【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体材料加工,尤其涉及一种晶圆烘烤装置。
技术介绍
1、随着半导体行业的高速发展,许多关键工艺前都需要使用加热烘烤的方法清洁晶圆表面,提高晶圆清洁度达到工艺要求。
2、现有加热烘烤设备发热源主要采用加热管或金属电加热丝等材料,将发热源与晶圆支撑工装设计成一体,采用热传递的方式进行烘烤加热。现有加热方式因为加热源需要先加热支撑工装在传到至晶圆,因此热转换利用效率低,功耗高,温度不均匀,控温困难。
技术实现思路
1、本技术的目的在于提供一种晶圆烘烤装置,提升烘烤效率,精准控制烘烤温度。
2、为达此目的,本技术采用以下技术方案:
3、晶圆烘烤装置,包括:工艺腔室;
4、设于所述工艺腔室内的红外线加热器;
5、与所述红外线加热器连接的温控器、温度传感器;
6、所述温控器根据所述温度传感器的反馈控制所述红外线加热器;
7、所述工艺腔室为真空腔室。
8、进一步的,所述工艺腔室内设有支撑结构,所述支撑结构用于承载红外线加热器和晶圆。
9、进一步的,所述支撑结构包括由下至上依次布置的底板、第一支板、顶板;
10、所述底板、第一支板、顶板通过第二支腿连接。
11、进一步的,所述第一支板相对于所述底板和/或所述顶板间距可调。
12、进一步的,所述第一支板用于放置红外线加热器。
13、进一步的,还包括第二支板;
14、所述第二
15、进一步的,所述第二支板通过第一支腿与所述底板或所述顶板连接。
16、进一步的,所述第二支板用于放置晶圆。
17、进一步的,所述红外线加热器的数量为多个。
18、进一步的,多个所述红外线加热器分别配置独立的温控器和温度传感器。
19、本技术的有益效果:
20、本申请提供的晶圆烘烤装置,通过红外线加热器以热辐射的方式烘烤晶圆,热辐射具有很好的方向性和穿透性,可以同时均匀加热晶圆的表面和内部,能够避免热量不均匀引起的晶圆变形。与现有技术中加热管、电热丝烘烤方式相比,无需加热中间工装,能够快速升温,提升热转换效率。以温度传感器、温控器、红外线加热器形成闭环控制,可以实时监测晶圆温度,调节加热温度,由于红外线加热器采用热辐射的方式,直接加热晶圆,关闭加热器,可直接停止加热,实现温度精确控制。用于承载红外线加热器的第一支板与顶板和/或底板的距离可调,以适配不同的烘烤工艺。
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1.晶圆烘烤装置,其特征在于,包括:工艺腔室;
2.根据权利要求1所述的晶圆烘烤装置,其特征在于:所述工艺腔室内设有支撑结构,所述支撑结构用于承载红外线加热器和晶圆。
3.根据权利要求2所述的晶圆烘烤装置,其特征在于:所述支撑结构包括由下至上依次布置的底板、第一支板、顶板;
4.根据权利要求3所述的晶圆烘烤装置,其特征在于:所述第一支板相对于所述底板和/或所述顶板间距可调。
5.根据权利要求4所述的晶圆烘烤装置,其特征在于:所述第一支板用于放置红外线加热器。
6.根据权利要求5所述的晶圆烘烤装置,其特征在于:还包括第二支板;
7.根据权利要求6所述的晶圆烘烤装置,其特征在于:所述第二支板通过第一支腿与所述底板或所述顶板连接。
8.根据权利要求7所述的晶圆烘烤装置,其特征在于:所述第二支板用于放置晶圆。
9.根据权利要求8所述的晶圆烘烤装置,其特征在于:所述红外线加热器的数量为多个。
10.根据权利要求9所述的晶圆烘烤装置,其特征在于:多个所述红外线加热器分别配置独立的温控器
...【技术特征摘要】
1.晶圆烘烤装置,其特征在于,包括:工艺腔室;
2.根据权利要求1所述的晶圆烘烤装置,其特征在于:所述工艺腔室内设有支撑结构,所述支撑结构用于承载红外线加热器和晶圆。
3.根据权利要求2所述的晶圆烘烤装置,其特征在于:所述支撑结构包括由下至上依次布置的底板、第一支板、顶板;
4.根据权利要求3所述的晶圆烘烤装置,其特征在于:所述第一支板相对于所述底板和/或所述顶板间距可调。
5.根据权利要求4所述的晶圆烘烤装置,其特征在于:所述第一支板用于放置红外线加...
【专利技术属性】
技术研发人员:曹宁飞,高智伟,母凤文,郭超,
申请(专利权)人:天津中科晶禾电子科技有限责任公司,
类型:新型
国别省市:
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