【技术实现步骤摘要】
本揭露是有关于一种半导体结构。
技术介绍
1、随着电子工业的快速发展，集成电路(integrated circuits；ics)的发展已经实现高性能与微型化。集成电路的材料与设计的技术进步已经产生数代的集成电路，其中每一代都比前一代具有更小且更复杂的电路。
2、随着单一晶片上的电子元件的数量快速地增加，已将三维集成电路布局或堆叠晶片设计用于某些半导体元件，以克服与二维布局相关的特征尺寸与密度限制。然而，半导体结构的特征尺寸与密度仍有待改善。
技术实现思路
1、本揭露的一技术态样为一种半导体结构。
2、根据本揭露的一些实施方式，一种半导体结构包括基板、反熔丝、第一晶体管、第二晶体管、接触结构以及介电层。基板包括井区域、井区域中的第一导电类型掺杂区域及井区域中的第二导电类型掺杂区域，其中在上视图中，第二导电类型掺杂区域包围第一导电类型掺杂区域，且第二导电类型掺杂区域包括第一部分与垂直第一部分的第二部分。反熔丝设置于第一导电类型掺杂区域的反熔丝区域中。第一晶体管与第二晶体管设置于井区域中，其中反熔丝设置于第一晶体管与第二晶体管之间，且反熔丝电性连接第一晶体管与第二晶体管。接触结构设置于反熔丝上。介电层设置于接触结构与第一导电类型掺杂区域的反熔丝区域之间。
3、在一些实施方式中，在上视图中，第二导电类型掺杂区域还包括平行第一部分的第三部分。
4、在一些实施方式中，在上视图中，第二导电类型掺杂区域还包括垂直第三部分的第四部分。
5、
6、在一些实施方式中，在上视图中，接触结构的长度方向垂直第二导电类型掺杂区域的第二部分的长度方向。
7、在一些实施方式中，半导体结构还包括第一接触与第二接触，设置于反熔丝区域上，其中第一接触与第二接触设置于接触结构的相对侧上。
8、在一些实施方式中，半导体结构还包括第三接触与第四接触。第三接触设置于第一晶体管的源极/漏极区域上。第四接触设置于第二晶体管的源极/漏极区域上。
9、在一些实施方式中，半导体结构还包括第一导电结构与第二导电结构。第一导电结构设置于第一晶体管与反熔丝上，使得反熔丝电性连接第一晶体管。第二导电结构设置于第二晶体管与反熔丝上，使得反熔丝电性连接第二晶体管。
10、在一些实施方式中，第一晶体管与第二晶体管以并联连接且共用栅极结构。
11、在一些实施方式中，接触结构的顶面与第一晶体管的栅极结构的顶面实质上共面。
12、本揭露的另一技术态样为一种半导体结构。
13、根据本揭露的一些实施方式，一种半导体结构包括一种半导体结构包括基板、隔离结构、反熔丝、第一晶体管、第二晶体管以及接触结构。基板包括井区域、井区域中的第一导电类型掺杂区域及井区域中的第二导电类型掺杂区域，其中在上视图中，第二导电类型掺杂区域包围第一导电类型掺杂区域，且第二导电类型掺杂区域包括第一部分与垂直第一部分的第二部分。隔离结构设置于基板中且配置以将第一导电类型掺杂区域电性绝缘第二导电类型掺杂区域。反熔丝设置于第一导电类型掺杂区域的反熔丝区域中。第一晶体管与第二晶体管设置于井区域中，其中反熔丝设置于第一晶体管与第二晶体管之间，且反熔丝电性连接第一晶体管与第二晶体管。接触结构设置于反熔丝上。
14、在一些实施方式中，第一晶体管与第二晶体管以并联连接且共用第一栅极结构。
15、在一些实施方式中，半导体结构还包括第三晶体管与第四晶体管，其中第二晶体管比第一晶体管更靠近第三晶体管，且第三晶体管与第四晶体管以并联连接且共用第二栅极结构。
16、在一些实施方式中，第一栅极结构与第二栅极结构之间的最小距离在40纳米至200纳米的范围间。
17、在一些实施方式中，半导体结构还包括导电结构，设置于第二晶体管与第三晶体管上，使得第二晶体管电性连接第三晶体管。
18、在一些实施方式中，井区域的导电类型相同于第二导电类型掺杂区域的导电类型但不同于第一导电类型掺杂区域的导电类型。
19、在一些实施方式中，在上视图中，第二导电类型掺杂区域的第一部分具有条状轮廓。
20、在一些实施方式中，在上视图中，第二导电类型掺杂区域的第二部分的形状实质相同于第二导电类型掺杂区域的第一部分的形状。
21、在一些实施方式中，其中在上视图中，第二导电类型掺杂区域还包括平行第一部分的第三部分以及垂直第三部分的第四部分。
22、在一些实施方式中，在上视图中，第二导电类型掺杂区域的第一部分、第二部分、第三部分及第四部分形成环状轮廓。
