一种非易失性阻变存储器及其制备方法技术

本发明专利技术提供了一种非易失性阻变存储单元及其制作方法。该非易失性阻变存储单元包括：绝缘衬底，在该绝缘衬底上的底电极，在该底电极上的存储介质层，以及在该存储介质层上的顶电极，其中所述存储介质层为ＡｇｘＯ薄膜，其中ｘ的范围为１≤ｘ≤２。在本发明专利技术中，ＡｇｘＯ（１≤ｘ≤２）薄膜不但可以低温制备，而且电阻发生转变的电压很低（＋／－０．３Ｖ），还具有自行调控电阻转变的方向的特点。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及存储单元领域。具体地，本专利技术涉及一种非易失性电阻转变效应的存 储器及其制备方法。
技术介绍
近年来，一种阻变式随机存储单元(RRAM)受到了人们的广泛关注。它的非易失 性存储方式为当电流或电压施加于金属/氧化物/金属的三明治结构存储器件上时，该 器件的电阻值会发生变化，并且在外电场撤除后电阻状态仍然可以保持下来，这种现象称 为巨电致电阻(Colossal electroresistance)效应，简称CER效应。若将高阻态存储为 “0”，低阻态存储为“1”，即可进行信息存储。与传统存储单元相比，RRAM具有结构简单，存 储密度大，能量消耗低等优点，具有广阔的应用前景。国内外研究人员在许多氧化物材料 中都相继地发现了电阻转变现象，如钙钛矿结构氧化物SrTi03:Nb、Cr-doped SrTi (Zr) 03、 Pr1^xCaxMnO3等，过渡族金属氧化物Ti02、Ni0、Zn0、Cux0等。这些材料具有过渡族金属元素， 元素化合价会发生变化，并且半导体工艺兼容性好，但是这些材料出现电阻转变的电压普 遍偏高(一般大于IV)，从而使能耗较高。专利技术内容因此，为了解决本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种非易失性阻变存储单元，包括：绝缘衬底，在该绝缘衬底上的底电极，在该底电极上的存储介质层，以及在该存储介质层上的顶电极，其特征在于，所述存储介质层为Ａｇ↓［ｘ］Ｏ薄膜，其中ｘ的范围为１≤ｘ≤２。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：尚大山，董春颖，孙继荣，沈保根，赵同云，
申请(专利权)人：中国科学院物理研究所，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]