【技术实现步骤摘要】
本专利技术的实施方式涉及一种半导体装置。
技术介绍
1、提出一种于半导体衬底上集成着纵型晶体管的半导体装置。纵型晶体管是以在相对于半导体衬底的主面交叉的方向延伸的半导体柱为通道，由例如于在沿衬底表面的方向延伸的配线，形成包围所述通道的周围的栅极电极的晶体管。
技术实现思路
1、一个实施方式提供一种包含优异的纵型晶体管的半导体装置。
2、实施方式的半导体装置具备：第1配线，设置于第1层，于第1方向延伸；第2配线，设置在位于所述第1层的上层侧的第2层，于所述第1方向延伸；第1半导体层，不贯通所述第2配线，贯通所述第1配线并于与所述第1方向交叉的第2方向延伸；第2半导体层，不贯通所述第1配线，贯通所述第2配线并于所述第2方向延伸；第1绝缘层，设置于所述第1配线与所述第1半导体层之间；第2绝缘层，设置于所述第2配线与所述第2半导体层之间；第1电容器，电连接于所述第1半导体层的第1端部；及第2电容器，电连接于所述第2半导体层的第1端部。
3、根据所述构成，能够提供一种包含优异...
【技术保护点】
1.一种半导体装置，具备：
2.一种半导体装置，具备：
3.一种半导体装置，具备：
4.根据权利要求1或3所述的半导体装置，其中从与所述第1及第2方向交叉的第3方向观察时，所述第1半导体层与所述第2半导体层于所述第1方向相互偏移。
5.根据权利要求2所述的半导体装置，其中从所述第3方向观察时，所述第1半导体层与所述第2半导体层于所述第1方向相互偏移。
6.根据权利要求1或3所述的半导体装置，其中还具备：
7.根据权利要求1或3所述的半导体装置，其中还具备：
8.根据权利要求2所述的半导...
【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，具备：
2.一种半导体装置，具备：
3.一种半导体装置，具备：
4.根据权利要求1或3所述的半导体装置，其中从与所述第1及第2方向交叉的第3方向观察时，所述第1半导体层与所述第2半导体层于所述第1方向相互偏移。
5.根据权利要求2所述的半导体装置，其中从所述第3方向观察时，所述第1半导体层与所述第2半导体层于所述第1方向相互偏移。
6.根据权利要求1或3所述的半导体装置，其中还具备：
7.根据权利要求1或3所述的半导体装置，其中还具备：
...【专利技术属性】
技术研发人员：犬饲贵士，德平弘毅，稲场恒夫，
申请(专利权)人：铠侠股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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