【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及等离子体处理装置的，尤其涉及一种等离子体处理装置中的静电吸盘的。
技术介绍
1、等离子体处理装置广泛应用于集成电路的制造过程中，比如等离子体沉积、刻蚀等。其中电容耦合等离子体(capacitive coupled plasma，ccp)刻蚀设备是等离子体处理装置中的主流技术之一。
2、电容耦合等离子体刻蚀设备是一种由施加在极板上的射频电源通过电容耦合的方式在反应腔内产生等离子体并用于刻蚀的设备。其中射频电源通过基座下方的匹配网络施加到基座上，并经过基座上方的静电吸盘的功能层，传输至静电吸盘的介质层内的吸附电极。
3、目前的静电吸盘，出于对晶圆的处理需求，需要在静电吸盘的功能层中设置加热电极或其他种类的功能部件，从而使功能层的厚度越来越大，导致基座上表面和吸附电极下表面之间形成的等效电容也随之减小；射频电源发出的射频信号在经过功能层传输至介质层时，由于基座和介质层之间的等效电容较小，使得射频信号的电压衰减较大，引起射频信号在静电吸盘内部有较大的电压跌落，降低了射频信号的效率，从而不仅需要提高射频匹配网络的电压等级，还容易引起静电吸盘的电气击穿问题。
4、为了解决上述问题，需要提出一种不改变功能层的厚度，甚至在增大功能层的厚度的前提下，降低基座与介质层之间的等效电容的静电吸盘。
技术实现思路
1、本专利技术的目的是提出一种静电吸盘，解决由于静电吸盘的电容小、阻抗大，使得射频信号经过静电吸盘的功能层传输至介质层时的电压跌落大，射频传输效率
2、为实现上述目的，本专利技术提出了一种静电吸盘，设置在等离子体反应腔的基座上方，包括：
3、介质层，其内设置有吸附电极，用于在工艺过程中吸附所述介质层上表面放置的基片；
4、位于所述介质层和所述基座之间的功能层，所述功能层为绝缘材质，其内设置有电气部件；
5、所述功能层中还设有电容部件，该电容部件的一端与功能层上方的上金属表面电气连接，另一端与功能层下方的下金属表面电气连接；
6、其中，所述电容部件电容值大于所述功能层上下表面形成的等效电容值，使射频信号经过所述电容部件的阻抗小于经过所述功能层的阻抗。
7、可选的，所述电容部件的电容值为纳法级。
8、可选的，所述上金属表面为设置在所述功能层上表面的金属薄膜的下表面，所述下金属表面为设置在所述功能层下表面的金属薄膜的上表面。
9、可选的，所述上金属表面与所述吸附电极电气连接，所述下金属表面与所述基座电气连接。
10、可选的，所述上金属表面为所述吸附电极的下表面，所述下金属表面为所述基座的上表面；使所述电容部件的一端与所述吸附电极电气连接，另一端与所述基座电气连接。
11、可选的，所述功能层内设有多个与所述电气部件纵向不重叠的电容部件。
12、可选的，所述电容部件为竖向交叉电容器。
13、可选的，所述电容部件为间隔设置的多个电极片。
14、可选的，多个所述电极片纵向错开排列，形成插齿式电容器。
15、可选的，至少部分的相邻两个电极片之间采用电连接。
16、可选的，所述电气部件为加热电极。
17、可选的，所述介质层为陶瓷材质。
18、本专利技术还提出了一种等离子体处理装置，包括反应腔和至少一射频电源，所述反应腔包括基座和设置在所述基座上方的上述的静电吸盘；
19、所述静电吸盘内的吸附电极产生静电吸力，在对晶圆进行工艺处理过程中，该静电吸盘支撑固定待处理的晶圆；
20、所述射频电源发出的射频信号通过基座下方施加到基座上，再经过所述功能层传输至静电吸盘介质层中的吸附电极；
21、其中，所述功能层内设有电容部件，使射频信号经过该设有电容部件的功能层区域的阻抗小于不设电容部件的功能层区域。
22、与现有技术相比，本专利技术至少具有以下有益效果：
23、本专利技术的静电吸盘通过在功能层内设置电容部件，取代了传统的静电吸盘通过电极面板耦合形成的电抗通路，增大了静电吸盘的电容，从而减小了射频信号经过静电吸盘的阻抗，使射频信号传输至静电吸盘吸附电极的过程中的电压跌落减小，从而在吸附电极的射频电压值保持在较高水平；
24、通过在静电吸盘内设置电容部件，降低了电抗对静电吸盘几何结构的依赖，使静电吸盘的功能层能够集成更多的功能电气部件，降低了静电吸盘的制造工艺难度。
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1.一种静电吸盘，设置在等离子体反应腔的基座上方，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的静电吸盘，其特征在于，所述电容部件的电容值为纳法级。
3.如权利要求1所述的静电吸盘，其特征在于，所述上金属表面为设置在所述功能层上表面的金属薄膜的下表面，所述下金属表面为设置在所述功能层下表面的金属薄膜的上表面。
4.如权利要求3所述的静电吸盘，其特征在于，所述上金属表面与所述吸附电极电气连接，所述下金属表面与所述基座电气连接。
5.如权利要求1所述的静电吸盘，其特征在于，所述上金属表面为所述吸附电极的下表面，所述下金属表面为所述基座的上表面；使所述电容部件的一端与所述吸附电极电气连接，另一端与所述基座电气连接。
6.如权利要求4或5所述的静电吸盘，其特征在于，所述功能层内设有多个与所述电气部件纵向不重叠的电容部件。
7.如权利要求6所述的静电吸盘，其特征在于，所述电容部件为竖向交叉电容器。
8.如权利要求6所述的静电吸盘，其特征在于，所述电容部件为间隔设置的多个电极片。
9.如权利要求8所述
10.如权利要求8所述的静电吸盘，其特征在于，至少部分的相邻两个电极片之间采用电连接。
11.如权利要求1所述的静电吸盘，其特征在于，所述电气部件为加热电极。
12.如权利要求1所述的静电吸盘，其特征在于，所述介质层为陶瓷材质。
13.一种等离子体处理装置，包括反应腔和至少一射频电源，其特征在于，所述反应腔包括基座和设置在所述基座上方的如权利要求1-12任一项所述的静电吸盘；
...【技术特征摘要】
1.一种静电吸盘，设置在等离子体反应腔的基座上方，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的静电吸盘，其特征在于，所述电容部件的电容值为纳法级。
3.如权利要求1所述的静电吸盘，其特征在于，所述上金属表面为设置在所述功能层上表面的金属薄膜的下表面，所述下金属表面为设置在所述功能层下表面的金属薄膜的上表面。
4.如权利要求3所述的静电吸盘，其特征在于，所述上金属表面与所述吸附电极电气连接，所述下金属表面与所述基座电气连接。
5.如权利要求1所述的静电吸盘，其特征在于，所述上金属表面为所述吸附电极的下表面，所述下金属表面为所述基座的上表面；使所述电容部件的一端与所述吸附电极电气连接，另一端与所述基座电气连接。
6.如权利要求4或5所述的静电吸盘，其特征在于，所述功能层内设有多个与所...
【专利技术属性】
技术研发人员：杜杰，
申请(专利权)人：中微半导体设备上海股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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