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本发明提供了一种芯片封装内部植球方法及封装结构，植球方法包括：S1、提供裸片，所述裸片上形成有下凹的键合窗口，所述键合窗口内设有外露的金属部；S2、在所述键合窗口中植入金球；S3、将网板放置于所述裸片上方，所述网板对应所述键合窗口的位置形成...
该专利属于深圳维盛半导体科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳维盛半导体科技有限公司授权不得商用。

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