【技术实现步骤摘要】
本申请的实施例涉及半导体器件及其形成方法。
技术介绍
1、由于各种电子组件(即，晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的集成密度不断提高，半导体工业经历了快速发展。在很大程度上，这种集成密度的提高来自于最小部件尺寸的不断减小，这允许更多的较小组件集成至给定区中。这些较小的电子组件也需要比以前的封装件利用较少区的较小的封装件。用于半导体组件的一些较小类型的封装件包括四面扁平封装件(qfp)、针栅阵列(pga)封装件、球栅阵列(bga)封装件、倒装芯片(fc)、三维集成电路(3dic)、晶圆级封装件(wlp)和叠层封装(pop)器件等。
2、目前，集成扇出封装件因其紧凑性变得越来越受欢迎。
技术实现思路
1、本申请的一些实施例提供了一种半导体器件，包括：第一管芯和第二管芯；第一再分布层(rdl)结构，位于所述第一管芯和所述第二管芯之间，所述第一再分布层结构电连接至所述第一管芯和所述第二管芯，所述第一再分布层结构包括第一聚合物层、第二聚合物层、第一导电图案和粘合促进剂层，其中，所述粘合促进剂层位于所述第二聚合物层和所述第一导电图案之间并且与所述第二聚合物层和所述第一导电图案直接接触；以及连接件，位于所述第一聚合物层中，并且与所述第二管芯和所述第一导电图案直接接触。
2、本申请的另一些实施例提供了一种半导体器件，包括：第一再分布层(rdl)结构，包括第一聚合物层、第一导电图案和粘合促进剂层；第一管芯，位于所述第一再分布层结构上方；通孔，位于所述第一再分布层结构上方，所述
3、本申请的又一些实施例提供了一种形成半导体器件的方法，所述方法包括：在第一聚合物层上形成第一导电图案；在所述第一导电图案上形成第一粘合促进剂层，其中，所述第一粘合促进剂层与所述第一导电图案直接接触；在所述第一聚合物层上形成第二聚合物层，其中，所述第二聚合物层与所述第一粘合促进剂层直接接触；在所述第一聚合物层的第一侧上方放置第一管芯；以及在所述第一聚合物层的第二侧处放置第二管芯，所述第一聚合物层的所述第二侧与所述第一聚合物层的所述第一侧相对，其中，所述第二管芯通过所述第一导电图案电连接至所述第一管芯。
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1.一种半导体器件，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述粘合促进剂层与所述第一聚合物层直接接触。
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第二聚合物层包括位于所述粘合促进剂层和所述第一聚合物层之间的部分。
4.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，所述粘合促进剂层通过所述第二聚合物层的所述部分与所述第一聚合物层完全分隔开。
5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一导电图案包括晶种层和位于所述晶种层上的导电层，其中，所述粘合促进剂层位于所述第二聚合物层和所述导电层之间，并且其中，所述粘合促进剂层位于所述第二聚合物层和所述晶种层之间。
6.根据权利要求5所述的半导体器件，其中，所述晶种层的部分与所述第二聚合物层直接接触。
7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一再分布层结构还包括所述第一管芯和所述第一导电图案之间的所述第二聚合物层中的通孔，并且所述通孔的宽度随着所述通孔变得更接近所述第一导电图案而减小。
8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述粘合促进
9.一种半导体器件，包括：
10.一种形成半导体器件的方法，所述方法包括：
...【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述粘合促进剂层与所述第一聚合物层直接接触。
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第二聚合物层包括位于所述粘合促进剂层和所述第一聚合物层之间的部分。
4.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，所述粘合促进剂层通过所述第二聚合物层的所述部分与所述第一聚合物层完全分隔开。
5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一导电图案包括晶种层和位于所述晶种层上的导电层，其中，所述粘合促进剂层位于所述第二聚合物层和所述导电层之间，并且其中，所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：卓鸿钧，廖思豪，胡毓祥，郭宏瑞，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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