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本发明公开了一种形成耐腐蚀保护层的方法、半导体零部件及半导体设备。该方法包含：提供零部件本体，其包括待处理面；提供第一前驱物和第二前驱物，所述第一前驱物包括聚四氟乙烯，第二前驱物包括聚偏二氟乙烯和聚醚醚酮中的至少一种，所述第一前驱物具有第一...
该专利属于中微半导体设备（上海）股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中微半导体设备（上海）股份有限公司授权不得商用。

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