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本发明公开了一种静电吸盘，设置在等离子体反应腔的基座上方，包括：介质层，其内设置有吸附电极，用于在工艺过程中吸附所述介质层上表面放置的基片；位于所述介质层和所述基座之间的功能层，所述功能层为绝缘材质，其内设置有电气部件；所述功能层中还设有电...
该专利属于中微半导体设备（上海）股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中微半导体设备（上海）股份有限公司授权不得商用。

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