处理液供应单元、基板处理装置以及基板处理设备制造方法及图纸

技术编号：40487438 阅读：8 留言：0更新日期：2024-02-26 19:19

本发明专利技术涉及能够有效去除处理液中的污染物的处理液供应单元、基板处理装置以及基板处理设备。处理液供应单元包括：混合部，用于混合去离子水和二氧化碳；第一供应部，向所述混合部供应所述去离子水；第二供应部，向所述混合部供应所述二氧化碳；以及过滤器部件，用于去除通过所述混合部混合的二氧化碳水中的杂质，所述过滤器部件配置于从所述混合部向所述基板上传送所述二氧化碳水的传送管线中，所述传送管线包括所述二氧化碳水以第一流量流动的区间即第一区间和所述二氧化碳水以比所述第一流量大的第二流量流动的区间即第二区间，所述过滤器部件配置于所述第一区间。

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【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及处理液供应单元、基板处理装置以及基板处理设备。

技术介绍

1、通常，随着半导体元件的高密度、高集成化、高性能化，急速进行电路图案的细微化，从而残留于基板表面的颗粒(particle)、有机污染物、金属污染物等污染物质对元件的特性和投入产出比带来较多的影响。由此，去除附着于基板表面的各种污染物质的清洗工艺在半导体制造工艺中逐渐非常重要，在制造半导体的各单位工艺的前后步骤中实施对基板进行清洗处理的工艺。

2、目前，在半导体制造工艺中使用的清洗方法大体分为干式清洗(dry cleaning)和湿式清洗(wet cleaning)，湿式清洗可分为将基板浸渍在药液中通过化学溶解等去除污染物质的浴(bath)方式和在将基板置于旋转卡盘之上而使基板旋转的期间向基板的表面供应药液而去除污染物质的旋转(spin)方式。

3、去离子水(diw，deionized water)作为用作清洗液的处理液的一种，防止装置的金属腐蚀以及污染，公知为在这样的半导体装置中发挥清洗的用途。为了更有效地执行清洗，去离子水(diw)与二氧化碳(co2)或者氮气(n2)等之类气体混合使用。其中，用二氧化碳(co2)和去离子水(diw)混合的二氧化碳水(co2水)执行的清洗工艺作为电惰性工艺具有如下优点：保持装置的完整性(integrity)的同时允许无损坏(damage free)清洗。

4、二氧化碳水(co2水)可以通过将二氧化碳(co2)和去离子水(diw)注入于混合部件来制造。混合部件作为混合二氧化碳(co2)以及

技术实现思路

1、本专利技术旨在提供在将去离子水和二氧化碳混合而供应二氧化碳水的过程中可以有效地去除添加在二氧化碳水中的杂质(例如：污染物、颗粒等)的处理液供应单元以及具备其的基板处理装置。

2、另外，本专利技术旨在提供能够供应提高清洁度的二氧化碳水的处理液供应单元以及具备其的基板处理装置。

3、本专利技术的目的不限于前述的，未提及的本专利技术的其它目的以及优点可以通过下面的说明得到理解。

4、根据本专利技术的一实施例，可以是，提供用于向基板上供应混合有去离子水和二氧化碳的二氧化碳水的处理液供应单元。可以是，所述处理液供应单元包括：混合部，用于混合去离子水和二氧化碳；第一供应部，向所述混合部供应所述去离子水；第二供应部，向所述混合部供应所述二氧化碳；以及过滤器部件，用于去除通过所述混合部混合的二氧化碳水中的杂质，所述过滤器部件在从所述混合部向所述基板上传送所述二氧化碳水的传送管线中配置于所述混合部的周边部。例如，可以是，所述传送管线包括所述二氧化碳水以第一流量流动的区间即第一区间和所述二氧化碳水以比所述第一流量大的第二流量流动的区间即第二区间，所述过滤器部件配置于所述第一区间中。

5、在一实施例中，可以是，所述第一供应部通过连接管线与所述混合部连接，从所述连接管线分支的第一分支管线与所述传送管线汇集。

6、在一实施例中，可以是，所述第一分支管线和所述传送管线的汇集点位于比配置有所述过滤器部件的点下游处，所述第一供应部通过所述第一分支管线向所述传送管线供应去离子水。

7、在一实施例中，可以是，所述处理液供应单元还包括：测定部，用于测定所述二氧化碳水的电阻率。

8、在一实施例中，可以是，所述处理液供应单元还包括：排出部，用于排出在传送所述二氧化碳水的过程中产生的副产物。

9、在一实施例中，可以是，所述混合部包括：第一注入口，注入所述去离子水；第二注入口，注入所述二氧化碳；排放口，用于将混合有所述去离子水和所述二氧化碳的二氧化碳水朝向所述传送管线排放；以及排出口，用于排出剩余二氧化碳。

