【技术实现步骤摘要】
本公开大体上涉及半导体封装，且更特定来说，涉及适于应用具有超细间距或小裸片尺寸的微型led封装或类似半导体结构的具有超细间距尺度的半导体封装。
技术介绍
1、自发光无机微型led有望取代主流oled技术成为未来主导及颠覆性显示技术。与oled相比，微型led提供显著优点，包含更高亮度(30x)及能量效率、更长产品寿命及更快切换速度(纳秒级，与半导体相当)。微型led通常被定义为具有小于50μm(有时小于10μm)的长度或宽度尺寸及约5到7μm的厚度的无衬底外延层led。尽管微型led的市场目前很小，但预计将经历指数级增长，在2023年达到约4000万美元且到2027年扩大到约13亿美元的市场潜在规模tam。如果与巨量转移相关的挑战可成功解决，那么此增长甚至更高。
2、存在两种方法来将微型led组装于接收衬底或驱动ic衬底上：(1)巨量转移(即，大规模并行转移)及(2)单片阵列混合(monolithic array hybridization，mah)。在mah方法中，标准led晶片经蚀刻以形成微型led及接着与接收驱动ic衬...
【技术保护点】
1.一种半导体封装，其包括：
2.根据权利要求1所述的半导体封装，其中所述第二裸片是微型LED裸片、处理器裸片或小芯片。
3.根据权利要求1所述的半导体封装，其中所述第二裸片的尺寸小于约10μm乘10μm。
4.根据权利要求1所述的半导体封装，其进一步包括所述第一金属垫与所述第二金属垫中的每一者之间的软金属SM区段或焊料区段，且所述SM区段或所述焊料区段的侧壁与所述第一介电层或所述第二介电层中的一者接触，其中所述SM区段或所述焊料区段的熔点不大于约250℃。
5.根据权利要求4所述的半导体封装，其中所述SM区段或所述焊料...
【技术特征摘要】
1.一种半导体封装，其包括：
2.根据权利要求1所述的半导体封装，其中所述第二裸片是微型led裸片、处理器裸片或小芯片。
3.根据权利要求1所述的半导体封装，其中所述第二裸片的尺寸小于约10μm乘10μm。
4.根据权利要求1所述的半导体封装，其进一步包括所述第一金属垫与所述第二金属垫中的每一者之间的软金属sm区段或焊料区段，且所述sm区段或所述焊料区段的侧壁与所述第一介电层或所述第二介电层中的一者接触，其中所述sm区段或所述焊料区段的熔点不大于约250℃。
5.根据权利要求4所述的半导体封装，其中所述sm区段或所述焊料区段的侧壁与所述第一金属垫或所述第二金属垫中的一者的侧壁对准。
6.根据权利要求4所述的半导体封装，其中接近于所述第二裸片的所述第二介电层的侧壁的第一段与所述第二金属垫的侧壁接触，且接近于所述第一裸片的所述第二介电层的所述侧壁的第二段与所述sm区段或所述焊料区段的侧壁接触。
7.根据权利要求6所述的半导体封装，其中所述第二段与所述第一段的高度比在从25％到85％的范围内。
8.根据权利要求1所述的半导体封装，其中所述第一介电层及所述第二介电层的材料包括二氧化硅或聚合物。
9.一种半导体封装，其包括：
10.根据权利要求9所述的半导体封装，其中每一所述sm区段或所述焊料区段的厚度在从约1μm到约2μm的范围内。
11.根据权利要求9所述的半导体封装，其中所述第二裸片是具有小于约10μm乘10...
【专利技术属性】
技术研发人员：唐和明，颜薇，卢超群，
申请(专利权)人：铨心半导体异质整合股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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