【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体封装，尤其涉及一种双基板堆叠共金良率提升方法。
技术介绍
1、随着摩尔定律的不断进步，当前最小芯片制程已达到几纳米，进一步缩小特征尺寸已相当困难。“超越摩尔定律”致力于在之前摩尔定律演进过程中未完全开发的部分提升系统集成度，其中，以先进封装为代表的双基板堆叠技术是反向实现“超越摩尔定律”的重要方式，被视作摩尔定律的另一个延续。
2、双基板封装，借鉴了先进的思路和技术，对于芯片体积要求不是特别严格的产品，采用了更大的基板，由此可以量产出数倍晶圆芯片的封装产品。双基板技术的延伸，通过在更大面积的载板上进行芯片制程，因此被称为超级封装技术，其载板由原来的abf载板改为pcb载板，成本减少80%，技术要求也相应的有所降低。和目前工艺追求的小尺寸相比，双基板封装技术对于芯片体积无特别要求的产品来说，工艺可塑造性更好，可以将封装前后段制程整合进行，视其为一次的封装制程，因此可大幅降低生产与材料等各项成本。
技术实现思路
1、本专利技术的目的是提供一种双基板堆叠共金良率提升方法，本方法可以有效的控制双基板的共金率，以使得最终的产品达到更好的性能。
2、为了实现上述目的，本专利技术采用了如下技术方案：
3、双基板堆叠共金良率提升方法，包如下步骤：
4、s1、提供上基板和下基板通过锡球进入回焊炉一次加热进行堆叠；
5、s2、在下基板下方进行锡球的植球，进行二次回焊炉加热；所述二次回焊炉加热温度小于一次加热温度，所述下基板
6、优选地，所述s1双基板堆叠后还包括如下步骤：
7、s11、在清洗机中添加助焊剂清洗剂对堆叠后的产品进行清洗，以去除晶片边缘多余残留的助焊剂。
8、优选地，所述s1中的锡球的熔点高于s2中的锡球熔点。
9、优选地，所述上基板的面积小于下基板面积。
10、优选地，所述s1中锡球的熔点为218℃。
11、优选地，所述s2中锡球的熔点为170℃。
12、本专利技术至少具备以下有益效果：通过采用不同熔点的植球温度，结合不同的回焊炉温度进行锡球的融化，在二次加热时不会因为上下基板堆叠位置锡球融化导致共金不良。
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1.双基板堆叠共金良率提升方法，其特征在于，包如下步骤：
2.根据权利要求1所述的双基板堆叠共金良率提升方法，其特征在于，所述S1双基板堆叠后还包括如下步骤：
3.根据权利要求1所述的双基板堆叠共金良率提升方法，其特征在于，所述S1中的锡球的熔点高于S2中的锡球熔点。
4.根据权利要求2所述的双基板堆叠共金良率提升方法，其特征在于，所述上基板的面积小于下基板面积。
5.根据权利要求3所述的双基板堆叠共金良率提升方法，其特征在于，所述S1中锡球的熔点为218℃。
6.根据权利要求4所述的双基板堆叠共金良率提升方法，其特征在于，所述S2中锡球的熔点为170℃。
【技术特征摘要】
1.双基板堆叠共金良率提升方法，其特征在于，包如下步骤：
2.根据权利要求1所述的双基板堆叠共金良率提升方法，其特征在于，所述s1双基板堆叠后还包括如下步骤：
3.根据权利要求1所述的双基板堆叠共金良率提升方法，其特征在于，所述s1中的锡球的熔点高于s2中的锡球熔点。
4.根...
【专利技术属性】
技术研发人员：曹传琦，孙浩晨，石小加，
申请(专利权)人：矽品科技苏州有限公司，
类型：发明
国别省市：
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