本发明专利技术公开了一种等离子体约束装置及其等离子体处理装置，该等离子体约束装置包含多个环绕所述下电极组件依次排列的间隔件，所述间隔件呈环状，各个间隔件之间形成气体通道，所述间隔件包含一朝向所述下电极组件设置的内侧面和一顶面，至少一个间隔件的顶面包含一朝向所述下电极组件设置的反射面，所述反射面上所有位置到所述下电极组件的中心轴的距离均大于其内侧面上所有位置到所述下电极组件中心轴的距离。其优点是：该等离子体约束装置通过在其间隔件上设置反射面，有效地降低了等离子体湮灭所需的间隔件的高度，同时其还有效地提升了真空抽取装置对腔内气压的控制精度，实现了各工艺条件的协同最优调节，有助于保证晶圆的加工处理效果。
1、在半导体器件的制造过程中，常采用等离子刻蚀、物理气相沉积、化学气相沉积等工艺方式对半导体工艺件或晶圆衬底进行微加工。微加工制造的步骤中可以包含等离子体辅助工艺，这种工艺一般在真空反应腔内进行，其中，等离子体辅助工艺中的等离子体刻蚀工艺是将晶圆加工成设计图案的关键工艺。
2、真空反应腔内的等离子体刻蚀工艺的原理为向真空反应腔内通入工艺气体，通过输入射频能量以激活晶圆上方的工艺气体，来点燃和维持等离子体进而产生等离子体环境，从而对晶圆进行刻蚀。在等离子体处理进程中，为增大等离子体的自由程，通常采用真空抽取装置使真空反应腔处于真空状态(例如腔室内的气压小于100mtorr)，以使等离子体充满至整个腔室。但是等离子体具有较强的轰击能力，若其扩散至非反应区域(如下电极组件的部分零部件所在的区域)，可能会造成这些区域的零部件发生腐蚀或侵蚀，造成腔体内部的颗粒玷污或其他金属污染，缩短零部件的工作寿命，降低腔室的重复使用性能。如果不将等离子体约束在一定的工作区域内，带电粒子将撞击未被保护的区域，进而导致半导体晶圆表面杂质和污染。
3、基于上述问题，业界通常在竖直方向上设置等离子体约束组件，将等离子体尽可能地限制在上电极组件和下电极组件之间的反应区域，以保护非反应区域内的各零部件。但是随着工艺制程的进一步发展，对刻蚀设备的真空度提出了更高的要求，同时也对等离子体约束组件的等离子体约束及气流调节等能力提出了更高的要求。
>4、可以理解的是，上述陈述仅提供与本专利技术有关的
技术介绍
，而并不必然地构成现有技术。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种等离子体约束装置及其等离子体处理装置，该等离子体约束装置包含多个依次排列的间隔件，至少一个间隔件包含朝向下电极组件的内侧面和顶部的反射面，所述反射面上所有位置到所述下电极组件的中心轴的距离均大于其内侧面上所有位置到所述中心轴的距离。该等离子体约束装置通过其间隔件上的反射面有效地降低了等离子体湮灭所需要的气体通道的缝隙深度，极大地降低了在缝隙中的等离子的自由程，使得该等离子体约束装置在满足真空抽气需求的同时，增强了其对等离子体的限制能力，可实现各工艺条件的协同最优调节，有助于保证晶圆的处理效果。
2、为了达到上述目的，本专利技术通过以下技术方案实现：
3、一种用于等离子体处理装置的等离子体约束装置，所述等离子体处理装置包括真空反应腔，所述真空反应腔内设置有下电极组件，
4、所述等离子体约束装置设置于所述真空反应腔的腔体侧壁和所述下电极组件之间，所述等离子体约束装置包含多个环绕所述下电极组件依次排列的间隔件，所述间隔件呈环状，各个间隔件之间形成气体通道，所述间隔件包含一朝向所述下电极组件设置的内侧面和一顶面，至少一个间隔件的顶面包含一朝向所述下电极组件设置的反射面，所述反射面上所有位置到所述下电极组件的中心轴的距离均大于其内侧面上所有位置到所述下电极组件中心轴的距离。
5、可选的，所述间隔件的反射面包含斜切面。
6、可选的，所述斜切面与竖直方向的夹角范围为10°～50°。
7、可选的，所述间隔件的反射面包含凹型弧段结构。
8、可选的，所述间隔件的反射面包含多级台阶结构。
9、可选的，所述多级台阶结构的台阶为斜切面结构或平面结构或凹型弧段结构或凸形弧段结构中的至少一种。
10、可选的，所述间隔件的反射面包含波浪结构。
11、可选的，各相邻间隔件之间的间距相等或不相等。
12、可选的，靠近腔体侧壁处的相邻间隔件之间的间距大于靠近下电极组件处的相邻间隔件之间的间距。
