钻石复合晶圆的制造方法技术

提出一种钻石复合晶圆的制造方法，包括以下步骤：(a).在一钻石复合晶圆中形成数个通孔，并在钻石复合晶圆的一第一侧上形成一第一重布层；(b).将一暂时载体附着于第一重布层，及并在钻石复合晶圆的一第二侧上形成一第二重布层；以及，(c).释放该暂时载体，以形成一包含钻石晶圆的电路。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种钻石复合晶圆的制造方法及一半导体结构。

技术介绍

1、5g及人工智能(ai)的出现激发3c领域的大量新的终端用途应用，即，高性能计算(high-performance computing,hpc)、数据中心(即，云端)、基地台(即，连接性)、商业/边缘(edge)电子设备(即，用户端/边缘端)及涵盖所有3c的人工智能(ai covering all3cs)，导致半导体的高速增长及数据通信(data communication)的指数级增长。根据思科全球云端指数，到2021年，全球数据中心ip流量将超过惊人的20皆位元组(20x1021bytes)，比2016年的6.8皆位元组增长了3倍以上。面向高性能计算(high-performance computing,hpc)的半导体装置就集成电路(ic)及ic封装技术而言，数据中心及人工智能(ai)市场始终代表着最先进的技术。对于高端智能手持应用来说也是如此。

2、暴增的数据流量需要先进的ic，特别是处理器(processors)及存储器(memories)，以及先进的系统级封装(s本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种钻石复合晶圆的制造方法，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，该钻石复合晶圆包括具有一预定直径的一半导体基板及一位于该半导体基板上的多个钻石块。

3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，该半导体基板包括整并成该预定直径的多个半导体块。

4.如权利要求2所述的方法，其特征在于，更包括：

5.如权利要求2所述的方法，其特征在于，该第一重布层形成于该半导体基板上，且该第二重布层形成于该多个钻石块上。

6.如权利要求2所述的方法，其特征在于，还包括：

7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，各该...

【技术特征摘要】

1.一种钻石复合晶圆的制造方法，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，该钻石复合晶圆包括具有一预定直径的一半导体基板及一位于该半导体基板上的多个钻石块。

3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，该半导体基板包括整并成该预定直径的多个半导体块。

4.如权利要求2所述的方法，其特征在于，更包括：

5.如权利要求2所述的方法，其特征在于，该第一重布层形成于该半导体基板上，且该第二重布层形成于该多个钻石块上。

6.如权利要求2所述的方法，其特征在于，还包括：

7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，各该通孔包括一电通孔、一光通孔、一热通孔及/或一流体通孔。

8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，该第一重布层及/或该第二分布层...

【专利技术属性】
技术研发人员：唐和明，颜薇，卢超群，
申请(专利权)人：铨心半导体异质整合股份有限公司，
类型：发明
国别省市：