【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，特别涉及一种高密度多芯片的扇出型封装结构及其制造方法。
技术介绍
1、扇出型晶圆级封装是一种晶圆级加工的嵌入式芯片封装方法，其具有较多的输入/输出端口(i/o)，同时集成灵活性较好，因此是目前先进封装方法之一。
2、但是，受限于工艺技术，现有的扇出型封装的线宽线距只能做到1至2um。然而随着电子产品的集成度越来越高，尺寸越来越小，很多封装结构中会包含不同类型的多个芯片，而这些芯片之间往往存在一些亚微米级的互连需求。为解决这一问题，目前多采用大马士革tsv转接板的2.5d互连方式来实现亚微米级的互连需求，另外也可以在扇出封装中内置硅桥来实现多芯片间的高密度互连。但现有的内置硅桥的扇出封装结构的集成度有限，通常需要在系统级pcb上与其它芯片实现互连。
技术实现思路
1、针对现有技术中的部分或全部问题，本专利技术的第一方面提供一种高密度多芯片的扇出型封装结构，包括：
2、第二芯片，其采用正装方式贴装；
3、第二塑封层，其包覆所述第二芯片；
4、第一金属柱，其设置于所述第二塑封层中，但露出其两端端面；
5、第一塑封层，其设置于所述第二塑封层的第一表面；
6、第一芯片，其被包覆于所述第一塑封层中，且通过键合线与第一焊盘电连接，其中所述第一焊盘与所述第一金属柱的第一端电连接；
7、第一互连层，其设置于所述第二塑封层的第二表面，包括重布线电路，所述重布线电路与所述第一金属柱的第二端及所述第二
8、第二金属柱，其第一端与所述第一互连层的第二焊盘电连接；
9、硅桥，其凸点与所述第一金属层的第三焊盘电连接；
10、第三塑封层，其包覆所述第二金属柱及硅桥，但露出所述第二金属柱的第二端面；
11、第二互连层，其设置于所述第三塑封层的第二表面，包括重布线电路，所述重布线电路与所述第二金属柱的第二端电连接；以及
12、外接焊球，其设置于所述第二互连层的外接焊盘处。
13、进一步地，所述第二焊盘面积大于所述第三焊盘。
14、进一步地，所述第二芯片包括至少一个asic芯片和/或dram芯片。
15、进一步地，所述第一芯片包括至少一个nand芯片。
16、进一步地，所述硅桥采用大马士革工艺制作形成。
17、进一步地，所述第一互连层和/或所述第二互连层包括一层或多层导电线路及设置在导电线路之间的绝缘介质。
18、进一步地，所述扇出型封装结构还包括散热层，所述散热层的两侧表面分别与所述第一芯片的背面及第二芯片的背面表面接触，所述第二塑封层包覆所述散热层。
19、进一步地，所述散热层的材质为金属，包括铜金属、或铝金属、或铁金属。
20、本专利技术第二方面提供一种如前所述的扇出型封装结构的制作方法，包括：
21、在临时载板上涂敷释放层，并在所述释放层上电镀第一焊盘；
22、将第一芯片贴装至所述释放层表面，并通过键合线连接所述第一芯片的焊盘与所述第一焊盘；
23、采用塑封材料包覆所述第一芯片、键合线及第一焊盘，形成第一塑封层；
24、去除所述载板及释放层；
25、在所述第一塑封层的设置有第一芯片的一侧表面通过正装方式贴装第二芯片，并在所述第一焊盘处贴装第一金属柱；
26、采用塑封材料包覆所述第二芯片及第一金属柱，形成第二塑封层；
27、减薄所述第二塑封层，以露出所述第一金属柱的第二端面以及所述第二芯片的焊盘；
28、在所述第二塑封层的表面形成第一互连层，其中所述第一互连层包括第二焊盘以及第三焊盘；
29、在所述第三焊盘上贴装硅桥，并在所述第二焊盘上贴装第二金属柱；
30、采用塑封材料包覆所述硅桥及第二金属柱，形成第三塑封层；
31、减薄所述第三塑封层，以露出所述第二金属柱的第二端面；
32、在所述第三塑封层的表面形成第二互连层；
33、在所述第二互连层的外接焊盘处植球，形成外接焊球；以及
34、切割形成单颗封装。
35、进一步地，所述制作方法还包括：
36、在所述第一芯片的背面形成散热层，并将第二芯片贴装至所述散热层表面。
37、本专利技术提供的一种高密度多芯片的扇出型封装结构及其制造方法，将多种不同类型的芯片，如asic芯片、dram芯片及nand芯片集成于一体，其中高密度互连通过硅桥实现，如asic和dram之间的高密度互连，而芯片垂直方向的连接则通过引线键合配合金属柱实现，如nand芯片可通过引线键合(wire bond)及金属柱实现垂直方向的连接，最后通过扇出封装的形式实现多芯片的高密度集成。所述扇出型封装结构有效提高了系统集成度，且工艺简单，可适用于各类便携式电子产品中。
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1.一种高密度多芯片的扇出型封装结构，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的扇出型封装结构，其特征在于，所述第二芯片包括至少一个ASIC芯片和/或DRAM芯片。
3.如权利要求1所述的扇出型封装结构，其特征在于，所述第一芯片包括至少一个NAND芯片。
4.如权利要求1所述的扇出型封装结构，其特征在于，所述第二焊盘的面积大于所述第三焊盘。
5.如权利要求1所述的扇出型封装结构，其特征在于，所述硅桥采用大马士革工艺制作形成。
6.如权利要求1所述的扇出型封装结构，其特征在于，所述第一互连层和/或所述第二互连层包括一层或多层导电线路及设置在导电线路之间的绝缘介质。
7.如权利要求1所述的扇出型封装结构，其特征在于，所述扇出型封装结构还包括散热层，所述散热层的两侧表面分别与所述第一芯片的背面及第二芯片的背面表面接触，所述第二塑封层包覆所述散热层。
8.如权利要求1所述的扇出型封装结构，其特征在于，所述散热层的材质为金属，包括铜金属、或铝金属、或铁金属。
9.一种如权利要求1至8任一所述的扇
10.如权利要求9所述的制作方法，其特征在于，还包括步骤：
...【技术特征摘要】
1.一种高密度多芯片的扇出型封装结构，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的扇出型封装结构，其特征在于，所述第二芯片包括至少一个asic芯片和/或dram芯片。
3.如权利要求1所述的扇出型封装结构，其特征在于，所述第一芯片包括至少一个nand芯片。
4.如权利要求1所述的扇出型封装结构，其特征在于，所述第二焊盘的面积大于所述第三焊盘。
5.如权利要求1所述的扇出型封装结构，其特征在于，所述硅桥采用大马士革工艺制作形成。
6.如权利要求1所述的扇出型封装结构，其特征在于，所述第一互连层和...
【专利技术属性】
技术研发人员：杨帅，徐成，孙鹏，
申请(专利权)人：华进半导体封装先导技术研发中心有限公司，
类型：发明
国别省市：
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