13、可选的，靠近腔体侧壁处的相邻间隔件之间的间距为靠近下电极组件处的相邻间隔件之间的间距的两倍。
14、可选的，靠近下电极组件处的间隔件的斜切面与竖直方向的夹角大于远离下电极组件处的间隔件的斜切面与竖直方向的夹角。
15、可选的，相邻间隔件之间的间距范围为1.5毫米～4.5毫米。
16、可选的，所述间隔件的高度范围为15毫米～27毫米。
17、可选的，所述反射面在竖直方向的长度为所述间隔件高度的40％～70％。
18、可选的，所述间隔件的表面设置有耐等离子体腐蚀膜层。
19、可选的，所述耐等离子体腐蚀膜层包含特氟龙膜层或氧化钇膜层或阳极氧化层中的至少一种。
20、可选的，各个间隔件之间通过连接件连接。
21、可选的，各个间隔件与所述连接件一体成型。
22、可选的，一种等离子体处理装置，包含：
23、真空反应腔，所述真空反应腔内设置有下电极组件；
24、前述的等离子体约束装置，其位于所述真空反应腔内。
25、本专利技术与现有技术相比具有以下优点：本专利技术的一种等离子体约束装置及其等离子体处理装置中，该等离子体约束装置包含多个依次排列的间隔件，至少一个间隔件包含朝向下电极组件的内侧面和顶部的反射面，所述反射面上所有位置到所述下电极组件的中心轴的距离均大于其内侧面上所有位置到所述中心轴的距离。该等离子体约束装置通过其间隔件上的反射面有效地降低了等离子体湮灭所需要的气体通道的缝隙深度，极大地降低了缝隙中的等离子体的自由程，使得该等离子体约束装置在满足真空抽气需求的同时，增强了其对等离子体的限制能力，可实现各工艺条件的协同最优调节，有助于保证晶圆的处理效果。
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【技术保护点】
1.一种用于等离子体处理装置的等离子体约束装置，所述等离子体处理装置包括真空反应腔，所述真空反应腔内设置有下电极组件，其特征在于，
2.如权利要求1所述的等离子体约束装置，其特征在于，
3.如权利要求2所述的等离子体约束装置，其特征在于，
4.如权利要求1所述的等离子体约束装置，其特征在于，
5.如权利要求1所述的等离子体约束装置，其特征在于，
6.如权利要求5所述的等离子体约束装置，其特征在于，
7.如权利要求1所述的等离子体约束装置，其特征在于，
8.如权利要求1所述的等离子体约束装置，其特征在于，
9.如权利要求1所述的等离子体约束装置，其特征在于，
10.如权利要求1或9所述的等离子体约束装置，其特征在于，
11.如权利要求2所述的等离子体约束装置，其特征在于，
12.如权利要求1所述的等离子体约束装置，其特征在于，
13.如权利要求1所述的等离子体约束装置，其特征在于，
14.如权利要求1所述的等离子体约束装置，其特征在于，
15.如权利要求1所述的等离子体约束装置，其特征在于，
16.如权利要求15所述的等离子体约束装置，其特征在于，
17.如权利要求1所述的等离子体约束装置，其特征在于，
18.如权利要求17所述的等离子体约束装置，其特征在于，
19.一种等离子体处理装置，其特征在于，包含：
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【技术特征摘要】
1.一种用于等离子体处理装置的等离子体约束装置，所述等离子体处理装置包括真空反应腔，所述真空反应腔内设置有下电极组件，其特征在于，
2.如权利要求1所述的等离子体约束装置，其特征在于，
3.如权利要求2所述的等离子体约束装置，其特征在于，
4.如权利要求1所述的等离子体约束装置，其特征在于，
5.如权利要求1所述的等离子体约束装置，其特征在于，
6.如权利要求5所述的等离子体约束装置，其特征在于，
7.如权利要求1所述的等离子体约束装置，其特征在于，
8.如权利要求1所述的等离子体约束装置，其特征在于，
9.如权利要求1所述的等离子体约束装置，其特征在于，
【专利技术属性】
技术研发人员：宋靖鹏，王智昊，
申请(专利权)人：中微半导体设备上海股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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