本发明公开了一种键合装置，该装置包括一用于表面活化的光源，一真空腔体、一支撑机构和一加压机构；光源用于活化两键合表面，加压机构可以在活化后施加压力辅助键合、支撑机构用于将待键合样品传送至特定位置后支撑固定待键合样品。该键合装置可以避免传...

本发明公开了一种键合装置及键合方法，该装置包括一用于表面活化的光源，一真空腔体、一支撑机构和一加压机构；光源用于活化两键合表面，加压机构可以在活化后施加压力辅助键合、支撑机构用于将待键合样品传送至特定位置后支撑固定待键合样品。该键合装置...

本发明公开了一种多层复合基板结构及其制备方法，该结构包括一半导体功能薄层、一表面活化保护层、一中间接合过渡层、一表面光滑层和一高导热支撑基板层；半导体功能薄层通过键合转移或薄化等方法至高导热支撑基板层之上，可以用于外延层的外延或直接器件...

本实用新型公开了一种具有高散热性能的氮化镓器件结构，该结构包括氮化镓芯片、刻蚀停止层和金刚石散热层，刻蚀停止层具有一第一表面，作为生长界面，金刚石散热层生长于刻蚀停止层的第一表面上；刻蚀停止层具有一与第一表面相对的第二表面，作为键合界面...

本发明公开了一种具有高散热性能的氮化镓器件结构及其制备方法，该结构包括氮化镓芯片、刻蚀停止层和金刚石散热层，刻蚀停止层具有一第一表面，作为生长界面，金刚石散热层生长于刻蚀停止层的第一表面上；刻蚀停止层具有一与第一表面相对的第二表面，作为...