【技术实现步骤摘要】
本申请涉及光电，具体涉及一种光电器件、光电器件的制备方法与电子设备。
技术介绍
1、量子点(quantum dos,qds)又称半导体纳米晶，其是一种半径小于或接近激子玻尔半径的纳米晶体，粒径通常介于1nm至20nm之间。量子点具有独特的荧光纳米效应，量子点的发光波长可通过改变自身尺寸和成分组成进行调控，具有发光光谱半峰宽较窄、色纯度高、光稳定性好、激发光谱宽、发射光谱可控的优点，在光伏发电、光电显示、生物探针等
具有广泛的应用前景。
2、在光电显示
，量子点发光二极管(quantum dot light emitting diode,qled)是基于量子点作为发光材料的光电器件，由于量子点是一种典型的无机物，具有良好的稳定性，所以量子点能够弥补有机发光材料易老化、易腐蚀的缺陷，从而有利于提高光电器件的使用寿命，因此，基于qled的发光显示技术是当前最具潜力的新型显示技术。qled技术经过20多年的发展，性能指标方面取得了巨大的进步，也展现出巨大的应用发展潜力，但是目前仍存在不足之处，例如存在载流子注入不平衡的问题，即电子注入水平大于空穴注入水平，使得qled的发光效率和使用寿命较差。因此，有必要改善载流子注入不平衡的问题以提升qled的发光效率和使用寿命。
技术实现思路
1、本申请提供了一种光电器件、光电器件的制备方法与电子设备，以改善光电器件存在的载流子注入不平衡问题。
2、本申请的技术方案如下：
3、第一方面，本申请提供了一种光
4、阳极；
5、阴极，与所述阳极相对设置；以及
6、第一量子点发光层，设置于所述阳极与所述阴极之间；
7、其中，所述第一量子点发光层的材料包括第一量子点和第一材料，所述第一量子点发光层靠近所述阴极的一侧设有第二材料；
8、所述第一材料为离子液体，所述第二材料的电导率低于所述第一材料的电导率。
9、可选地，所述第一量子点发光层的材料由所述第一量子点和所述第一材料组成。
10、可选地，所述第一量子点发光层与所述阴极之间设置有界面修饰层，所述第二材料形成所述界面修饰层。可选地，所述界面修饰层的厚度为3nm至6nm。
11、可选地，在所述第一量子点发光层中，所述第一量子点：所述第一材料的质量比为1：(20～40)；
12、和/或，所述第一量子点发光层的厚度为10nm至15nm；
13、和/或，所述第一材料的电导率与所述第二材料的电导率之间的差值为0.2ms/cm至0.8ms/cm。
14、可选地，所述第一材料的阳离子选自烷基季铵离子、烷基季磷离子、烷基取代的咪唑离子或烷基取代的吡啶离子；
15、和/或，所述第一材料的阴离子选自卤素离子或酸根离子中的至少一种。
16、可选地，所述烷基季铵离子选自n,n-二乙基-n-甲基-n-(n-丙基)铵阳离子或n,n-二乙基-n-甲基-(2-甲氧乙基)铵阳离子中的一种；
17、和/或，所述烷基季磷离子选自十四烷基三丁基磷阳离子、四羟甲基磷阳离子、乙基三丁基磷阳离子或四丁基磷阳离子中的一种；
18、和/或，所述烷基取代的咪唑离子选自1-丁基-3-甲基咪唑阳离子、1-乙基-3-甲基咪唑阳离子、1-辛基-3-甲基咪唑阳离子、1-癸基-3-甲基咪唑阳离子、1-己基-3-甲基咪唑阳离子或1-甲基-3-正辛基咪唑阳离子中的一种；
19、和/或，所述烷基取代的吡啶离子选自1-丁基-4-甲基吡啶离子、1-己基-4-甲基吡啶离子、n-乙基吡啶离子、n-丁基吡啶离子、n-己基吡啶离子、n-辛基吡啶离子或n-甲基-n-丙基吡啶离子中的至少一者；
20、和/或，所述卤素离子选自f-、cl-、br-或i-中的至少一者；
21、和/或，所述酸根离子选自bf4-、pf6-、cf3so3-、cf3coo-、(cf3so2)3c-、(c2f5so2)3c-、(cf3so2)2n-、c3f7coo-、c4f9so3-、(c2f5so2)2n-、sbf6-、asf6-、cb11h12-、no2-、no3-、clo4-或c8h17so4-中的至少一种。
