【技术实现步骤摘要】
本公开涉及半导体，具体而言，涉及一种半导体结构及其形成方法、存储器。
技术介绍
1、存储器因具有体积小、集成化程度高及传输速度快等优点，被广泛应用于手机、平板电脑等移动设备中。为了提高存储器的存储容量，通常需要将多个芯片单元叠加在一起。
2、目前，主要通过热压(thermal compression bond，tcb)技术对芯片单元进行堆叠，但随着芯片单元层数的增多，在进行热压的过程中芯片单元之间易发生焊接不良，产品良率较低。
3、需要说明的是，在上述
技术介绍
部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。
技术实现思路
1、有鉴于此，本公开提供一种半导体结构及其形成方法、存储器，可减小出现焊接不良的概率，提高产品良率。
2、根据本公开的一个方面，提供一种半导体结构，包括：
3、基板；
4、芯片组，设于所述基板的一侧，且包括多个沿垂直于所述基板的方向间隔分布的芯片单元，所述芯片单元包括衬底及设于所述衬底表面的电路模块，所述衬底包括邻接分布的电路互连区域和非电路互连区域，所述电路模块设置在所述电路互连区域表面，相邻的所述芯片单元通过所述电路模块电连接；
5、导热调节层，与至少一所述衬底接触，用于减小各所述衬底的表面的导热速率的差异。
6、在本公开的一种示例性实施例中，所述导热调节层设于所述衬底的电路互连区域，所述导热调节层的导热速率小于所述衬底
7、在本公开的一种示例性实施例中，所述导热调节层设于所述衬底的非电路互连区域，所述导热调节层的导热速率大于所述衬底的非电路互连区域的导热速率。
8、在本公开的一种示例性实施例中，所述导热调节层包括第一调节部和第二调节部，所述第一调节部位于所述衬底的电路互连区域的表面，所述第一调节部的导热速率小于所述电路互连区域的导热速率；所述第二调节部位于所述衬底的非电路互连区域的表面，所述第二调节部的导热速率大于所述衬底的非电路互连区域的导热速率。
9、在本公开的一种示例性实施例中，所述导热调节层至少位于距离所述基板最远的所述芯片单元的衬底的电路互连区域的表面，所述导热调节层的导热速率小于距离所述基板最远的所述芯片单元的所述衬底的电路互连区域的导热速率。
10、在本公开的一种示例性实施例中，所述导热调节层至少位于距离所述基板最近的所述芯片单元的衬底的电路互连区域的表面，所述导热调节层的导热速率大于距离所述基板最近的所述芯片单元的所述衬底的电路互连区域的导热速率。
11、在本公开的一种示例性实施例中，所述导热调节层包括第三调节部和第四调节部，所述第三调节部至少位于距离所述基板最远的所述芯片单元的所述衬底的电路互连区域的表面，所述第三调节部的导热速率小于距离所述基板最远的所述芯片单元的所述衬底的电路互连区域的导热速率；所述第四调节部至少位于距离所述基板最近的所述芯片单元的所述衬底的电路互连区域的表面，所述第四调节部的导热速率大于距离所述基板最近的所述芯片单元的所述衬底的电路互连区域的导热速率。
12、在本公开的一种示例性实施例中，所述基板包括外接电路，所述半导体结构还包括：
13、导电结构，设于所述芯片组与所述基板之间，且所述导电结构的一端与任一所述芯片单元电连接，另一端与所述基板的外接电路连接。
14、在本公开的一种示例性实施例中，所述衬底背离所述基板的表面设有沿垂直于所述衬底的方向向内凹陷的凹部，所述导热调节层至少设于所述凹部内。
15、在本公开的一种示例性实施例中，所述导热调节层设于所述衬底背离所述基板的表面。
16、在本公开的一种示例性实施例中，所述半导体结构还包括：
17、粘接层，位于相邻两个所述芯片单元之间，且填满相邻的两个所述芯片单元之间的间隙，所述导热调节层的导热速率小于所述粘接层的导热速率。
18、在本公开的一种示例性实施例中，所述半导体结构还包括：
19、粘接层，位于相邻两个所述芯片单元之间，且填满相邻的两个所述芯片单元之间的间隙，所述导热调节层的导热速率大于所述粘接层的导热速率。
20、根据本公开的一个方面，提供一种半导体结构的形成方法，所述形成方法包括：
21、提供基板；
22、在所述基板的一侧形成芯片组，所述芯片组包括多个沿垂直于所述基板的方向间隔分布的芯片单元，所述芯片单元包括衬底及设于所述衬底表面的电路模块，所述衬底包括邻接分布的电路互连区域和非电路互连区域，所述电路模块设置在所述电路互连区域表面，相邻的所述芯片单元通过所述电路模块电连接；
23、在至少一所述衬底的一侧形成导热调节层，所述导热调节层与至少一所述衬底接触，所述导热调节层用于减小各所述衬底表面的导热速率的差异；
24、采用热压工艺将包含所述导热调节层的所述芯片组与所述基板固定连接。
25、在本公开的一种示例性实施例中，在至少一所述衬底的一侧形成导热调节层，包括：
26、在所述衬底背离所述基板的表面形成沿垂直于所述衬底的方向向内凹陷的凹部；
27、至少在所述凹部内形成导热调节层。
28、在本公开的一种示例性实施例中，在至少一所述衬底的一侧形成导热调节层，包括：
29、在所述衬底背离所述基板的表面形成导热调节层。
30、在本公开的一种示例性实施例中，在所述衬底的一侧形成导热调节层，包括：
31、在形成所述电路模块之前，在所述衬底的一侧形成所述导热调节层。
32、根据本公开的一个方面，提供一种存储器，包括上述任意一项所述的半导体结构。
33、本公开的半导体结构及其形成方法、存储器，可通过热压(thermal compressionbond，tcb)工艺将多个芯片单元沿竖直方向堆叠设置，有助于提高存储容量。在此过程中，由于导热调节层与芯片单元中的衬底接触，在热压过程中，可通过导热调节层的设置减小不同衬底的表面的导热速率的差异；或者，减小同一衬底中不同区域的表面的导热速率的差异，减小在tcb焊接过程中位于不同层的芯片单元的导热速率的差异，进而减小各芯片单元表面的温度差异，减小不同芯片单元之间因焊接温度不同而出现焊接不良的概率，提高产品良率；或者，减小在tcb焊接过程中同一芯片单元的不同区域的导热速率的差异，进而减小同一芯片单元表面的温度差异，减小同一芯片单元的不同区域出现焊接不良的概率，进一步提高产品良率。
