【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及显示，尤其是涉及一种像素单元及其制备方法、发光器件和显示面板。
技术介绍
1、在发光器件结构中，像素单元对器件的性能具有重要的影响。其中，像素单元的膜厚均匀是重要的影响因素之一。在制备像素单元时，墨滴在干燥时常常会伴随“咖啡环现象”的发生，即干燥过程中墨滴边缘接触线处溶剂挥发速度较快而形成由内向外的毛细流动，从而把溶质带到接触线处沉淀而形成薄膜周围厚中间薄的现象，进而导致薄膜的均匀性降低。而通常墨水体积越大，薄膜厚度不均匀的问题越明显。比如，如图1所示，其中，a、b分别表示不同子像素中使用不同体积墨水的示意，a中使用的墨水的体积大于b中使用的墨水的体积，c、d分别表示a、b中子像素薄膜干燥之后的示意。由图1中可以看出，当墨水的体积越大时，薄膜周围厚中间薄的现象越明显，薄膜的厚度越不均匀。薄膜厚度的不均匀性会降低像素单元的发光均匀性。
技术实现思路
1、基于此，有必要提供一种能够提高薄膜厚度均匀性的像素单元及其制备方法、发光器件和显示面板。
2、为了解决以上技术问题，本专利技术一实施例的技术方案为：
3、一种像素单元，包括第一子像素和第二子像素；所述第一子像素的发射波长大于所述第二子像素的发射波长；
4、各子像素均包括阳极和阴极，所述第一子像素的阳极和阴极之间形成第一微腔，所述第二子像素的阳极和阴极之间形成第二微腔，其中，所述第一微腔的谐振模式级数小于所述第二微腔的谐振模式级数。
5、在其中一个实施例中，所述第一微腔的谐振
6、在其中一个实施例中，所述像素单元还包括第三子像素，所述第三子像素的发射波长大于所述第二子像素的发射波长，所述第三子像素的阳极和阴极之间形成第三微腔，所述第三微腔的谐振模式级数小于所述第二微腔的谐振模式级数。
7、在其中一个实施例中，所述第一微腔的谐振模式级数与所述第三微腔的谐振模式级数相等。
8、在其中一个实施例中，各子像素还包括有机层，各子像素的有机层位于该子像素的阳极和阴极之间。
9、在其中一个实施例中，各子像素的有机层的厚度与该子像素的微腔的谐振模式级数满足式(ⅰ)：
10、
11、其中，n表示有机层中各子层的折射率；m为整数，表示有机层的各子层；d表示有机层中各子层的厚度；q表示谐振模式级数；λq表示子像素的发射波长。
12、在其中一个实施例中，所述第一子像素的有机层的厚度为70nm～140nm，所述第二子像素的有机层的厚度为110nm～180nm，所述第三子像素的有机层的厚度为50nm～120nm。
13、在其中一个实施例中，各子像素的有机层包括依次层叠设置的空穴注入层、空穴传输层以及发光层，所述空穴注入层较所述发光层更加靠近该子像素的阳极。
14、在其中一个实施例中，所述第一子像素的发光层的厚度为25nm～65nm，所述第二子像素的发光层的厚度为25nm～65nm，所述第三子像素的发光层的厚度为25nm～65nm。
15、在其中一个实施例中，所述空穴注入层和所述空穴传输层的材料各自独立地包括tfb、cupc、pvk、poly-tpd、dntpd、tcata、tcca、cbp、tpd、npb、npd、pedot:pss、tapc、mcc、f4-tcnq、hatcn、4,4',4'-三(n-3-甲基苯基-n苯基氨基)三苯胺、聚苯胺、过渡金属氧化物、过渡金属硫化物、过渡金属锡化物、掺杂石墨烯、非掺杂石墨烯以及c60中的一种或多种；和/或，
16、所述发光层的材料包括4,4'-双(n-咔唑)-1,1'-联苯:三[2-(对甲苯基)吡啶-c2,n)合铱(iii)、4,4',4”-三(咔唑-9-基)三苯胺:三[2-(对甲苯基)吡啶-c2,n)合铱、二芳香基蒽衍生物、二苯乙烯芳香族衍生物、芘衍生物、芴衍生物、tbpe荧光材料、ttpx荧光材料、tbrb荧光材料及dbp荧光材料、聚乙炔及其衍生物、聚对苯及其衍生物、聚噻吩及其衍生物以及聚芴及其衍生物中的一种或多种；和/或，
