【技术实现步骤摘要】
本申请实施例涉及太阳能电池领域，特别涉及一种太阳能电池及光伏组件。
技术介绍
1、太阳能电池具有较好的光电转换能力，通常，为了抑制太阳能电池中基底表面的载流子复合以及增强对基底的钝化效果，通常会在基底表面制备隧穿氧化层以及掺杂导电层。其中，掺杂导电层中具有掺杂元素。
2、掺杂导电层用于起到场钝化作用，掺杂导电层中的掺杂元素可以用于在基底表面形成能带弯曲，对掺杂导电层的钝化效果起到重要的作用，从而影响太阳能电池的光电转换性能。而目前的太阳能电池存在光电转换效率较低的问题。
技术实现思路
1、本申请实施例提供一种太阳能电池光伏组件，至少有利于提高太阳能电池的光电转换效率。
2、本申请实施例提供一种太阳能电池，包括：基底，所述基底具有相对的正面以及背面；位于与金属图案区域对准的基底正面上且在沿背离所述基底方向上依次设置的第一隧穿层以及第一掺杂导电层，所述第一掺杂导电层的掺杂元素类型与所述基底的掺杂元素类型相同；位于所述基底背面且在沿背离所述基底方向上依次设置的第二隧穿层以及第二掺杂导电层，所述第二掺杂导电层的掺杂元素类型与所述第一掺杂导电层的掺杂元素类型不同；所述第一掺杂导电层在拉曼能谱中的第一峰值附近的半峰宽值不大于所述第二掺杂导电层在拉曼能谱中的所述第一峰值附近的半峰宽值。
3、另外，所述第一峰值为520cm-1，所述第一掺杂导电层在520cm-1附近的半峰宽值为2cm-1～6cm-1。
4、另外，所述第一峰值为520cm-1，所述第二
5、另外，所述第一掺杂导电层的厚度不大于所述第二掺杂导电层的厚度。
6、另外，所述第一掺杂导电层的厚度为20nm～300nm。
7、另外，所述第二掺杂导电层包括第二掺杂元素，所述第二掺杂元素经退火激活后得到激活的第二掺杂元素，所述激活的第二掺杂元素浓度为4×1019atom/cm3～9×1019atom/cm3。
8、另外，所述第二掺杂导电层的厚度为50nm～500nm。
9、另外，所述第一掺杂导电层包括第一掺杂元素，所述第一掺杂元素经退火激活后得到激活的第一掺杂元素，所述激活的第一掺杂元素浓度为1×1020atom/cm3～6×1020atom/cm3。
10、另外，所述第一掺杂导电层的晶粒尺寸大于所述第二掺杂导电层的晶粒尺寸。
11、另外，所述基底为n型基底，所述第一掺杂导电层为n型掺杂导电层，所述第二掺杂导电层为p型掺杂导电层。
12、另外，所述第一掺杂导电层的掺杂元素包括磷元素，所述第二掺杂导电层的掺杂元素包括硼元素。
13、另外，所述第一掺杂导电层与所述第二掺杂导电层的材料包括碳化硅、微晶硅或多晶硅的至少一种。
14、另外，还包括：第一钝化层，所述第一钝化层的第一部分位于所述第一掺杂导电层远离所述基底的表面，所述第一钝化层的第二部分位于非金属图案区域对准的正面。
15、另外，所述第一钝化层的第一部分的顶面与所述第一钝化层的第二部分的顶面不齐平。
16、另外，所述第一钝化层的材料为氧化硅、氧化铝、氮化硅或者氮氧化硅中的至少一者。
17、另外，还包括：第一电极，所述第一电极设置于所述金属图案区域上，并与所述第一掺杂导电层电连接。
18、另外，还包括：扩散区，所述扩散区位于所述金属图案区域对准的所述基底中，所述扩散区的顶部与所述第一隧穿层接触，所述扩散区的掺杂元素浓度大于所述基底的掺杂元素浓度。
19、另外，还包括：第二钝化层，所述第二钝化层位于第二掺杂导电层远离基底的表面。
20、另外，还包括：第二电极，所述第二电极位于基底的背面，所述第二电极与所述第二掺杂导电层电接触。
21、相应地，本申请实施例还提供一种光伏组件，包括电池串，电池串由多个上述任一项的太阳能电池连接而成；封装层，封装层用于覆盖电池串的表面盖板，盖板用于覆盖封装层远离电池串的表面。
22、本申请实施例提供的技术方案至少具有以下优点：
23、本申请实施例提供的太阳能电池的技术方案中，设置位于正面的第一掺杂导电层的半峰宽值不大于第二掺杂导电层的半峰宽值，使得第一掺杂导电层的中的晶粒尺寸不小于第二掺杂导电层的晶粒尺寸，当第一掺杂导电层的晶粒尺寸越大时，第一掺杂导电层对入射光线的吸收能力越弱，因此，可以保证第一掺杂导电层对正面的入射光线的寄生吸收较小，提高掺杂基底对入射光线的吸收利用率，从而提高太阳能电池的光电转换性能。
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1.一种太阳能电池，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一峰值为520cm-1，所述第一掺杂导电层在520cm-1附近的半峰宽值为2cm-1～6cm-1。
3.根据权利要求1或2所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一峰值为520cm-1，所述第二掺杂导电层在520cm-1附近的半峰宽值为2cm-1～8cm-1。
4.根据权利要求3所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一掺杂导电层的厚度不大于所述第二掺杂导电层的厚度。
5.根据权利要求4所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一掺杂导电层的厚度为20nm～300nm。