23、根据本揭露上述实施方式，由于在上视图中，基板的第二导电类型掺杂区域包围第一导电类型掺杂区域，且第二导电类型掺杂区域包括第一部分与垂直第一部分的第二部分，故半导体结构可以更均匀。此外，可以减少半导体结构的特征尺寸，从而增加积体密度。如此一来，可以改善半导体结构的性能。
24、应当了解前面的一般说明和以下的详细说明都仅是示例，并且旨在提供对本揭露的进一步解释。
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1.一种半导体结构，其特征在于，包含：
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其中在该上视图中，该第二导电类型掺杂区域还包含平行该第一部分的第三部分。
3.根据权利要求2所述的半导体结构，其中在该上视图中，该第二导电类型掺杂区域还包含垂直该第三部分的第四部分。
4.根据权利要求3所述的半导体结构，其中在该上视图中，该第二导电类型掺杂区域的该第一部分、该第二部分、该第三部分及该第四部分形成环状轮廓。
5.根据权利要求1所述的半导体结构，其中在该上视图中，该接触结构的长度方向垂直该第二导电类型掺杂区域的该第二部分的长度方向。
6.根据权利要求1所述的半导体结构，其中还包含：
7.根据权利要求1所述的半导体结构，其中还包含：
8.根据权利要求1所述的半导体结构，其中还包含：
9.根据权利要求1所述的半导体结构，其中该第一晶体管与该第二晶体管以并联连接且共用栅极结构。
10.根据权利要求9所述的半导体结构，其中该接触结构的顶面与该第一晶体管的该栅极结构的顶面实质上共面。
12.根据权利要求11所述的半导体结构，其中该第一晶体管与该第二晶体管以并联连接且共用第一栅极结构。
13.根据权利要求12所述的半导体结构，其中还包含：
14.根据权利要求13所述的半导体结构，其中该第一栅极结构与该第二栅极结构之间的最小距离在40纳米至200纳米的范围间。
15.根据权利要求13所述的半导体结构，其中还包含：
16.根据权利要求11所述的半导体结构，其中该井区域的导电类型相同于该第二导电类型掺杂区域的导电类型但不同于该第一导电类型掺杂区域的导电类型。
17.根据权利要求11所述的半导体结构，其中在该上视图中，该第二导电类型掺杂区域的该第一部分具有条状轮廓。
18.根据权利要求11所述的半导体结构，其中在该上视图中，该第二导电类型掺杂区域的该第二部分的形状实质相同于该第二导电类型掺杂区域的该第一部分的形状。
19.根据权利要求11所述的半导体结构，其中在该上视图中，该第二导电类型掺杂区域还包含：
20.根据权利要求19所述的半导体结构，其中在该上视图中，该第二导电类型掺杂区域的该第一部分、该第二部分、该第三部分及该第四部分形成环状轮廓。
...【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包含：
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其中在该上视图中，该第二导电类型掺杂区域还包含平行该第一部分的第三部分。
3.根据权利要求2所述的半导体结构，其中在该上视图中，该第二导电类型掺杂区域还包含垂直该第三部分的第四部分。
4.根据权利要求3所述的半导体结构，其中在该上视图中，该第二导电类型掺杂区域的该第一部分、该第二部分、该第三部分及该第四部分形成环状轮廓。
5.根据权利要求1所述的半导体结构，其中在该上视图中，该接触结构的长度方向垂直该第二导电类型掺杂区域的该第二部分的长度方向。
6.根据权利要求1所述的半导体结构，其中还包含：
7.根据权利要求1所述的半导体结构，其中还包含：
8.根据权利要求1所述的半导体结构，其中还包含：
9.根据权利要求1所述的半导体结构，其中该第一晶体管与该第二晶体管以并联连接且共用栅极结构。
10.根据权利要求9所述的半导体结构，其中该接触结构的顶面与该第一晶体管的该栅极结构的顶面实质上共面。
11.一种半导体结构，其特征在于，包含：
12.根...
【专利技术属性】
技术研发人员：李维中，丘世仰，
申请(专利权)人：南亚科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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