22、可选地，所述第一材料选自1-丁基-3-甲基咪唑四氟硼酸盐、1-丁基-3-甲基咪唑六氟磷酸盐、1-乙基-3-甲基咪唑六氟磷酸盐、1-乙基-3-甲基咪唑双三氟甲磺酰亚胺盐、1-辛基-3-甲基咪唑六氟磷酸盐、氯化1-乙基-3-甲基咪唑、1-癸基-3-甲基咪唑六氟磷酸盐、1-乙基-3-甲基咪唑二(五氟乙基磺酰)亚胺、1-己基-3-甲基咪唑四氟硼酸盐、1-甲基-3-正辛基咪唑四氟硼酸盐、1-乙基-3-甲基咪唑二氰胺、n,n-二乙基-n-甲基-n-(n-丙基)三氟甲基三氟硼酸铵、1-丁基-3-甲基咪唑三氟甲磺酸盐、n,n-二乙基-n-甲基-n-(2-甲氧基乙基)铵基双(三氟甲基磺酰)酰亚胺和n,n-二乙基-n-甲基-n-(2-甲氧基乙基)四氟硼酸季铵盐、1-丁基-4-甲基吡啶氯盐、1-丁基-4-甲基吡啶溴盐、1-己基-4-甲基吡啶氯盐、1-己基-4-甲基吡啶溴盐、1-丁基-4-甲基吡啶四氟硼酸盐或1-丁基-4-甲基吡啶六氟磷酸盐中的至少一种。
23、可选地，所述光电器件还包括电子功能层，所述电子功能层设置于所述阴极与所述第一量子点发光层之间；所述电子功能层包括电子传输层和/或电子注入层，对于包含所述电子传输层和所述电子注入层的所述电子功能层，所述电子传输层较所述电子注入层更靠近所述第一量子点发光层，所述电子注入层较所述电子传输层更靠近所述阴极；
24、其中，所述电子传输层的材料包括金属氧化物，所述金属氧化物选自zno、tio2、sno2、bao、ta2o3、zro2、tilio、zngao、znalo、znmgo、znsno、znlio、insno、alzno、znocl、znof或znmglio中的至少一种；
25、和/或，所述电子注入层的材料包括碱金属卤化物、碱金属有机络合物或有机膦化合物中的至少一种，所述有机膦化合物选自有机氧化磷、有机硫代膦化合物或有机硒代膦化合物中的至少一种。
26、可选地，所述光电器件还包括空穴功能层，所述空穴功能层设置于所述第一量子点发光层与所述阳极之间，所述空穴功能层包括空穴注入层和/或空穴传输层，对于包含所述空穴注入层和所述空穴传输层的所述空穴功能层，所述空穴注入层较所述空穴传输层更靠近所述阳极，所述空穴传输层较所述空穴注入层更靠近所述第一量子点发光层；
27、所述空穴注入层的材料选自聚(3,4-乙烯二氧基噻吩)：聚(苯乙烯磺酸)、酞菁铜、酞菁氧钛、4,4',4'-三(n-3-甲基苯基-n-苯基氨基)三苯胺、4,4',4'-三[2-萘基苯基氨基]三苯基胺、2,3,5,6-四氟-7,7',8,8'-四氰二甲基对苯醌、2,3,6,7,10,11-六氰基-1,4,5,8,9,1本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种光电器件，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的光电器件，其特征在于，所述第一量子点发光层的材料由所述第一量子点和所述第一材料组成。
3.根据权利要求1所述的光电器件，其特征在于，所述第一量子点发光层与所述阴极之间设置有界面修饰层，所述第二材料形成所述界面修饰层。
4.根据权利要求3所述的光电器件，其特征在于，所述界面修饰层的厚度为3nm至6nm。
5.根据权利要求1所述的光电器件，其特征在于，在所述第一量子点发光层中，所述第一量子点：所述第一材料的质量比为1：(20～40)；
6.根据权利要求1所述的光电器件，其特征在于，所述第一材料的阳离子选自烷基季铵离子、烷基季磷离子、烷基取代的咪唑离子或烷基取代的吡啶离子；
7.根据权利要求6所述的光电器件，其特征在于，所述烷基季铵离子选自N,N-二乙基-N-甲基-N-(n-丙基)铵阳离子或N,N-二乙基-N-甲基-(2-甲氧乙基)铵阳离子中的一种；
8.根据权利要求7所述的光电器件，其特征在于，所述第一材料选自1-丁基-3-甲基咪唑四氟硼酸
9.根据权利要求1所述的光电器件，其特征在于，所述光电器件还包括电子功能层，所述电子功能层设置于所述阴极与所述第一量子点发光层之间；所述电子功能层包括电子传输层和/或电子注入层，对于包含所述电子传输层和所述电子注入层的所述电子功能层，所述电子传输层较所述电子注入层更靠近所述第一量子点发光层，所述电子注入层较所述电子传输层更靠近所述阴极；
10.根据权利要求1所述的光电器件，其特征在于，所述光电器件还包括空穴功能层，所述空穴功能层设置于所述第一量子点发光层与所述阳极之间，所述空穴功能层包括空穴注入层和/或空穴传输层，对于包含所述空穴注入层和所述空穴传输层的所述空穴功能层，所述空穴注入层较所述空穴传输层更靠近所述阳极，所述空穴传输层较所述空穴注入层更靠近所述第一量子点发光层；
11.根据权利要求1至10任一项中所述的光电器件，其特征在于，所述光电器件还包括：第二量子点发光层，设置于所述第一量子点发光层靠近所述阴极的一侧；
