【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，尤其涉及一种芯片封装内部植球方法及封装结构。
技术介绍
1、对于半导体而言，完整的芯片由裸片（die）经过封装得到，封装后的结构又称芯片级封装结构（后续简称芯片）；为了实现芯片与外部引脚之间的电连接，对芯片进行植球工艺是一种常见的芯片封装技术，此时，植球工艺主要指的是将焊球连接到芯片的引脚上的一种工艺。除此之外，植球工艺还可以用于芯片的封装过程中，例如，可以对裸片的压点金属层进行植球，以在芯片内部建立电连接关系。
2、目前，对裸片的压点金属层进行植球通常需要进行许多前置步骤，具体地，如图1所示，在裸片的压点金属层001及第一绝缘层002上溅射金属层003，并涂覆第一光刻胶层004；如图2所示，接着，在第一光刻胶层004上转移布线图形，并进行光刻，去胶后留下布线图形；如图3所示，生长第二绝缘层005，并涂覆第二光刻胶层006，在第二光刻胶层006上转移bump压焊点图形007；如图4所示，去除bump压焊点图形007处的第二绝缘层005，再去除第二光刻胶层006，溅射钛层008、镍层009；如图5所示，电镀隔离层010，隔离层010形成有电镀图形011，依次在电镀图像011上电镀铜层012及锡层013；如图6所示，去除隔离层010，并腐蚀掉多余的钛层008及镍层009，并对锡层013进行回流焊，完成植球。
3、可见，当对裸片的压点金属层进行植球时至少需要进行制版图、溅射、电镀等工序，需要配置溅射设备及电镀设备，成本较高，且需要解决电镀设备所带来的污染问题，进一步地提高了成本。因此，有必
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种芯片封装内部植球方法及封装结构，解决目前对芯片内部进行植球时所存在的成本较高的技术问题。
2、为达此目的，本专利技术采用以下技术方案：
3、一种芯片封装内部植球方法，包括：
4、s1、提供裸片，所述裸片上形成有下凹的键合窗口，所述键合窗口内设有外露的金属部；
5、s2、在所述键合窗口中植入金球；
6、s3、将网板放置于所述裸片上方，所述网板对应所述键合窗口的位置形成有网孔；
7、s4、将高温的锡球刮入所述网孔内，以令所述锡球承载在所述金球上；
8、s5、进行回流焊并取出网板，以使所述锡球融化并与所述金球结合。
9、可选地，步骤s5、进行回流焊并取出网板，以使所述锡球融化并与所述金球结合，包括：
10、s501、对所述锡球进行低温回流焊；
11、s502、取出网板；
12、s503、对所述锡球进行高温回流焊。
13、可选地，所述低温回流焊的温度范围为245°c～255°c，所述高温回流焊的温度范围为255°c～260°c。
14、可选地，进行低温回流焊时，所述网孔的直径增加。
15、可选地，所述网板包括铝环，所述铝环的内圈构成所述网孔的全部或部分。
16、可选地，取出网板时，所述铝环沿重力方向以预定的频率振动。
17、可选地，所述网板还包括第一板层、第二板层及第三板层，所述第二板层设置于所述第一板层与所述第三板层之间，且所述铝环安装于所述第二板层上；
18、所述第二板层分别与所述第一板层及所述所述第三板层弹性连接。
19、可选地，所述网孔中仅能容纳一个所述锡球。
20、可选地，步骤s5、进行回流焊并取出网板，以使所述锡球融化并与所述金球结合之后，还包括：
21、s6、对所述裸片进行去离子水清洗，并烘干；
22、s7、对所述裸片进行倒装封装。
23、一种封装结构，包括裸片，所述裸片通过如上所述的芯片封装内部植球方法进行植球；
24、所述裸片上形成有下凹的键合窗口，所述键合窗口内设有外露的金属部；所述金属部上通过植球连接有金球，所述金球外包裹锡球。
25、与现有技术相比，本专利技术具有以下有益效果：
26、专利技术提供的芯片封装内部植球方法及封装结构，其在裸片的金属部上利用植入金球的方式固定回流的锡球，然后将锡球设置在金属部及金球上，经过回流焊便可完成锡球植球的工艺，即仅需配置植球机便可以将锡球固定在芯片的金属部上；对于上述工艺而言，不需要配置溅射设备及电镀设备，也不需要处理由电镀设备带来的污染问题，降低了在芯片内部进行植球工艺的成本。
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1.一种芯片封装内部植球方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的一种芯片封装内部植球方法，其特征在于，步骤S5、进行回流焊并取出网板，以使所述锡球融化并与所述金球结合，包括：
3.根据权利要求2所述的一种芯片封装内部植球方法，其特征在于，所述低温回流焊的温度范围为245°C～255°C，所述高温回流焊的温度范围为255°C～260°C。
4.根据权利要求2所述的一种芯片封装内部植球方法，其特征在于，进行低温回流焊时，所述网孔的直径增加。
5.根据权利要求4所述的一种芯片封装内部植球方法，其特征在于，所述网板包括铝环，所述铝环的内圈构成所述网孔的全部或部分。
6.根据权利要求5所述的一种芯片封装内部植球方法，其特征在于，取出网板时，所述铝环沿重力方向以预定的频率振动。
7.根据权利要求6所述的一种芯片封装内部植球方法，其特征在于，所述网板还包括第一板层、第二板层及第三板层，所述第二板层设置于所述第一板层与所述第三板层之间，且所述铝环安装于所述第二板层上；
8.根据权利要求1所述的一种芯片封
9.根据权利要求1所述的一种芯片封装内部植球方法，其特征在于，步骤S5、进行回流焊并取出网板，以使所述锡球融化并与所述金球结合之后，还包括：
10.一种封装结构，其特征在于，包括裸片，所述裸片通过如权利要求1-9中任一项所述的芯片封装内部植球方法进行植球；
...【技术特征摘要】
1.一种芯片封装内部植球方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的一种芯片封装内部植球方法，其特征在于，步骤s5、进行回流焊并取出网板，以使所述锡球融化并与所述金球结合，包括：
3.根据权利要求2所述的一种芯片封装内部植球方法，其特征在于，所述低温回流焊的温度范围为245°c～255°c，所述高温回流焊的温度范围为255°c～260°c。
4.根据权利要求2所述的一种芯片封装内部植球方法，其特征在于，进行低温回流焊时，所述网孔的直径增加。
5.根据权利要求4所述的一种芯片封装内部植球方法，其特征在于，所述网板包括铝环，所述铝环的内圈构成所述网孔的全部或部分。
6.根据权利要求5所述的一种芯片封...
【专利技术属性】
技术研发人员：余海滨，赵光礼，
申请(专利权)人：深圳维盛半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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