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本发明提供了一种非易失性阻变存储单元及其制作方法。该非易失性阻变存储单元包括：绝缘衬底，在该绝缘衬底上的底电极，在该底电极上的存储介质层，以及在该存储介质层上的顶电极，其中所述存储介质层为ＡｇｘＯ薄膜，其中ｘ的范围为１≤ｘ≤２。在本发明中，...
该专利属于中国科学院物理研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院物理研究所授权不得商用。

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