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本发明公开一种高密度多芯片的扇出型封装结构,包括正装方式贴装的第二芯片,第一金属柱,包覆第二芯片及第一金属柱的第二塑封层,通过引线键合方式贴装、与第一金属柱电连接的第一芯片,设置于第二塑封层表面、包覆第一芯片的第一塑封层,设置于第二塑封层的...该专利属于华进半导体封装先导技术研发中心有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过华进半导体封装先导技术研发中心有限公司授权不得商用。
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