一种电子发射装置及电荷中和设备制造方法及图纸

技术编号:40763071 阅读:4 留言:0更新日期:2024-03-25 20:14
本技术涉及半导体技术领域,公开一种电子发射装置及电荷中和设备。其中电子发射装置包括支架、电子发射体、直流稳压电源、感应加热线圈、交流电源和底座。电子发射体安装于支架上;电子发射体的一端连接于直流稳压电源的负极,直流稳压电源的正极接地,直流稳压电源用于为电子发射体提供偏置电压;感应加热线圈的中间设置有容纳部,电子发射体位于容纳部内,感应加热线圈的两端连接于交流电源,交流电源用于为感应加热线圈提供交流电流,底座用于安装支架和感应加热线圈。本技术利用感应加热线圈的电磁感应实现非接触式加热从而提高能量利用效率,因此能够适应地增加电子发射体的直径,提高电子发射体的使用寿命。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及半导体,尤其涉及一种电子发射装置及电荷中和设备


技术介绍

1、高通量的真空电子流可以用于碰撞气体分子形成离子或与离子结合形成中性气体分子,因而在半导体抛光/刻蚀设备中被广泛应用。热电子发射是一种常见的自由电子产生方式,一般是在细丝形状的高熔点导电材质(如高纯钨丝)中通入大电流,利用焦耳热加热该导电细丝到很高的温度从而使电子的热运动能量接近材料的电子逸出功,从而电子脱离导电细丝并在所加偏压作用下加速运动离开。

2、现有的热电子发射方式存在如下缺陷:由于导电细丝采用焦耳热加热,因此,导电细丝的直径较小,导电细丝的工作温度接近沸点,由于热蒸发和高温重结晶,导电细丝不断被消耗后性能衰退,导致导电细丝使用寿命短,甚至发生导电细丝断裂。

3、基于此,亟需一种电子发射装置及电荷中和设备,以解决上述存在的问题。


技术实现思路

1、基于以上所述,本技术的目的在于提供一种电子发射装置及电荷中和设备,利用感应加热线圈的电磁感应实现非接触式加热从而提高能量利用效率,能够适应地增加电子发射体的直径,提高电子发射体的使用寿命。

2、为达上述目的,本技术采用以下技术方案:

3、一方面,提供一种电子发射装置,包括:

4、底座;

5、支架,其安装于所述底座上;

6、电子发射体,其安装于所述支架上;

7、直流稳压电源,所述电子发射体的一端连接于所述直流稳压电源的负极,所述直流稳压电源的正极接地,所述直流稳压电源用于为所述电子发射体提供偏置电压;

8、感应加热线圈,其固定安装于所述底座上,所述感应加热线圈的中间设置有容纳部,所述电子发射体位于所述容纳部内,所述感应加热线圈的两端连接于交流电源,所述交流电源用于为所述感应加热线圈提供交流电流。

9、作为一种电子发射装置的优选技术方案,所述感应加热线圈至少一端连接于接地线。

10、作为一种电子发射装置的优选技术方案,所述感应加热线圈包括空心导线,所述空心导线绕制成所述感应加热线圈,所述空心导线的中心沿长度方向设置有冷却流道,所述冷却流道内流通冷却介质。

11、作为一种电子发射装置的优选技术方案,所述支架的材质为陶瓷。

12、作为一种电子发射装置的优选技术方案,所述电子发射体为高纯钨棒、六硼化镧棒、钍钨棒或铈钨棒。

13、作为一种电子发射装置的优选技术方案,所述电子发射体为高纯钨棒时,所述电子发射体表面镀六硼化镧薄膜。

14、作为一种电子发射装置的优选技术方案,所述直流稳压电源设置有电流传感器。

15、作为一种电子发射装置的优选技术方案,所述电子发射体的横截面为圆形、椭圆形或多边形;和/或

16、所述感应加热线圈的横截面为圆形、椭圆形或多边形。

17、作为一种电子发射装置的优选技术方案,所述电子发射体沿长度方向的外径不相同;和/或

18、所述感应加热线圈沿长度方向的外径不相同。

19、另一方面,提供一种电荷中和设备,包括以上任一方案所述的电子发射装置。

20、本技术的有益效果为:

21、本技术提供一种电子发射装置及电荷中和设备,工作时,感应加热线圈电阻很低,交流电源为感应加热线圈通入较大的交变电流,可以在电子发射体中产生涡流实现非接触加热,以使电子发射体的温度满足要求。电子发射体的端部与直流稳压电源的负极连接,直流稳压电源的正极接地,直流稳压电源为电子发射体提供偏置电压,从而产生空间电子流。本技术利用感应加热线圈的电磁感应实现非接触式加热从而提高能量利用效率,相对于现有技术中导电细丝的结构,该电子发射体的形状没有严格,因此能够适应地增加电子发射体的直径,提高电子发射体的使用寿命。

本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种电子发射装置,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的电子发射装置,其特征在于,所述感应加热线圈(4)至少一端连接于接地线(6)。

3.根据权利要求1所述的电子发射装置,其特征在于,所述感应加热线圈(4)包括空心导线,所述空心导线绕制成所述感应加热线圈(4),所述空心导线的中心沿长度方向设置有冷却流道,所述冷却流道内流通冷却介质。

4.根据权利要求1所述的电子发射装置,其特征在于,所述支架(1)的材质为陶瓷。

5.根据权利要求1所述的电子发射装置,其特征在于,所述电子发射体(2)为高纯钨棒、六硼化镧棒、钍钨棒或铈钨棒。

6.根据权利要求5所述的电子发射装置,其特征在于,所述电子发射体(2)为高纯钨棒时,所述电子发射体(2)表面镀六硼化镧薄膜。

7.根据权利要求1所述的电子发射装置,其特征在于,所述直流稳压电源(3)设置有电流传感器。

8.根据权利要求1-7任一项所述的电子发射装置,其特征在于,所述电子发射体(2)的横截面为圆形、椭圆形或多边形;和/或

9.根据权利要求1-7任一项所述的电子发射装置,其特征在于,所述电子发射体(2)沿长度方向的外径不相同;和/或

10.一种电荷中和设备,其特征在于,包括如权利要求1-9任一项所述的电子发射装置。

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【技术特征摘要】

1.一种电子发射装置,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的电子发射装置,其特征在于,所述感应加热线圈(4)至少一端连接于接地线(6)。

3.根据权利要求1所述的电子发射装置,其特征在于,所述感应加热线圈(4)包括空心导线,所述空心导线绕制成所述感应加热线圈(4),所述空心导线的中心沿长度方向设置有冷却流道,所述冷却流道内流通冷却介质。

4.根据权利要求1所述的电子发射装置,其特征在于,所述支架(1)的材质为陶瓷。

5.根据权利要求1所述的电子发射装置,其特征在于,所述电子发射体(2)为高纯钨棒、六硼化镧棒、钍钨棒或铈钨棒。

【专利技术属性】
技术研发人员:冯策母凤文
申请(专利权)人:天津中科晶禾电子科技有限责任公司
类型:新型
国别省市:

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