一种太阳能硅单晶的制作方法技术

本发明专利技术涉及一种太阳能硅单晶的制备方法。目的是提供一种太阳能硅单晶的制备方法的改进，该制作方法应具有节约了资源，降低了生产成本、提高了经济效益；同时利用制备方法制备得到的太阳能硅单晶还具有很好地清洁性、安全性，且寿命较长，具有良好的产品性能。本发明专利技术的技术方案：一种太阳能硅单晶的制作方法，其特征在于：利用废弃的多晶硅下脚料作为主要原料来制备太阳能硅单晶，其制作方法包括以下步骤：第一步：首先对多晶硅下脚料进行分类；第二步：将多晶硅下脚料投入坩埚内进行拉制。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种太阳能硅单晶的制备方法，尤其涉及一种利用废弃的多晶硅下脚料来制 备太阳能硅单晶的方法，该制备方法解决制备太阳能硅单晶用料的稀缺问题，满足制造太阳 能电池的太阳能级硅单晶的市场需求。
技术介绍
目前，太阳能光伏发电在可再生能源中具有重要地位，光伏能源被认为是二十一世纪最 重要的能源，由于光伏发电具有无可比拟的优点清洁性、安全性、广泛性、寿命较长，免 维护性、实用性、和资源充足性及潜在的经济性。直拉硅单晶是生产制造大规模集成电路等半导体器件的最基本的材料，也是太阳能电池 的一种重要材料。目前，国内外厂商用以制备太阳能多晶硅的原料都为高纯多晶硅料及部分 轻掺头尾单晶料，该用料配方虽然工艺成熟，单晶的各项物理参数可控性好；但由于近年来 太阳能电池发展迅速，所以其所用的原料即多晶及单晶头尾料日益紧缺。据有关专家及权威人士预测，2006年太阳能用料缺口为3270吨，占其所需求量的24%，同时在今后的几年随着 太阳能电池需求量的增长，其用料缺口将显得更为明显，所以开发新的用于制备太阳能硅单 晶的原料就非常迫切。同时，在硅单晶的生产中，集成电路级硅单晶产生出来的多晶硅下脚 料，因本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种太阳能硅单晶的制作方法，其特征在于：利用废弃的多晶硅下脚料作为主要原料来制备太阳能硅单晶，其制作方法包括以下步骤：　第一步：首先对多晶硅下脚料进行分类：　（１）将多晶硅下脚料的头尾料、埚底料、废片料分别放置，　（２）将 分置好的多晶硅下脚料按检测类别及电阻率高低进行分类，分为：　Ｎ型电阻率：０．５Ω．ｃｍ以下，０．５～１．６Ω．ｃｍ，１．６～６Ω．ｃｍ及＞６Ω．ｃｍ四档；　Ｐ型电阻率：０．５Ω．ｃｍ以下，０．５～１．６Ω．ｃｍ，１．６～６Ω．ｃ ｍ及＞６Ω．ｃｍ四档；　（３）清洗：将分类好的多晶硅下脚料用酸性溶液清洗浸泡一段时间后，去...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：徐国六，
申请(专利权)人：浙江金西园科技有限公司，
类型：发明
国别省市：33[中国|浙江]