一种静电泻放保护装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术提供一种静电泻放保护装置，包括：ＰＮＰ管、第一ＮＰＮ管、第二ＮＰＮ管和二极管；所述ＰＮＰ管的发射极连接被保护管脚，所述ＰＮＰ管的集电极接地，所述ＰＮＰ管的基极连接所述二极管的阴极；所述二极管的阳极接地；所述第一ＮＰＮ管的发射极连接被保护管脚，所述第一ＮＰＮ管的基极连接被保护管脚，所述第一ＮＰＮ管的集电极连接ＰＮＰ管的基极；所述第二ＮＰＮ管的集电极连接ＰＮＰ管的基极，所述第二ＮＰＮ管的基极和发射极接地。（*该技术在2020年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及静电保护
，特别涉及一种静电泻放保护装置。
技术介绍
静电泻放(ESD，Electro Static Discharge)是一种由静电引起的电过应力的形式，会对集成电路造成破坏性的能量冲击。为了避免集成电路在生产过程中被ESD损伤，在集成电路内部均设有ESD保护电路。当集成电路内部有静电产生时，ESD保护电路为静电提供泻放的电流路径，以免静电泻放电流流入集成电路内部而造成损伤。在大部分场合下，集成电路的输入输出管脚之间的电压为介于0V和正电源电压之间，例如0V-5V。针对这个范围的ESD保护电路已经研究得很成熟。但是在一些特殊的场合，尤其是电源系统中，电源管理集成电路的输入管脚既可以存在正电压(例如5V)，也可能存在负电压(例如-30V)。对于这种类型的集成电路，其ESD保护电路需要特别地设计。目前的ESD保护电路针对静电负电压，只能维持在较高的触发电压，不能回跳到较低的维持电压，这样将造成ESD保护电路的能量消耗较大。
技术实现思路
本技术要解决的技术问题是提供一种静电泻放保护装置，可以降低电路的能量消耗。本技术提供一种静电泻放保护装置，包括：PNP管、第一NPN管、第二本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种静电泻放保护装置，其特征在于，包括：ＰＮＰ管、第一ＮＰＮ管、第二ＮＰＮ管和二极管；所述ＰＮＰ管的发射极连接被保护管脚，所述ＰＮＰ管的集电极接地，所述ＰＮＰ管的基极连接所述二极管的阴极；所述二极管的阳极接地；所述第一ＮＰＮ管的发射极连接被保护管脚，所述第一ＮＰＮ管的基极连接被保护管脚，所述第一ＮＰＮ管的集电极连接ＰＮＰ管的基极；所述第二ＮＰＮ管的集电极连接ＰＮＰ管的基极，所述第二ＮＰＮ管的基极和发射极接地。

【技术特征摘要】
1.一种静电泻放保护装置，其特征在于，包括：PNP管、第一NPN管、第二NPN管和二极管；所述PNP管的发射极连接被保护管脚，所述PNP管的集电极接地，所述PNP管的基极连接所述二极管的阴极；所述二极管的阳极接地；所述第一NPN管的发射极连接被保护管脚，所述第一NPN管的基极连接被保护管脚，所述第一NPN管的集电极连接PNP管的基极；所述第二NPN管的集电极连接PNP管的基极，所述第二NPN管的基极和发射极接地。2.根据权利要求1所述的静电泻放保护装置，其特征在于，所述PNP管的基极由N阱构成，所述PNP管的发射极和集电极由扩入所述N阱的P型区构成，中心区的P型区为发射区。3.根据权利要求1所述的静电泻放保护装置，其特征在于，所述第二NPN管由所述PNP管的集电极的P型区注入N+构成，PNP管的集电极的P型区构成第二NPN管的基极，所述N+构成第二NPN管的发射极，PNP管的基极构成第二NPN管的集电极。4.根据权利要求1所述的静电泻放保护装置，其特征在于，所述第一NPN管由所述PNP管的发...

【专利技术属性】
技术研发人员：王燕萍，崔士巡，
申请(专利权)人：上海新进半导体制造有限公司，
类型：实用新型
国别省市：31[中国|上海]