【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于钙钛矿太阳能电池制造领域，具体地，涉及一种3d/2d钙钛矿太阳能电池和制备方法。
技术介绍
1、在钙钛矿太阳能电池中，钙钛矿薄膜的结晶性对器件性能至关重要。然而，相关技术中，钙钛矿薄膜的热退火条件不利于钙钛矿晶粒的生长，且热退火方法难以精确控制钙钛矿薄膜的结晶。
技术实现思路
1、本专利技术旨在至少在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一。为此，本专利技术的实施例提出一种3d/2d钙钛矿太阳能电池的制备方法，该3d/2d钙钛矿太阳能电池的制备方法具有能够辅助晶粒生长，实现可调控结晶的优点。
2、本专利技术的实施例还提出一种3d/2d钙钛矿太阳能电池。
3、根据本专利技术实施例的3d/2d钙钛矿太阳能电池的制备方法包括以下步骤：在衬底上制备第一功能层，第一功能层为空穴传输层和电子传输层中的一者；固定所述衬底，采用涂布工艺在所述第一功能层上从所述衬底的一端开始制备钙钛矿薄膜；使用脉冲光对所述钙钛矿薄膜进行退火，同时在所述钙钛矿薄膜上涂布有机离子卤化物溶液以形成2d钙钛矿层，带有所述2d钙钛矿层的所述钙钛矿薄膜构成钙钛矿吸光层；在所述钙钛矿吸光层上制备第二功能层，所述第二功能层为所述空穴传输层和所述电子传输层中的另一者；在所述第二功能层上制备电极层。
4、根据本专利技术实施例的3d/2d钙钛矿太阳能电池的制备方法，有机离子卤化物溶液在脉冲光退火阶段加入3d钙钛矿薄膜中，能够改善钙钛矿晶体的择优取向，辅助晶粒生长，实现可调控结晶。
<...【技术保护点】
1.一种3D/2D钙钛矿太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的3D/2D钙钛矿太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述第一功能层为空穴传输层，所述第二功能层为电子传输层。
3.根据权利要求2所述的3D/2D钙钛矿太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述使用脉冲光对所述钙钛矿薄膜进行退火，同时在所述钙钛矿薄膜上涂布有机离子卤化物溶液以形成2D钙钛矿层包括以下步骤：
4.根据权利要求3所述的3D/2D钙钛矿太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述冷却步骤中，还包括：将所述脉冲光移动到下一位置，利用所述脉冲光的余热对下一位置的钙钛矿薄膜进行预加热。
5.根据权利要求3所述的3D/2D钙钛矿太阳能电池的制备方法，其特征在于，
6.根据权利要求1所述的3D/2D钙钛矿太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述有机离子卤化物包括2-苯乙胺氢碘酸盐、乙二胺氢碘酸盐和4-氟-苯基乙基碘化铵中的任意一种。
7.根据权利要求6所述的3D/2D钙钛矿太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述有机离子卤化物溶液
8.根据权利要求1所述的3D/2D钙钛矿太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述电子传输层通过热蒸发方式制备，所述电极层通过蒸镀方式制备。
9.根据权利要求1所述的3D/2D钙钛矿太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述使用脉冲光对所述钙钛矿薄膜进行退火中，脉冲光的脉冲次数至少为两次，每次脉冲等待时间与脉冲时间之比大于3。
10.一种3D/2D钙钛矿太阳能电池，其特征在于，包括自下而上依次设置的导电玻璃层、空穴传输层、钙钛矿吸光层、电子传输层和电极层。
...【技术特征摘要】
1.一种3d/2d钙钛矿太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的3d/2d钙钛矿太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述第一功能层为空穴传输层，所述第二功能层为电子传输层。
3.根据权利要求2所述的3d/2d钙钛矿太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述使用脉冲光对所述钙钛矿薄膜进行退火，同时在所述钙钛矿薄膜上涂布有机离子卤化物溶液以形成2d钙钛矿层包括以下步骤：
4.根据权利要求3所述的3d/2d钙钛矿太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述冷却步骤中，还包括：将所述脉冲光移动到下一位置，利用所述脉冲光的余热对下一位置的钙钛矿薄膜进行预加热。
5.根据权利要求3所述的3d/2d钙钛矿太阳能电池的制备方法，其特征在于，
6.根据权利要求1所述的3d/2d钙钛矿...
【专利技术属性】
技术研发人员：李吉红，王彩霞，刘雨奇，墙子跃，高翔，吴瑶，赵晓霞，
申请(专利权)人：国家电投集团科学技术研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：
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