34、应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本公开。
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1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述导热调节层设于所述衬底的电路互连区域，所述导热调节层的导热速率小于所述衬底的电路互连区域的导热速率。
3.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述导热调节层设于所述衬底的非电路互连区域，所述导热调节层的导热速率大于所述衬底的非电路互连区域的导热速率。
4.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述导热调节层包括第一调节部和第二调节部，所述第一调节部位于所述衬底的电路互连区域的表面，所述第一调节部的导热速率小于所述电路互连区域的导热速率；所述第二调节部位于所述衬底的非电路互连区域的表面，所述第二调节部的导热速率大于所述衬底的非电路互连区域的导热速率。
5.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述导热调节层至少位于距离所述基板最远的所述芯片单元的衬底的电路互连区域的表面，所述导热调节层的导热速率小于距离所述基板最远的所述芯片单元的所述衬底的电路互连区域的导热速率。
6.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，
7.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述导热调节层包括第三调节部和第四调节部，所述第三调节部至少位于距离所述基板最远的所述芯片单元的所述衬底的电路互连区域的表面，所述第三调节部的导热速率小于距离所述基板最远的所述芯片单元的所述衬底的电路互连区域的导热速率；所述第四调节部至少位于距离所述基板最近的所述芯片单元的所述衬底的电路互连区域的表面，所述第四调节部的导热速率大于距离所述基板最近的所述芯片单元的所述衬底的电路互连区域的导热速率。
8.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述基板包括外接电路，所述半导体结构还包括：
9.根据权利要求1-8任一项所述的半导体结构，其特征在于，所述衬底背离所述基板的表面设有沿垂直于所述衬底的方向向内凹陷的凹部，所述导热调节层至少设于所述凹部内。
10.根据权利要求1-8任一项所述的半导体结构，其特征在于，所述导热调节层设于所述衬底背离所述基板的表面。
11.根据权利要求2或5所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括：
12.根据权利要求3或6所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括：
13.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，所述形成方法包括：
14.根据权利要求13所述的形成方法，其特征在于，在至少一所述衬底的一侧形成导热调节层，包括：
15.根据权利要求13所述的形成方法，其特征在于，在至少一所述衬底的一侧形成导热调节层，包括：
16.根据权利要求13-15任一项所述的形成方法，其特征在于，在所述衬底的一侧形成导热调节层，包括：
17.一种存储器，其特征在于，包括权利要求1-12任一项所述的半导体结构。
...【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述导热调节层设于所述衬底的电路互连区域，所述导热调节层的导热速率小于所述衬底的电路互连区域的导热速率。
3.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述导热调节层设于所述衬底的非电路互连区域，所述导热调节层的导热速率大于所述衬底的非电路互连区域的导热速率。
4.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述导热调节层包括第一调节部和第二调节部，所述第一调节部位于所述衬底的电路互连区域的表面，所述第一调节部的导热速率小于所述电路互连区域的导热速率；所述第二调节部位于所述衬底的非电路互连区域的表面，所述第二调节部的导热速率大于所述衬底的非电路互连区域的导热速率。
5.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述导热调节层至少位于距离所述基板最远的所述芯片单元的衬底的电路互连区域的表面，所述导热调节层的导热速率小于距离所述基板最远的所述芯片单元的所述衬底的电路互连区域的导热速率。
6.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述导热调节层至少位于距离所述基板最近的所述芯片单元的衬底的电路互连区域的表面，所述导热调节层的导热速率大于距离所述基板最近的所述芯片单元的所述衬底的电路互连区域的导热速率。
7.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述导热调节层包括第三调节部和第四调节部，所述第三调节部至少位于距离所述基板最远的所述芯片单元的所述衬底的电路互连区域的表...
【专利技术属性】
技术研发人员：吕开敏，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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