17、所述阳极的材料选自金属、碳材料以及金属氧化物中的一种或多种；所述金属选自al、ag、pt、cu、mo、au、ba、ca以及mg中的一种或多种；所述碳材料选自石墨、碳纳米管、石墨烯以及碳纤维中的一种或多种；所述金属氧化物包括ito、fto、ato、azo、gzo、izo、mzo以及amo中的一种或多种；或者所述阳极包括透明金属氧化物之间夹着金属的复合电极；所述复合电极选自azo/ag/azo、azo/al/azo、ito/ag/ito、ito/al/ito、zno/ag/zno、zno/al/zno、tio2/ag/tio2、tio2/al/tio2、zns/ag/zns、zns/al/zns、tio2/ag/tio2以及tio2/al/tio2中的一种或多种；和/或，
18、所述阴极的材料选自金属、碳材料以及金属氧化物中的一种或多种；所述金属选自al、ag、cu、mo、au、ba、ca以及mg中的一种或多种；所述碳材料选自石墨、碳纳米管、石墨烯以及碳纤维中的一种或多种；所述金属氧化物包括ito、fto、ato、azo、gzo、izo、mzo以及amo中的一种或多种；或者所述阴极包括透明金属氧化物之间夹着金属的复合电极，所述复合电极选自azo/ag/azo、azo/al/azo、ito/ag/ito、ito/al/ito、zno/ag/zno、zno/al/zno、tio2/ag/tio2、tio2/al/tio2、zns/ag/zns、zns/al/zns、tio2/ag/tio2以及tio2/al/tio2中的一种或多种。
19、一种像素单元的制备方法，包括如下步骤：
20、提供阳极和阴极，在所述阳极和所述阴极之间的第一子像素所处区域形成第一微腔，在所述阳极和所述阴极之间的第二子像素所处区域形成第二微腔；
21、其中，所述第一子像素的发射波长大于所述第二子像素的发射波长；所述第一微腔的谐振模式级数小于所述第二微腔的谐振模式级数。
22、在其中一个实施例中，还包括如下步骤：在所述阳极和所述阴极之间的第三子像素所处区域形成第三微腔，其中，所述第三子像素的发射波长大于所述第二子像素的发射波长，所述第三微腔的谐振模式级数小于所述第二微腔的谐振模式级数。
23、在其中一个实施例中，形成各微腔包括在所述阳极和所述阴极之间的各子像素所处区域分别形成有机层。
24、在其中一个实施例中，形成各有机层包括：形成依次层叠设置的空穴注入层、空穴传输层以及发光层，并使所述空穴注入层较所述发光层更加靠近该子像素的阳极。
25、在其中一个实施例中，形成所述空穴注入层时，各子像素对应的墨水的浓度相同；
26、形成所述空穴传输层时，各子像素对应的墨水的浓度相同；
27、形成所述发光层时，各子像本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种像素单元，其特征在于，包括第一子像素和第二子像素；所述第一子像素的发射波长大于所述第二子像素的发射波长；
2.根据权利要求1所述的像素单元，其特征在于，所述第一微腔的谐振模式级数为1，所述第二微腔的谐振模式级数为2。
3.根据权利要求1或2所述的像素单元，其特征在于，所述像素单元还包括第三子像素，所述第三子像素的发射波长大于所述第二子像素的发射波长，所述第三子像素的阳极和阴极之间形成第三微腔，所述第三微腔的谐振模式级数小于所述第二微腔的谐振模式级数。
4.根据权利要求3所述的像素单元，其特征在于，所述第一微腔的谐振模式级数与所述第三微腔的谐振模式级数相等。
5.根据权利要求3所述的像素单元，其特征在于，各子像素还包括有机层，各子像素的有机层位于该子像素的阳极和阴极之间。
6.根据权利要求5所述的像素单元，其特征在于，各子像素的有机层的厚度与该子像素的微腔的谐振模式级数满足式(Ⅰ)：
7.根据权利要求5所述的像素单元，其特征在于，所述第一子像素的有机层的厚度为70nm～140nm，所述第二子像素的有机层
