一种降低单晶硅位错的方法技术

本发明专利技术一种降低单晶硅位错的方法，属于单晶硅生产技术领域；提供一种只改进现有的生产工艺就能降低单晶硅位错的方法；采用的技术方案是：第一步：用无位错的单晶硅作为籽晶，将多晶硅原料装入坩埚，并将坩埚装入单晶生长炉，炉室内通氩气，加热熔化多晶硅原料；第二步：用籽晶接触第一步中加热溶化后的熔硅液面，然后慢慢向上提拉；第三步：当结晶晶体进入等直径生长阶段，每隔１５～３０ｍｉｎ停止坩埚转动，或每隔１５～３０ｍｉｎ停止结晶晶体转动，或每隔１５～３０ｍｉｎ逆向缓慢转动结晶晶体，直至等直径生长阶段完毕；第四步：逐渐提高籽晶拉速，使结晶晶体直径逐渐收细，完成；本发明专利技术应用在单晶硅生产过程的直拉工序中。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术，属于单晶硅生产

技术介绍
在单晶硅生长过程中，硅熔液和坩埚等炉内物件会由于高温产生大量挥发性气 体，如SiO，SiO等气尘飘浮在单晶生长界面周围。氩气由上至下穿过单晶生长区域，带走 气、尘杂质。有时，SiO粒子可能会被吸附到单晶生长界面上，造成正在生长的单晶的原子 晶向发生位错，使单晶生长失败，降低了成晶率。由于单晶直径大，自然而然，单晶生长时， 产生的气尘杂质会更多，增加了位错发生的机率。所以，大直径单晶需要更迅速地排除气尘 杂质。目前，已有的改进措施有多种，如保护气进气口改造和设置合理的气流流向等。改 进后的进气口像一个环状的莲蓬头，由原来的一个进气口，改为多个微孔进气，并且气流方 向向外发散。这样进气口的总孔径不变，保证了大进气量，又使气流相对缓和、分散；根据不 同要求而设计的不同形状的导气罩，使气体在炉体内有合理的流向，从而有效带走气尘杂 质。但上述改进方法都涉及设备改造，具有改造成本高，所涉技术复杂等缺点。
技术实现思路
为克服现有技术的不足，本专利技术提供，只改进现有的 生产工艺，不需对设备进行改造，且简便可行。为解决上述技术问题，本专利技术采用的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种降低单晶硅位错的方法，其特征在于：在单晶硅直拉工序中，按下述步骤制作：　　第一步：用无位错的单晶硅作为籽晶，将多晶硅原料装入坩埚，并将坩埚装入单晶生长炉，炉室内通氩气，加热熔化多晶硅原料；　　第二步：用籽晶接触第一步中加热溶化后的熔硅液面，然后慢慢向上提拉，液体硅在籽晶下方逐渐结晶；　　第三步：当结晶晶体进入等直径生长阶段，每隔１５～３０ｍｉｎ停止坩埚转动，或每隔１５～３０ｍｉｎ停止结晶晶体转动，或每隔１５～３０ｍｉｎ逆向缓慢转动结晶晶体，直至等直径生长阶段完毕；　　第四步：逐渐提高籽晶拉速，使结晶晶体直径逐渐收细，完成。

【技术特征摘要】
一种降低单晶硅位错的方法，其特征在于在单晶硅直拉工序中，按下述步骤制作第一步用无位错的单晶硅作为籽晶，将多晶硅原料装入坩埚，并将坩埚装入单晶生长炉，炉室内通氩气，加热熔化多晶硅原料；第二步用籽晶接触第一步中加热溶化后的熔硅液面，然后慢慢向上提拉，液体硅在籽晶下方逐渐结晶；第三步当结晶晶体进入等直径生长阶段，每隔15～30min停止坩埚转动，或每隔15～30min停止结晶晶体转动，或每隔15～30min逆向缓慢转动结晶晶体，直至等直径生长阶段完毕；第四步逐渐提高籽晶拉速，使结晶晶体直径逐渐收细，完成。2.根据权利要求1所述的一种降低单晶硅位错的方法，其特征在于所述的第三步中 的停止坩埚转动具体过...

【专利技术属性】
技术研发人员：秦海滨，张志成，王柳英，王学敏，张红超，
申请(专利权)人：山西天能科技有限公司，
类型：发明
国别省市：14[中国|山西]