一种高密度多芯片的扇出型封装结构及其制造方法技术

本发明专利技术公开一种高密度多芯片的扇出型封装结构，包括正装方式贴装的第二芯片，第一金属柱，包覆第二芯片及第一金属柱的第二塑封层，通过引线键合方式贴装、与第一金属柱电连接的第一芯片，设置于第二塑封层表面、包覆第一芯片的第一塑封层，设置于第二塑封层的第二表面、与第一金属柱、第二芯片电连接的第一互连层，与第一互连层电连接的硅桥、第二金属柱，包覆第二金属柱及硅桥的第三塑封层，设置于第三塑封层表面、与第二金属柱电连接的第二互连层，以及设置于第二互连层的外接焊盘处的外接焊球。该扇出型封装结构的系统集成度高，且工艺简单，可适用于各类便携式电子产品中。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体，特别涉及一种高密度多芯片的扇出型封装结构及其制造方法。

技术介绍

1、扇出型晶圆级封装是一种晶圆级加工的嵌入式芯片封装方法，其具有较多的输入/输出端口(i/o)，同时集成灵活性较好，因此是目前先进封装方法之一。

2、但是，受限于工艺技术，现有的扇出型封装的线宽线距只能做到1至2um。然而随着电子产品的集成度越来越高，尺寸越来越小，很多封装结构中会包含不同类型的多个芯片，而这些芯片之间往往存在一些亚微米级的互连需求。为解决这一问题，目前多采用大马士革tsv转接板的2.5d互连方式来实现亚微米级的互连需求，另外也可以在扇出封装中内置硅桥来实现多芯片间的高密度互连。但现有的内置硅桥的扇出封装结构的集成度有限，通常需要在系统级pcb上与其它芯片实现互连。

技术实现思路

1、针对现有技术中的部分或全部问题，本专利技术的第一方面提供一种高密度多芯片的扇出型封装结构，包括：

2、第二芯片，其采用正装方式贴装；

3、第二塑封层，其包覆所述第二芯片；

4、第本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种高密度多芯片的扇出型封装结构，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的扇出型封装结构，其特征在于，所述第二芯片包括至少一个ASIC芯片和/或DRAM芯片。

3.如权利要求1所述的扇出型封装结构，其特征在于，所述第一芯片包括至少一个NAND芯片。

4.如权利要求1所述的扇出型封装结构，其特征在于，所述第二焊盘的面积大于所述第三焊盘。

5.如权利要求1所述的扇出型封装结构，其特征在于，所述硅桥采用大马士革工艺制作形成。

6.如权利要求1所述的扇出型封装结构，其特征在于，所述第一互连层和/或所述第二互连层包括一层或多层导电线...

【技术特征摘要】

1.一种高密度多芯片的扇出型封装结构，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的扇出型封装结构，其特征在于，所述第二芯片包括至少一个asic芯片和/或dram芯片。

3.如权利要求1所述的扇出型封装结构，其特征在于，所述第一芯片包括至少一个nand芯片。

4.如权利要求1所述的扇出型封装结构，其特征在于，所述第二焊盘的面积大于所述第三焊盘。

5.如权利要求1所述的扇出型封装结构，其特征在于，所述硅桥采用大马士革工艺制作形成。

6.如权利要求1所述的扇出型封装结构，其特征在于，所述第一互连层和...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨帅，徐成，孙鹏，
申请(专利权)人：华进半导体封装先导技术研发中心有限公司，
类型：发明
国别省市：