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本发明的实施方式的半导体装置具备：第1配线(51)，设置于第1层(L1)，于第1方向延伸；第2配线(52)，设置在位于第1层的上层侧的第2层(L2)，于第1方向延伸；第1半导体层(31a)，不贯通第2配线，贯通第1配线并于与第1方向交叉的第...
该专利属于铠侠股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过铠侠股份有限公司授权不得商用。

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