【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种半导体结构及其制作方法，特别涉及一种整合不同元件区域的制作方法及该制作方法所形成的半导体结构。
技术介绍
1、现今半导体元件中为了缩小芯片的体积，会在单个裸片或基底上形成多种半导体元件，例如，逻辑晶体管、高压晶体管或是非易失性存储器结构以增加集成度。
2、这种增加集成度的设计会严重影响逻辑晶体管、高压晶体管或是非易失性存储器结构的制作工艺，逻辑晶体管、高压晶体管和非易失性存储器结构各自需要不同的制作工艺，举例而言逻辑晶体管一般是用基本的金属氧化物半导体制作工艺制造，而高压晶体管则需要进行形成较厚的栅极氧化层的步骤，至于非易失性存储器结构需要有制作浮置栅极、控制栅极等步骤。
3、为了将上述元件整合制作在同一基底上，在制作工艺上需要有让各个元件制作工艺相容的设计。
技术实现思路
1、有鉴于此，本专利技术提供了一种整合不同元件的制作方法及其半导体结构。
2、根据本专利技术的优选实施例，一种半导体结构包含一基底，基底划分为一第一元件区、一第二元件区和一交界区，其中交界区位于第一元件和第二元件区之间，一第一掩模结构覆盖第一元件区，一第二掩模结构设置于交界区以及一逻辑栅极结构设置于第二元件区。
3、根据本专利技术的另一优选实施例，一种半导体结构的制作方法包含提供一基底，基底划分为一第一元件区、一第二元件区和一交界区，其中交界区位于第一元件区和第二元件区之间，接着形成一掩模覆盖第一元件区、交界区和第二元件区，然后图案化掩模以形成一
4、为让本专利技术的上述目的、特征及优点能更明显易懂，下文特举优选实施方式，并配合所附的附图，作详细说明如下。然而如下的优选实施方式与附图仅供参考与说明用，并非用来对本专利技术加以限制者。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种半导体结构，包含：
2.如权利要求1所述的半导体结构，还包含多晶硅层覆盖该第一元件区，该多晶硅层位于该第一掩模结构和该基底之间，该第二掩模结构不接触该多晶硅层。
3.如权利要求1所述的半导体结构，还包含多晶硅层覆盖该第一元件区以及该交界区，其中位于该第一元件区的该多晶硅层设置在该第一掩模结构和该基底之间，其中位于该交界区的该多晶硅层设置在该第二掩模结构的下方并且接触第二掩模结构。
4.如权利要求1所述的半导体结构，其中该第一掩模结构仅包含氧化硅层，该第二掩模结构仅包含该氧化硅层。
5.如权利要求1所述的半导体结构，其中该第一元件区包含高压晶体管区或存储器区，该第二元件区包含逻辑电路区。
6.如权利要求1所述的半导体结构，其中该第一掩模结构为绝缘材料。
7.如权利要求1所述的半导体结构，还包含浅沟槽隔离设置在该交界区的该基底中。
8.如权利要求7所述的半导体结构，其中该第二掩模结构设置在该浅沟槽隔离上。
9.一种半导体结构的制作方法，包含：
10.如权利要求9所述的半
11.如权利要求10所述的半导体结构的制作方法，其中该沟槽截断该掩模和该多晶硅层，残留的该多晶硅层分别位于该第一元件区和该交界区，位于该交界区内的该多晶硅层位于该第二掩模下方并且该第二掩模接触该多晶硅层。
12.如权利要求10所述的半导体结构的制作方法，其中该沟槽截断该掩模并且移除位于该交界区的该多晶硅层的末端，使得该第二掩模不接触该多晶硅层。
13.如权利要求9所述的半导体结构的制作方法，其中该掩模包含氧化硅-氮化硅-氧化硅堆叠层。
14.如权利要求9所述的半导体结构的制作方法，其中该掩模为绝缘材料。
15.如权利要求9所述的半导体结构的制作方法，其中该沟槽环绕该第一元件区。
16.如权利要求9所述的半导体结构的制作方法，还包含浅沟槽隔离设置在该交界区的该基底中。
17.如权利要求16所述的半导体结构的制作方法，其中该第二掩模设置在该浅沟槽隔离上。
18.如权利要求9所述的半导体结构的制作方法，其中该第一元件区包含高压晶体管区或存储器区，该第二元件区包含逻辑电路区。
...【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，包含：
2.如权利要求1所述的半导体结构，还包含多晶硅层覆盖该第一元件区，该多晶硅层位于该第一掩模结构和该基底之间，该第二掩模结构不接触该多晶硅层。
3.如权利要求1所述的半导体结构，还包含多晶硅层覆盖该第一元件区以及该交界区，其中位于该第一元件区的该多晶硅层设置在该第一掩模结构和该基底之间，其中位于该交界区的该多晶硅层设置在该第二掩模结构的下方并且接触第二掩模结构。
4.如权利要求1所述的半导体结构，其中该第一掩模结构仅包含氧化硅层，该第二掩模结构仅包含该氧化硅层。
5.如权利要求1所述的半导体结构，其中该第一元件区包含高压晶体管区或存储器区，该第二元件区包含逻辑电路区。
6.如权利要求1所述的半导体结构，其中该第一掩模结构为绝缘材料。
7.如权利要求1所述的半导体结构，还包含浅沟槽隔离设置在该交界区的该基底中。
8.如权利要求7所述的半导体结构，其中该第二掩模结构设置在该浅沟槽隔离上。
9.一种半导体结构的制作方法，包含：
10.如权利要求9所述的半导体结...
【专利技术属性】
技术研发人员：王璇凯，郑兆升，黄启政，
申请(专利权)人：联华电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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