10、另一方面，可以是，所述处理液供应单元还包括：第二过滤器部件，配置于所述传送管线的所述第二区间中的任一点。

11、根据本专利技术的一实施例，可以是，提供基板处理装置，所述基板处理装置包括：基板支承部件，支承基板；喷嘴，向放置于所述基板支承部件的基板喷射在去离子水中混合有二氧化碳的二氧化碳水；以及处理液供应单元，向所述喷嘴供应所述二氧化碳水。可以是，所述处理液供应单元包括：混合部，混合去离子水和二氧化碳；第一供应部，向所述混合部供应所述去离子水；第二供应部，向所述混合部供应所述二氧化碳；以及过滤器部件，用于去除通过所述混合部混合的二氧化碳水中的杂质，所述过滤器部件在从所述混合部向所述喷嘴传送所述二氧化碳水的传送管线中配置于所述混合部的周边部。例如，可以是，所述传送管线包括所述二氧化碳水以第一流量流动的区间即第一区间和所述二氧化碳水以比所述第一流量大的第二流量流动的区间即第二区间，所述过滤器部件配置于所述第一区间中。

12、根据本专利技术的一实施例，可以是，包括基板处理设备，所述基板处理设备包括：装载端口，安放收纳有基板的载体；转位框架，在内部提供有用于从安放于所述装载端口的载体输送所述基板的转位机器人；以及工艺处理模组，包括对所述基板执行液体处理工艺的基板处理装置。可以是，所述基板处理装置包括：基板支承部件，支承所述基板；喷嘴，向放置于所述基板支承部件的基板喷射处理液；以及处理液供应单元，向所述喷嘴供应处理液，所述处理液供应单元包括：混合部，混合去离子水和二氧化碳；第一供应部，向所述混合部供应所述去离子水；第二供应部，向所述混合部供应所述二氧化碳；以及过滤器部件，用于去除通过所述混合部混合的二氧化碳水中的杂质，所述过滤器部件在从所述混合部向所述喷嘴传送混合有所述去离子水和所述二氧化碳的二氧化碳水的传送管线中配置于从所述混合部朝向所述喷嘴排放所述二氧化碳水的排放口的周边部。例如，可以是，所述传送管线包括所述二氧化碳水以第一流量流动的区间即第一区间和所述二氧化碳水以比所述第一流量大的第二流量流动的区间即第二区间，所述过滤器部件配置于所述第一区间中。

13、另一方面，可以是，根据本专利技术的实施例的处理液供应单元还包括：存储部，提供于所述传送管线中，并用于存储通过所述混合部混合的所述二氧化碳水。

14、根据本专利技术，将穿过过滤器部件的流体的流速越慢则过滤器部件中的截留率(retention rate)越增加的现象适用于二氧化碳水供应过程中而将过滤器部件配置于二氧化碳水供应单元内部低流量区间，从而可以提高过滤器部件的效率而提高二氧化碳水中的颗粒去除效率并延长过滤器部件的寿命。

15、本专利技术的效果不限于以上提及的，本专利技术所属
中具有通常知识的人能够从下面的记载明确地理解未提及的其它效果。

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【技术保护点】

1.一种处理液供应单元，用于向基板上供应混合有去离子水和二氧化碳的二氧化碳水，其特征在于，

2.根据权利要求1所述的处理液供应单元，其特征在于，

3.根据权利要求2所述的处理液供应单元，其特征在于，

4.根据权利要求3所述的处理液供应单元，其特征在于，

5.根据权利要求1所述的处理液供应单元，其特征在于，

6.根据权利要求1所述的处理液供应单元，其特征在于，

7.根据权利要求1所述的处理液供应单元，其特征在于，

8.一种基板处理装置，其特征在于，包括：

9.根据权利要求8所述的基板处理装置，其特征在于，

10.根据权利要求9所述的基板处理装置，其特征在于，

11.根据权利要求10所述的基板处理装置，其特征在于，

12.根据权利要求8所述的基板处理装置，其特征在于，

13.根据权利要求8所述的基板处理装置，其特征在于，

14.根据权利要求8所述的基板处理装置，其特征在于，

15.一种基板处理设备，其特征在于，包括：</p>

16.根据权利要求15所述的基板处理设备，其特征在于，

17.根据权利要求16所述的基板处理设备，其特征在于，

18.根据权利要求17所述的基板处理设备，其特征在于，

19.根据权利要求15所述的基板处理设备，其特征在于，

20.根据权利要求15所述的基板处理设备，其特征在于，

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【技术特征摘要】