8.根据权利要求5所述的像素单元，其特征在于，各子像素的有机层包括依次层叠设置的空穴注入层、空穴传输层以及发光层，所述空穴注入层较所述发光层更加靠近该子像素的阳极。
9.根据权利要求8所述的像素单元，其特征在于，所述第一子像素的发光层的厚度为25nm～65nm，所述第二子像素的发光层的厚度为25nm～65nm，所述第三子像素的发光层的厚度为25nm～65nm。
10.根据权利要求8所述的像素单元，其特征在于，所述空穴注入层和所述空穴传输层的材料各自独立地包括TFB、CuPc、PVK、Poly-TPD、DNTPD、TCATA、TCCA、CBP、TPD、NPB、NPD、PEDOT:PSS、TAPC、MCC、F4-TCNQ、HATCN、4,4',4'-三(N-3-甲基苯基-N苯基氨基)三苯胺、聚苯胺、过渡金属氧化物、过渡金属硫化物、过渡金属锡化物、掺杂石墨烯、非掺杂石墨烯以及C60中的一种或多种；和/或，
11.一种像素单元的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
12.根据权利要求11所述的像素单元的制备方法，其特征在于，还包括如下步骤：
13.根据权利要求11或12所述的像素单元的制备方法，其特征在于，形成各微腔包括在所述阳极和所述阴极之间的各子像素所处区域分别形成有机层。
14.根据权利要求13所述的像素单元的制备方法，其特征在于，形成各有机层包括：形成依次层叠设置的空穴注入层、空穴传输层以及发光层，并使所述空穴注入层较所述发光层更加靠近该子像素的阳极。
15.根据权利要求14所述的像素单元的制备方法，其特征在于，形成所述空穴注入层时，各子像素对应的墨水的浓度相同；
16.一种发光器件，其特征在于，包括：基板和如权利要求1～10中任一项所述的像素单元或者如权利要求11～15中任一项所述的制备方法制备的像素单元，所述像素单元在所述基板上呈阵列排布。
17.一种显示面板，其特征在于，包括权利要求16所述的发光器件。
...【技术特征摘要】
1.一种像素单元，其特征在于，包括第一子像素和第二子像素；所述第一子像素的发射波长大于所述第二子像素的发射波长；
2.根据权利要求1所述的像素单元，其特征在于，所述第一微腔的谐振模式级数为1，所述第二微腔的谐振模式级数为2。
3.根据权利要求1或2所述的像素单元，其特征在于，所述像素单元还包括第三子像素，所述第三子像素的发射波长大于所述第二子像素的发射波长，所述第三子像素的阳极和阴极之间形成第三微腔，所述第三微腔的谐振模式级数小于所述第二微腔的谐振模式级数。
4.根据权利要求3所述的像素单元，其特征在于，所述第一微腔的谐振模式级数与所述第三微腔的谐振模式级数相等。
5.根据权利要求3所述的像素单元，其特征在于，各子像素还包括有机层，各子像素的有机层位于该子像素的阳极和阴极之间。
6.根据权利要求5所述的像素单元，其特征在于，各子像素的有机层的厚度与该子像素的微腔的谐振模式级数满足式(ⅰ)：
7.根据权利要求5所述的像素单元，其特征在于，所述第一子像素的有机层的厚度为70nm～140nm，所述第二子像素的有机层的厚度为110nm～180nm，所述第三子像素的有机层的厚度为50nm～120nm。
8.根据权利要求5所述的像素单元，其特征在于，各子像素的有机层包括依次层叠设置的空穴注入层、空穴传输层以及发光层，所述空穴注入层较所述发光层更加靠近该子像素的阳极。
9.根据权利要求8所述的像素单元，其特征在于，所述第一子像素的发光层的厚度为25nm～65nm，所述第二子像素的发光层的厚度为25nm～65nm，所...
【专利技术属性】
技术研发人员：董婷，
申请(专利权)人：广东聚华印刷显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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