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【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体材料清洗,具体涉及一种晶圆清洗装置。
技术介绍
1、在半导体领域,晶圆表面的清洁度是影响半导体器件可靠性的重要因素之一。在晶圆制程中,例如:沉积、等离子体刻蚀、光刻、电镀等等,都有可能在晶圆表面引入污染或颗粒,导致晶圆表面的清洁度下降,制造的半导体器件良率不高。为了达到晶圆表面无污染物的目的,需要移除晶圆表面的污染物以避免制程前污染物重新残留于晶圆表面。因此,在晶圆制造过程中需要经过多次的表面清洗,以去除晶圆表面附着的金属离子、原子、有机物及微粒等污染物。
2、晶圆清洗方式有滚刷清洗、兆声清洗等。其中,滚刷清洗应用较为广泛。典型的滚刷清洗设备核心结构包括支架、滚刷、驱动装置、进液装置。其中,支架用于固定整个滚刷机构,滚刷用于清洗晶圆表面,驱动装置用于驱动滚刷旋转,进液装置用于向滚刷内部注入清洗液。
3、现有的滚刷清洗设备,清洗液流经传动机构后进入滚刷内部,会将传动机构间摩擦产生的碎屑混入清洗液内,造成清洗液污染,清洗时对晶圆造成磨损,影响晶圆质量。
技术实现思路
1、本专利技术提供一种滚刷式晶圆清洗装置,通过特定的结构设计,避免受污染的清洗液(指与传动机构间相互摩擦产生的碎屑接触的清洗液)流入滚刷储液腔中,以此避免在清洗过程中由于清洗液污染导致晶圆磨损的问题。
2、为达到此目的,本专利技术采用以下技术方案:
3、滚刷式晶圆清洗装置,包括驱动部、滚刷和轴承座;
4、所述滚刷包括刷轴和连接在刷轴上的刷体;<
...【技术保护点】
1.滚刷式晶圆清洗装置,包括驱动部、滚刷和轴承座;
2.根据权利要求1所述的滚刷式晶圆清洗装置,其特征在于:所述刷轴穿设于轴承座前壁;
3.根据权利要求1所述的滚刷式晶圆清洗装置,其特征在于:所述刷轴与所述供液通道交接处设有清洗液缓冲腔;
4.根据权利要求3所述的滚刷式晶圆清洗装置,其特征在于:所述清洗液缓冲腔通过进液孔与所述储液腔联通;
5.根据权利要求4所述的滚刷式晶圆清洗装置,其特征在于:所述清洗液缓冲腔以所述刷轴为中心呈环形。
6.根据权利要求5所述的滚刷式晶圆清洗装置,其特征在于:环形的清洗液缓冲腔轴向侧壁与进液孔的距离为2-5mm;
7.根据权利要求2所述的滚刷式晶圆清洗装置,其特征在于:轴承座内腔中,轴承与轴承座前壁间距大于2cm。
8.根据权利要求1所述的滚刷式晶圆清洗装置,其特征在于:所述进液孔的数量为多个;
9.根据权利要求1所述的滚刷式晶圆清洗装置,其特征在于:所述排液通道为负压排液通道;
10.根据权利要求7所述的滚刷式晶圆清洗装置,其特征在于:所述
...【技术特征摘要】
1.滚刷式晶圆清洗装置,包括驱动部、滚刷和轴承座;
2.根据权利要求1所述的滚刷式晶圆清洗装置,其特征在于:所述刷轴穿设于轴承座前壁;
3.根据权利要求1所述的滚刷式晶圆清洗装置,其特征在于:所述刷轴与所述供液通道交接处设有清洗液缓冲腔;
4.根据权利要求3所述的滚刷式晶圆清洗装置,其特征在于:所述清洗液缓冲腔通过进液孔与所述储液腔联通;
5.根据权利要求4所述的滚刷式晶圆清洗装置,其特征在于:所述清洗液缓冲腔以所述刷轴为中心呈环形。
6.根...
【专利技术属性】
技术研发人员:果银虎,高智伟,母凤文,郭超,
申请(专利权)人:天津中科晶禾电子科技有限责任公司,
类型:发明
国别省市:
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