12.根据权利要求11所述的光电器件，其特征在于，所述第二材料为可分散所述第一量子点和/或所述第二量子点的溶剂；
13.根据权利要求12所述的光电器件，其特征在于，所述第二材料选自正戊烷、正己烷、正庚烷、正辛烷、正壬烷、正癸烷或正十一烷中的至少一种；
14.根据权利要求11所述的光电器件，其特征在于，所述第一量子点或所述第二量子点彼此独立地选自单一组分量子点、核壳结构量子点、无机钙钛矿量子点或有机-无机杂化钙钛矿量子点的至少一种；
15.一种光电器件的制备方法，其特征在于，包括步骤：
16.根据权利要求15所述的制备方法，其特征在于，所述光电器件为正置型结构，所述在所述第一量子点发光层远离所述底电极的一侧形成第二材料的步骤，包括：在所述第一量子点发光层远离所述底电极的一侧施加第二材料溶液，然后干燥处理以在所述第一量子点发光层远离所述底电极的一侧形成所述第二材料，所述第二材料至少覆盖部分所述第一量子点发光层远离所述底电极的一侧，其中，所述干燥处理的温度低于第二材料的沸点；
17.根据权利要求15所述的制备方法，其特征在于，所述光电器件为正置型结构，所述在所述第一量子点发光层远离所述底电极的一侧形成第二材料的步骤之后，且在形成所述顶电极的步骤之前，所述制备方法还包括步骤：在所述第一量子点发光层远离所述底电极的一侧形成第二量子点发光层，所述第二量子点发光层的材料包括第二量子点；所述第二材料位于所述第一量子点发光层与所述第二量子点发光层之间；
18...
【技术特征摘要】
1.一种光电器件，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的光电器件，其特征在于，所述第一量子点发光层的材料由所述第一量子点和所述第一材料组成。
3.根据权利要求1所述的光电器件，其特征在于，所述第一量子点发光层与所述阴极之间设置有界面修饰层，所述第二材料形成所述界面修饰层。
4.根据权利要求3所述的光电器件，其特征在于，所述界面修饰层的厚度为3nm至6nm。
5.根据权利要求1所述的光电器件，其特征在于，在所述第一量子点发光层中，所述第一量子点：所述第一材料的质量比为1：(20～40)；
6.根据权利要求1所述的光电器件，其特征在于，所述第一材料的阳离子选自烷基季铵离子、烷基季磷离子、烷基取代的咪唑离子或烷基取代的吡啶离子；
7.根据权利要求6所述的光电器件，其特征在于，所述烷基季铵离子选自n,n-二乙基-n-甲基-n-(n-丙基)铵阳离子或n,n-二乙基-n-甲基-(2-甲氧乙基)铵阳离子中的一种；
8.根据权利要求7所述的光电器件，其特征在于，所述第一材料选自1-丁基-3-甲基咪唑四氟硼酸盐、1-丁基-3-甲基咪唑六氟磷酸盐、1-乙基-3-甲基咪唑六氟磷酸盐、1-乙基-3-甲基咪唑双三氟甲磺酰亚胺盐、1-辛基-3-甲基咪唑六氟磷酸盐、氯化1-乙基-3-甲基咪唑、1-癸基-3-甲基咪唑六氟磷酸盐、1-乙基-3-甲基咪唑二(五氟乙基磺酰)亚胺、1-己基-3-甲基咪唑四氟硼酸盐、1-甲基-3-正辛基咪唑四氟硼酸盐、1-乙基-3-甲基咪唑二氰胺、n,n-二乙基-n-甲基-n-(n-丙基)三氟甲基三氟硼酸铵、1-丁基-3-甲基咪唑三氟甲磺酸盐、n,n-二乙基-n-甲基-n-(2-甲氧基乙基)铵基双(三氟甲基磺酰)酰亚胺和n,n-二乙基-n-甲基-n-(2-甲氧基乙基)四氟硼酸季铵盐、1-丁基-4-甲基吡啶氯盐、1-丁基-4-甲基吡啶溴盐、1-己基-4-甲基吡啶氯盐、1-己基-4-甲基吡啶溴盐、1-丁基-4-甲基吡啶四氟硼酸盐或1-丁基-4-甲基吡啶六氟磷酸盐中的至少一种。
9.根据权利要求1所述的光电器件，其特征在于，所述光电器件还包括电子功能层，所述电子功能层设置于所述阴极与所述第一量子点发光层之间；所述电子功能层包括电子传输层和/或电子注入层，对于包含所述电子传输层和所述电子注入层的所述电子功能层，所述电子传输层较所述电子注入层更靠近所述第一量子点发光层，所述电子注入层较所述电子传输层更靠近所述阴极；
10.根据...
【专利技术属性】
技术研发人员：王华民，
申请(专利权)人：TCL科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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