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本发明一种降低单晶硅位错的方法，属于单晶硅生产技术领域；提供一种只改进现有的生产工艺就能降低单晶硅位错的方法；采用的技术方案是：第一步：用无位错的单晶硅作为籽晶，将多晶硅原料装入坩埚，并将坩埚装入单晶生长炉，炉室内通氩气，加热熔化多晶硅原料...
该专利属于山西天能科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过山西天能科技有限公司授权不得商用。

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