6.根据权利要求5所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一掺杂导电层包括第一掺杂元素，所述第一掺杂元素经退火激活后得到激活的第一掺杂元素，所述激活的第一掺杂元素浓度为1×1020atom/cm3～6×1020atom/cm3。
7.根据权利要求4所述的太阳能电池，其特征在于，所述第二掺杂导电层的厚度为50nm～500nm。
8.根据权利要求7所述的太阳能
9.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一掺杂导电层的晶粒尺寸大于所述第二掺杂导电层的晶粒尺寸。
10.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述基底为N型基底，所述第一掺杂导电层为N型掺杂导电层，所述第二掺杂导电层为P型掺杂导电层。
11.根据权利要求9所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一掺杂导电层的掺杂元素包括磷元素，所述第二掺杂导电层的掺杂元素包括硼元素。
12.根据权利要求9所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一掺杂导电层与所述第二掺杂导电层的材料包括碳化硅、微晶硅或多晶硅的至少一种。
13.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，还包括：第一钝化层，所述第一钝化层的第一部分位于所述第一掺杂导电层远离所述基底的表面，所述第一钝化层的第二部分位于非金属图案区域对准的正面。
14.根据权利要求13所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一钝化层的第一部分的顶面与所述第一钝化层的第二部分的顶面不齐平。
15.根据权利要求13所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一钝化层的材料为氧化硅、氧化铝、氮化硅或者氮氧化硅中的至少一者。
16.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，还包括：第一电极，所述第一电极设置于所述金属图案区域上，并与所述第一掺杂导电层电连接。
17.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，还包括：扩散区，所述扩散区位于所述金属图案区域对准的所述基底中，所述扩散区的顶部与所述第一隧穿层接触，所述扩散区的掺杂元素浓度大于所述基底的掺杂元素浓度。
18.根据权利要求1或13所述的太阳能电池，其特征在于，还包括：第二钝化层，所述第二钝化层位于第二掺杂导电层远离基底的表面。
19.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，还包括：第二电极，所述第二电极位于基底的背面，所述第二电极与所述第二掺杂导电层电接触。
20.一种光伏组件，其特征在于，包括：
...【技术特征摘要】
1.一种太阳能电池，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一峰值为520cm-1，所述第一掺杂导电层在520cm-1附近的半峰宽值为2cm-1～6cm-1。
3.根据权利要求1或2所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一峰值为520cm-1，所述第二掺杂导电层在520cm-1附近的半峰宽值为2cm-1～8cm-1。
4.根据权利要求3所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一掺杂导电层的厚度不大于所述第二掺杂导电层的厚度。
5.根据权利要求4所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一掺杂导电层的厚度为20nm～300nm。
6.根据权利要求5所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一掺杂导电层包括第一掺杂元素，所述第一掺杂元素经退火激活后得到激活的第一掺杂元素，所述激活的第一掺杂元素浓度为1×1020atom/cm3～6×1020atom/cm3。
7.根据权利要求4所述的太阳能电池，其特征在于，所述第二掺杂导电层的厚度为50nm～500nm。
8.根据权利要求7所述的太阳能电池，其特征在于，所述第二掺杂导电层包括第二掺杂元素，所述第二掺杂元素经退火激活后得到激活的第二掺杂元素，所述激活的第二掺杂元素浓度为4×1019atom/cm3～9×1019atom/cm3。
9.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一掺杂导电层的晶粒尺寸大于所述第二掺杂导电层的晶粒尺寸。
10.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述基底为n型基底，所述第一掺杂导电层为n型掺杂导电层，所述第二掺杂导电层为p型掺杂导电层。
【专利技术属性】
技术研发人员：毛杰，王钊，郑霈霆，杨洁，张昕宇，
申请(专利权)人：浙江晶科能源有限公司，
类型：发明
国别省市：
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