件，其特征在于，所述盘位设置有连接轴，所述连接轴的顶部与所述子托盘下方的中心连接。
3.如权利要求1所述的气相沉积设备的承载组件，其特征在于，所述气槽呈漩涡状排布。
4.如权利要求1所述的气相沉积设备的承载组件，其特征在于，所述升降销的上端形状为上宽下窄的锥台。
5.如权利要求4所述的气相沉积设备的承载组件，其特征在于，所述环形台阶上设置有供所述升降销活动的第一通道，所述通道的上端形状与所述锥台适配，使所述升降销移动到低位时，升降销的上表面等于或低于所述环形台阶的上表面。
6.如权利要求4所述的气相沉积设备的承载组件，其特征在于，所述升降销的下表面高于或等于所述托盘主体的下表面。
7.如权利要求5所述的气相沉积设备的承载组件，其特征在于，所述第一通道的下端为圆柱形的通孔，所述第一通道的下端的内径小于所述锥台的外径。
8.如权利要求1所述的气相沉积设备的承载组件，其特征在于，所述升降销
9.如权利要求1所述的气相沉积设备的承载组件，其特征在于，所述盖板通过定位销活动安装到所述托盘主体上。
10.如权利要求1所述的气相沉积设备的承载组件，其特征在于，所述子托盘的上表面设置有多个小凸台用于支撑所述基片。
11.如权利要求1所述的气相沉积设备的承载组件，其特征在于，所述主托盘、所述环形台阶和所述子托盘为石墨材质。
12.一种气相沉积设备的承载组件，其特征在于，包括：
13.一种气相沉积设备，其特征在于，包括：
14.如权利要求13所述的气相沉积设备，其特征在于，所述托盘主体可以绕其中心轴自转。
15.如权利要求13所述的气相沉积设备，其特征在于，所述升降销运动到低位时，其下表面高于所述射频加热器的上表面。
16.如权利要求15所述的气相沉积设备，其特征在于，还包括：位于所述盘位下方的升降板，所述升降板与驱动机构连接，可沿竖直方向运动，与所述升降销的下端接触，使所述升降销在高位和低位之间移动。
17.如权利要求16所述的气相沉积设备，其特征在于，所述托盘主体中设置有容纳所述升降销的第二通道，所述升降板上设置有顶针，所述顶针可以随所述升降板一起运动插入所述第二通道推动所述升降销上升。
18.如权利要求13所述的气相沉积设备，其特征在于，还包括：位于所述反应腔的侧壁上的传片口。
19.如权利要求18所述的气相沉积设备，其特征在于，还包括：末端执行器，所述末端执行器通过传片口取放所述升降销上的基片。
...【技术特征摘要】
1.一种气相沉积设备的承载组件，用于放置待处理的基片，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的气相沉积设备的承载组件，其特征在于，所述盘位设置有连接轴，所述连接轴的顶部与所述子托盘下方的中心连接。
3.如权利要求1所述的气相沉积设备的承载组件，其特征在于，所述气槽呈漩涡状排布。
4.如权利要求1所述的气相沉积设备的承载组件，其特征在于，所述升降销的上端形状为上宽下窄的锥台。
5.如权利要求4所述的气相沉积设备的承载组件，其特征在于，所述环形台阶上设置有供所述升降销活动的第一通道，所述通道的上端形状与所述锥台适配，使所述升降销移动到低位时，升降销的上表面等于或低于所述环形台阶的上表面。
6.如权利要求4所述的气相沉积设备的承载组件，其特征在于，所述升降销的下表面高于或等于所述托盘主体的下表面。
7.如权利要求5所述的气相沉积设备的承载组件，其特征在于，所述第一通道的下端为圆柱形的通孔，所述第一通道的下端的内径小于所述锥台的外径。
8.如权利要求1所述的气相沉积设备的承载组件，其特征在于，所述升降销沿所述环形台阶周向至少设置三个。
9.如权利要求1所述的气相沉积设备的承载组件，其特征在于，所述盖板通过定位销活动安装到所述托盘主体上。
10.如权利要求1所述的气相沉积设备...
【专利技术属性】
技术研发人员：张辉，王家毅，
申请(专利权)人：中微半导体设备上海股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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